TH35222C3 - หน่วยขับดิสก์พร้อมด้วยชุดวงจรสำหรับการลดความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนโดยใช้ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์ - Google Patents

Abstract

DC60 (16/12/42) หน่วยขับดิสก์ที่มีตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ที่มีชุดวางซ้อน MTJ จำนวนสองชุด ที่อยู่ระหว่างชีลด์ที่หนึ่งและที่สองและอิเล็กโทรดร่วมที่ได้รับการจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ สองชุดดังกล่าว กระแสสำหรับตรวจรู้ที่หนี่งถูกจัดเตรียมให้กับชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งโดยชีลด์ที่หนึ่ง และอิเล็กโทรดร่วมและกระแสสำหรับตรวจรู้ที่สองถูกจัดเตรียมให้กับชุดวางซ้อน MTJ ที่สองโดยชิลด์ ที่สองและอิเล็กโทรดร่วม ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของบรรดาระดับชั้นที่ถูกตรึงของชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งและที่สองได้รับการยึดติดในลักษณะที่ตั้งฉากกับ ABS และขนานแบบสวนทางซึ่งกันและ กันเพื่อที่ว่าสัญญาณที่มีการต้านทานด้วยแม่เหล็กซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยสาเหตุจากสนามภายนอกซึ่งมา จากแผ่นดิสก์โดยชุดวางซ้อนของ MTJ ที่หนึ่งจะมีเฟสแตกต่างออกไป 180 องศาเซลเซียส เมื่อเทียบกับสัญญาณที่มี การต้านทานด้วยแม่เหล็กซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยสาเหตุจากสนามภายนอกที่เหมือนกันโดยชุดวางซ้อน ของ MTJ ที่สอง แรงดันที่ได้รับการพัฒนาขึ้นบนชุดวางซ้อน MTJ ทั้งสองชุด (แรงดันซึ่งเป็นผลจาก การปรากฏขึ้นของความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนและแรงดันซึ่งเป็นผลจากการที่มีฟิลด์ของข้อมูล) ถูกปล่อยไปยังอินพุตต่าง ๆ ของวงจรขยายผลต่างสำหรับการขจัดสัญญาณความไม่เรียบเนื่องจาก ความร้อนออกไปเป็นอย่างมาก หน่วยขับดิสก์ที่มีตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ที่มีชุดวางซ้อน MTJ จำนวนสองชุด ที่อยู่ระหว่างซีลด์ที่หนึ่งและที่สองและอิเล็กโทรดร่วมที่ได้รับการจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ สองชุดดังกล่าว กระแสสำหรับตรวจรู้ที่หนี่งถูกจัดเตรียมให้กับชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งโดยซีลด์ที่หนึ่ง และอิเล็กโทรดร่วมและกระแสสำหรับตรวจรู้ที่สองถูกจัดเตรียมให้กบชุดวางว้อน MTJ ที่สองโดยซีลด์ ที่สองและอิเล็กโทรดร่วม ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของบรรดาระดับชั้นที่ถูกตรึงของชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งและที่สองได้รับการยึดติดในลักษณะที่ตั้งฉากกับ ABS และขนานแบบสวนทางซึ่งกันและ กันเพื่อที่ว่าสัญญาณที่มีการต้านทานด้วยแม่เหล็กซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยสาเหตุจากสนามภายนอกซึ่งมา จากแผ่นดิสก์โดยชุดวางซ้อนของ MTJ ที่หนึ่งจะมีเฟสแตกต่างออกไป 180ํ เมื่อเทียบกับสํญญาณที่มี การต้านทานด้วยแม่เหล็กซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยสาเหตุจากสนามภายนอกที่เหมือนกันโดยชุดวางซ้อน ของ MTJ ที่สอง แรงดันที่ได้รับการพัฒนาขึ้นบนชุดวางซ้อน MTJ ทั้งสองชุด (แรงดันซึ่งเป็นผลจาก การปรากฏขึ้นของความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนและแรงดันซึ่งเป็นผลจากการที่มีฟิลด์ของข้อมูล) ถูกปล่อยไปยังอินพุตต่าง ๆ ของวงจรขยายผลต่างสำหรับการขจัดสัญญาณความไม่เรียบเนื่องจาก ความร้อนออกไปเป็นอย่างมาก

Claims (7)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTF) ซึ่งประกอบด้วย - ชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่ง (MTJ1) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM1) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็ก เฟอร์โรเพื่อตรีงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึ่งดังกล่าวไว้ - ชุดวางซ้อน MTJ ที่สอง (MTJ2) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM2) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็ก เฟอร์โรเพื่อตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าวไว้ - อิเล็กโทรดร่วมซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวและชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ซิลด์ที่หนึ่ง (S1) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำรหับตรวจรู้ ที่หนึ่งให้กับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าว และ - ซิลด์ที่สอง (S2) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ที่ สองให้กับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว 2. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ระดับชั้นต่างๆ ที่ถูกตรึงดังกล่าวถูก เลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 3. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ระดับชั้นต่างๆ ที่เป็นอิสระดังกล่าวถูก เลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 4. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่บรรดาระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ดัง กล่าวถูกทำขึ้นจาก Al2O3 5. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ระดับขั้น AFM1 ดังกล่าวถูกเลือกจาก กลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Mn-Fe และ Ir-Mn 6. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ระดับขั้น AFM2 ดังกล่าวถูกเลือกจาก กลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Mn, Pt-Mn และ Pt-pd-Mn 7. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่อิเล็กโทรดร่วมดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก ทองคำ (Au) 8. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ซีลด์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าวถูกเลือก จากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ai-Fe-Si 9. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้น ที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งดังกล่าวมีลักษณะที่ขนานแบบสวนทางกับทิศทางของอำนาจแม่ เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่สองดังกล่าว 1 0. ระบบของหน่วยขับดิสก์ที่ประกอบด้วย - แผ่นดิสก์สำหรับบันทึกด้วยแม่เหล็ก - ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) สำหรับตรวจรู้ข้อมูลที่ได้รับการบันทึกไว้ใน ลักษณะของแม่เหล็กบนแผ่นดิสก์สำหรับบันทึกดังกล่าว โดยที่ตัวตรวจรู้ MTJ ดังกล่าวประกอบด้วย ชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่ง (MTJ1) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระ ดังกล่าวและระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM1) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็น แม่เหล็กเฟอร์โรเพื่อตรีงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึ่งดังกล่าวไว้ ชุดวางซ้อน MTJ ที่สอง (MTJ2) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระ ดังกล่าวและระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM2) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็น แม่เหล็กเฟอร์โรเพื่อตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าวไว้ อิเล็กโทรดร่วมซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวและชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว ซิลด์ที่หนึ่ง (S1) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับ ตรวจรู้ที่หนึ่งให้กับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าว และ ซิลด์ที่สอง (S2) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับ ตรวจรู้ที่สองให้กับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ตัวขับเร้าสำหรับเคลื่อนตัวตรวจรู้ MTJ ดังกล่าวไปบนแผ่นดิสก์สำหรับบันทึกด้วยแม่เหล็ก เพื่อที่ตัวตรวจรู้ MTJ อาจเข้าถึงบริเวณหลายแห่งที่แตกต่างกันของข้อมูลที่ได้รับการบันทึกไว้ใน ลักษณะของแม่เหล็กบนแผนดิสก์สำหรับบันทึกดังกล่าว และ - ช่องสำหรับบันทึกที่ได้รับกาเชื่อมต่อทางไฟฟ้าเข้ากับตัวตรวจรู้ MTJ เพื่อตรวจจับการ เปลี่ยนแปลงต่าง ๆ ของความต้านทานของตัวตรวจรู้ MTJ ซึ่งถูกทำให้เกิดขึ้นโดยการหมุนของแกน อำนาจแม่เหล็กของบรรดาระดับชั้นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สัมพันธ์กับอำจาจแม่เหล็กที่ถูกยึดติด ของบรรดาระดับชั้นที่ถูกตรึงโดยตอบสนองต่อสนามแม่เหล็กจากข้อมุลที่ได้รับการบันทึกไว้ในลักษณะ ของแม่เหล็ก 1 1. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ระดับชั้นต่าง ๆ ที่ถูกตรึงดัง กล่าวถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 1 2. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ระดับชั้นต่าง ๆ ที่เป็นอิสระดัง กล่าวถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่าง ๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 1 3. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่บรรดาระดับชั้นของสิ่งขวางกั้น อุโมงค์ดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก Al2O3 1 4. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ระดับขั้น AFM1 ดังกล่าวถูก เลือกจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Mn-Fe และ Ir-Mn 1 5. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ระดับขั้น AFM2 ดังกล่าวถูก เลือกจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Mn, Pt-Mn และ Pt-pd-Mn 1 6. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่อิเล็กโทรดร่วมดังกล่าวถูกทำ ขึ้นจากทองคำ (Au) 1 7. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ซีลด์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว ถูกเลือกจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ai-Fe-Si 1 8. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ทางของอำนาจแม่เหล็กของ ระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งดังกล่าวมีลักษณะที่ขนานแบบสวนทางกับทิศทางของ อำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่สองดังกล่าว 1 9. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ช่องบันทึกดังกล่าวในลำดับต่อ ไป จะประกอบด้วยวงจรผลต่างที่มีขั้วต่ออินพุตที่หนึ่งและที่สองซึ่งถูกต่อเข้ากับชุดวางซ้อน MTJ 1 และ เข้ากับชุดวางซ้อน MTJ2 เพื่อการตรวจจับและชดเชยการเปลี่ยนแปลงความต้านทานในชุดวางซ้อน MTJ1 และ MTJ2 โดยตอบสนองต่อปรากฏการณ์ความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนในระหว่างการอ่าน ข้อมูลในระบบของหน่วยขับดิสก์ดังกล่าว 2 0. ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ซึ่งประกอบด้วย - ชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่ง (MTJ1) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวมี ระดับชั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งมีลักษณะขนานแบบสวนทาง (AP) ที่ได้รับการซ้อนชั้น โดยที่ ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งมีลักษณะ AP ดังกล่าวประกอบด้วยระดับชั้นย่อยที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่หนึ่ง (FM1), ระดับชั้นย่อยที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สอง และระดับชั้นสำหรับเชื่อมต่อในลักษณะขนานแบบ สวนทางกัน (APC) ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นย่อย FM1 ดังกล่าวและระดับชั้นย่อย FM2 ดัง กล่าว ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นย่อย FM1 ดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ด้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM1) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นย่อย FM2 ดังกล่าวเพื่อ ตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้ยย่อย FM2 ดังกล่าวไว้ - ชุดวางซ้อน MTJ ที่สอง (MTJ2) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM2) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็ก เฟอร์โรเพื่อตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึ่งดังกล่าวไว้ - อิเล็กโทรดร่วมซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวและชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ซิลด์ที่หนึ่ง (S1) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ ที่หนึ่งให้กับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าว และ - ซิลด์ที่สอง (S2) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ที่ สองให้กับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว 2 1. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ระดับชั้นย่อย FM1 และ FM2 ดังกล่าว ถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 2 2. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ระดับชั้น APC ดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก รูทีเนียม (Ru) 2 3. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ระดับชั้นต่าง ๆ ที่เป็นอิสระดังกล่าวถูก เลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 2 4. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่บรรดาระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ ดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก Al2O3 2 5. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ระดับขั้น AFM1 และ AFM2 ดังกล่าว ถูกเลือกจากกลุ่มของวัสดุต่าง ๆ ที่ประกอบด้วย Mn-Fe, Ni-Mn, lr-Mn, Pt-Mn และ Pt-Pd-Mn 2 6. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่อิเล็กโทรดร่วมดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก ทองคำ (Au) 2 7. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ซีลด์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าวถูกเลือก จากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ AI-Fe-Si 2 8. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของระดับ ชั้นย่อย FM1 ในชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งดังกล่าวมีลักษณะที่ขนานแบบสวนทางกับทิศทางของอำนาจ แม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่สองดังกล่าว 2 9. ระบบของหน่วยขับดิสก์ที่ประกอบด้วย - แผ่นดิสก์สำหรับบันทึกด้วยแม่เหล็ก - ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) สำหรับตรวจรู้ข้อมูลที่ได้รับการบันทึกไว้ใน ลักษณะของแม่เหล็กบนแผ่นดิสก์สำหรับบันทึกดังกล่าว โดยที่ตัวตรวจรู้ MTJ ดังกล่าวประกอบด้วย ชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่ง (MTJ1) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งมีลักษณะขนานแบบสวนทาง (AP) ที่ได้รับการซ้อนนั้น โดยที่ ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งมีลักณะ AP ดังกล่าวประกอบด้วยระดับชั้นย่อยที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่หนึ่ง (FM1), ระดับชั้นย่อยที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สอง และระดับชั้นสำหรับเชื่อมต่อในลักษณะขนานแบบ สวนทางกัน (APC) ซึ่งถูกกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นย่อย FM1 ดังกล่าวและระดับชั้นย่อย FM2 ดัง กล่าว ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นย่อย FM1 ดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM1) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นย่อย FM2 ดังกล่าวเพื่อ ตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นย่อย FM2 ดังกล่าวไว้ - ชุดวางซ้อน MTJ ที่สอง (MTJ2) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM2) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็ก เฟอร์โรเพื่อตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าวไว้ - อิเล็กโทรดร่วมซึงถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวและชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ซิลด์ที่หนึ่ง (S1) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ ที่หนึ่งให้กับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าว และ - ซิลด์ที่สอง (S2) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ที่ สองให้กับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ตัวขับเร้าสำหรับเคลื่อนตัวตรวจรู้ MTJ ดังกล่าวไปบนแผนดิสก์สำหรับบันทึกด้วยแม่เหล็ก เพื่อที่ตัวตรวจรู้ MTJ อาจเข้าถึงบริเวณหลายแห่งที่แตกต่างกันของข้อมูลที่ได้รับการบันทึกไว้ใน ลักษณะของแม่เหล็กบนแผนดิสก์สำหรับบันทึกดังกล่าว และ - ช่องสำหรับบันทึกที่ได้รับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าของเขากับตัวตรวจรู้ MTJ เพื่อตรวจจับการ เปลี่ยนแปลงต่างๆ ของความต้านทานของตัวตรวจรู้ MTJ ซึ่งถูกทำให้เกิดขึ้นโดยการหมุนของแกน อำนาจแม่เหล็กของบรรดาระดับชั้นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สัมพันธ์กับอำจาจแม่เหล็กที่ถูกยึดติด ของบรรดาระดับชั้นที่ถูกตรึงโดยตอบสนองต่อสนามแม่เหล็กจากข้อมุลที่ได้รับการบันทึกไว้ในลักษณะ ของแม่เหล็ก 3 0. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ระดับชั้น FM1 และ FM2 ดัง กล่าวถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 3

1. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ระดับชั้นต่างๆ ที่เป็นอิสระดัง กล่าวถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 3

2. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่บรรดาระดับชั้นของสิ่งขวางกั้น อุโมงค์ดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก Al2O3 3

3. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ระดับขั้น AFM1 และ AFM2 ดังกล่าวถูกเลือกจากกลุ่มของวัสดุต่าง ๆ ที่ประกอบด้วย Mn-Fe, Ni-Mn, lr-Mn, Pt-Mn และ Pt-Pd-Mn 3

4. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่อิเล็กโทรดร่วมดังกล่าวถูกทำ ขึ้นจากทองคำ (Au) 3

5. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ซีลด์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว ถูกเลือกจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ai-Fe-Si 3

6. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของ ระดับชั้นย่อย FM1 ในชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งดังกล่าวมีลักษณะที่ขนานแบบสวนทางกับทิศทางของ อำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่สองดังกล่าว 3

7. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ช่องบันทึกดังกล่าวในลำดับต่อ ไป จะประกอบด้วยวงจรผลต่างที่มีขั้วต่ออินพุตที่หนึ่งและที่สองซึ่งถูกต่อเข้ากับชุดวางซ้อน MTJ1 และ เข้ากับชุดวางซ้อน MTJ2 เพื่อการตรวจจับและชดเชยการเปลี่ยนแปลงความต้านทานในชุดวางซ้อน MTJ1 และ MTJ2 โดยตอบสนองต่อปรากฏการณ์ความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนในระหว่างการอ่าน ข้อมูลในระบบของหน่วยขับดิสก์ดังกล่าว