TH35195B - เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง - Google Patents

เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง

Info

Publication number
TH35195B
TH35195B TH401001295A TH0401001295A TH35195B TH 35195 B TH35195 B TH 35195B TH 401001295 A TH401001295 A TH 401001295A TH 0401001295 A TH0401001295 A TH 0401001295A TH 35195 B TH35195 B TH 35195B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
shunt resistor
semiconductor
type
power source
section
Prior art date
Application number
TH401001295A
Other languages
English (en)
Other versions
TH65130A (th
Inventor
ซูเอนากะ นายฮารุโอะ
โมริยะ นายฮิเดอากิ
โมริกาวะ นายฮิซาชิ
ซาคาอิ นายชินอิจิ
มิฮาระ นายมาโกโตะ
ชิโรคาวะ นายโนบูโอะ
มัตสึคูระ นางโตโยสึกุ
มัตสึดะ นายมาซาโตะ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH65130A publication Critical patent/TH65130A/th
Publication of TH35195B publication Critical patent/TH35195B/th

Links

Abstract

DC60 (06/07/47) มีระบบก่อตั้งซึ่งได้รับการประกอบสร้างขึ้นมา ในลักษณะที่ว่า ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 จะ ได้รับการสอดแทรกเข้าในลักษณะอนุกรมกับส่วนที่มีความสามารถของการวัดกระแสเอาต์พุตของ ส่วนแหล่งกำเนิดกำลัง 1 ชนิดทิศทางเดียวของเครื่องให้ความร้อนความถี่สูง และแรงดันซึ่งได้รับการ กำเนิดขึ้นมา ณ ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 นี้จะได้รับการเอาต์พุตออกมาโดยบัฟเฟอร์ 31 นอกจากนี้ ต่อไปอีกนั้น จะใช้วงจรขยายเชิงดำเนินการ 3101 ที่มีอิมพีแดนซ์อินพุตสูงสำหรับบัฟเฟอร์ 31 นี้ นอกจากนี้ต่อไปอีกนั้น วงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 และองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 จะได้รับการยึดตรึงเข้ากับแผ่นแผ่ความร้อน 33 แผ่นเดียวกัน แผ่นแผ่ความร้อน 33 นี้จะได้รับ การก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยส่วนรอยบาก 33a ด้วยเหตุนี้ เพื่อทำให้เป็นการแน่นอนถึงระยะห่างการ ฉนวนกับวงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 และองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 นี้ และจัด ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 นี้ไว้บนแนวเส้นตรงเดียวกันกับแนวเส้นตรงระหว่างวงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 กับองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 นี้ มีระบบก่อตั้งซึ่งได้รับการประกอบสร้างขึ้นมา ในลักษณะที่ว่า ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 จะ ได้รับการสอดแทรกเข้าในลักษณะอนุกรมกับส่วนที่มีความสามารถของการวัดกระแสเอาต์พุตของ ส่วนแหล่งกำเนิดกำลัง 1 ชนิดทิศทางเดียวของเครื่องให้ความร้อนความถี่สูง และแรงดันซึ่งได้รับการ กำเนิดขึ้นมา ณ ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 นี้จะได้รับการเอาต์พุตออกมาโดยบัฟเฟอร์ 31 นอกจากนี้ ต่อไปอีกนั้น จะใช้วงจรขยายเชิงดำเนินการ 3101 ที่มีอิมพีแดนซ์อินพุตสูงสำหรับบัฟเฟอร์ 31 นี้ นอกจากนี้ต่อไปอีกนั้น วงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 และองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 จะได้รับการยึดตรึงเข้ากับแผ่นแผ่ความร้อน 33 แผ่นเดียวกัน แผ่นแผ่ความร้อน 33 นี้จะได้รับ การก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยส่วนรอยบาก 33a ด้วยเหตุนี้ เพื่อทำให้เป็นการแน่นอนถึงระยะห่างการ ฉนวนกับวงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 และองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 นี้ และจัด ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 นี้ไว้บนแนวเส้นตรงเดียวกันกับแนวเส้นตรงระหว่างวงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 กับองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 นี้

Claims (8)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง ซึ่งประกอบรวมด้วย: ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวสำหรับการแปลงผันแหล่งกำเนิดกำลังเชิงพาณิชย์ ให้เป็นชนิดทิศทางเดียว; องค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น; ส่วนอินเวอร์เตอร์สำหรับการแปลงผันกำลังจากส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียว ให้เป็นกำลังที่มีความถี่สูงโดยการทำให้องค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็น สถานะออน/ออฟฟ์; หม้อแปลงบูสต์สำหรับการเพิ่มแรงดันเอาต์พุตของส่วนอินเวอร์เตอร์นี้; ส่วนการเรียงกระแสตรงชนิดแรงดันสูงสำหรับการเรียงกระแสตรงชนิดทวีแรงดันให้ก้น แรงดันเอาต์ของหม้อแปลงบูสต์ดังกล่าว; แมกนีตรอนสำหรับการฉายรังสีของเอาต์พุตของส่วนการเรียงกระแสตรงชนิดแรงดันสูง นี้ดังว่าเป็นคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า; ตัวต้านทานแบบชันต์ซึ่งได้รับการเชื่อมต่ออย่างทางไฟฟ้าในลักษณะอนุกรมเข้ากับส่วนที่มี ความสามารถของการวัดกระแสเอาต์พุตของส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวนี้; บัฟเฟอร์สำหรับการเอาต์พุตแรงดันที่กำเนิดขึ้นมาโดยการทำให้กระแสไฟฟ้าไหลไปยัง ตัวต้านทานแบบชันต์นี้; และ ส่วนควบคุมสำหรับการควบคุมสถานะออน/ออฟฟ์ขององค์ประกอบการสวิตซ์ชนิด สารกึ่งตัวนำนี้ เพื่อควบคุมเอาต์พุตของบัฟเฟอร์นี้ให้เป็นค่าที่กำหนดไว้แล้วล่วงหน้าอย่างตลอดเวลา บัฟเฟอร์ดังกล่าวได้รับการจัดเตรียมขึ้นมาพร้อมด้วยวงจรขยายเชิงดำเนินการที่มีอิมพีแดนซ์ อินพุตสูง และตัวต้านทานแบบชันต์ได้รับการสอดแทรกเข้าระหว่างปลายด้านอินพุตของวงจรขยาย เชิงดำเนินการนี้โดยผ่านองค์ประกอบตัวต้านทาน 2. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิด ทิศทางเดียวนี้ดังกล่าวรวมถึงองค์ประกอบการเรียงกระแสตรงสำหรับการเรียงกระแสตรงแบบ เต็มคลื่นให้กับแหล่งกำเนิดกำลังชนิดกระแสสลับ องค์ประกอบการเรียงกระแสตรงดังกล่าวและ องค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวได้รับการติดเข้ากับแผ่นแผ่ความร้อนแผ่นเดียวกัน แผ่นแผ่ความร้อนนี้ได้รับการก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยส่วนรอยบากเพื่อที่จะทำให้เป็นการแน่นอนถึง ระยะห่างที่คงตัวระหว่างขั้วต่อแต่ละขั้นต่อขององค์ประกอบการเรียงกระแสตรงนี้และองค์ประกอบ การสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำและแผ่นแผ่ความร้อนนี้ และตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าวได้รับ การจัดให้อยู่ระหว่างองค์ประกอบการเรียงกระแสตรงกับองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำนี้ ณ บริเวณใกล้เคียงกับแผ่นแผ่ความร้อนนี้และได้รับการจัดวางแนวอยู่บนแนวเส้นตรงเดียวกันกับ แนวเส้นตรงซึ่งองค์ประกอบการเรียงกระแสตรงและองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำนี้ถูกจัด อยู่บนนั้น 3. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์นี้ได้รับ การจัดให้อยู่ข้างในของส่วนรอยบากของแผ่นแผ่ความร้อนนี้ 4. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว เป็นเส้นลวดที่เป็นตัวต้านทานแบบเปลือย 5. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์นี้ได้รับ การจัดให้อยู่ตามแนววิถีลมของลมระบายความร้อนที่ไหลข้างบนแผงวงจรนี้ 6. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งตัวตานทานแบบชันต์ดังกล่าวได้ รับการจัดให้อยู่ในทิศทางซึ่งทำให้เกิดพื้นที่ของตัวต้านทานซึ่งลมระบายความร้อนได้รับการเป่า ลงบนนั้นน้อยที่สุด 7. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งตัวต้านทานชนิดซีเมนต์สำหรับ การทำให้แรงดันของแหล่งกำเนิดกำลังเชิงพาณิชย์นี้ลดลงเป็นแรงดันที่กำหนดไว้แล้วล่วงหน้านั้นได้ รับการจัดให้อยู่ในทิศทางที่ตัดกันอย่างเป็นสำคัญกับวิถีลมของลมระบายความร้อนนี้ 8. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งตัวต้านทานชนิดซีเมนต์ดังกล่าว ได้รับการจัดให้อยู่บนด้านปลายทางของลมของตัวต้านทานแบบชันต์นี้ 9. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดย ยังประกอบรวมต่อไปอีกด้วยตัวต้านทานชนิดซีเมนต์สำหรับการทำให้แรงดันของแหล่งกำเนิดกำลัง เชิงพาณิชย์นี้ลดลงเป็นแรงดันที่กำหนดไว้แล้วล่วงหน้า ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าวได้รับการจัดให้อยู่บนแผงวงจรดังกล่าวตามแนววิธีลม ของลมระบายความร้อนซึ่งไหลข้างบนแผงวงจรนี้ และต้านทานชนิดซีเมนต์ดังกล่าวได้รับ การจัดให้อยู่ในระวางที่ซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างครีบระบายความร้อนซึ่งได้รับการติดเข้ากับ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่กำเนิดความร้อนและหม้อแปลงบูสต์นี้ และ ณ ตำแหน่งที่ได้รับ การระบายความร้อนโดยลมระบายความร้อนซึ่งไหลในช่องว่างที่ก่อรูปขึ้นมาระหว่างหม้อแปลงบูสต์ และแผงวงจรพิมพ์นี้ 1 0. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งตัวต้านทานชนิดซีเมนต์ดังกล่าว ได้รับการจัดให้อยู่ในทิศทางที่ตัดกันอย่างเป็นสำคัญกับวิถีลมของลมระบายความร้อนนี้ 1
1. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าวได้ รับการจัดให้อยู่ ณ รูทะลุที่นำไฟฟ้าบนแผงวงจร 1
2. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว เป็นเส้นลวดที่เป็นตัวต้านทานแบบเปลือย และรูทะลุที่นำไฟฟ้าดังกล่าวซึ่งอยู่ข้างบนแผงวงจร ดังกล่าวเป็นปลอกอายเลท 1
3. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว ได้รับการจัดให้มีขึ้นมาพร้อมด้วยส่วนที่นำไฟฟ้า ณ บริเวณล้อมรอบและ ณ ผิวหน้าทั้งสองผิวหน้า ของรูทะลุบนแผงวงจรดังกล่าว 1
4. วิธีการของการประกอบติดตัวต้านทานแบบชันต์ในเครื่องให้ความร้อนความถี่สูง เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงดังกล่าวประกอบรวมด้วย: ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียว สำหรับการแปลงผันแหล่งกำเนิดกำลังเชิงพาณิชย์ให้เป็นชนิดทิศทางเดียว; ส่วนอินเวอร์เตอร์ซึ่ง รวมถึงองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นสำหรับการแปลงผันกำลังจาก ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวให้เป็นกำลังที่มีความถี่สูงโดยการทำให้องค์ประกอบ การสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นสถานะออน/ออฟฟ์ ตัวต้านทานแบบชันต์สำหรับการวัด กระแสเอาต์พุตของส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวดังกล่าว ซึงวิธีการดังกล่าวประกอบรวม ด้วยขั้นตอนของ: การจัดอย่างอิสระขององค์ประกอบการเรียงกระแสตรงและองค์ประกอบการสวิตช์ชนิด สารกึ่งตัวนำนี้บนแนวเส้นตรงเดียวกันบนแผงวงจรพิมพ์นี้ และองค์ประกอบการเรียงกระแสตรง ดังกล่าวถูกใช้สำหรับการเรียงกระแสตรงแบบเต็มคลื่นซึ่งเรียงกระแสตรงให้กับแหล่งกำเนิดกำลัง ชนิดกระแสสลับของส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวนี้; และ การจัดตัวต้านทานแบบชันต์ให้อยู่ระหว่างองค์ประกอบการเรียงกระแสตรงดังกล่าวและ องค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวและบนแนวเส้นตรงเดียวกันกับแนวเส้นตรงซึ่ง องค์ประกอบการเรียงกระแสตรงและองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำนี้ถูกจัดอยู่บนนั้น 1
5. วิธีการของการประกอบติดตัวต้านทานแบบชันต์ในเครื่องให้ความร้อนความถี่สูง เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงดังกล่าวประกอบรวมด้วย: ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียว สำหรับการแปลงผันแหล่งกำเนิดกำลังเชิงพาณิชย์ให้เป็นชนิดทิศทางเดียว, ส่วนอินเวอร์เตอร์ซึ่ง รวมถึงองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นสำหรับการแปลงผันกำลังจาก ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวให้เป็นกำลังที่มีความถี่สุงโดยการทำให้องค์ประกอบ การสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นสถานะออน/ออฟฟ์; ตัวต้านทานแบบชันต์สำหรับการวัด กระแสเอาต์พุตของส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวดังกล่าว ซึ่งวิธีการดังกล่าวประกอบรวม ด้วยขั้นตอนของ: การสอดใส่ตัวต้านทานแบบชันต์ซึ่งเป็นเส้นลวดที่เป็นตัวต้านทานแบบเปลือยเข้าในรูทะลุ ที่นำไฟฟ้าบนแผงวงจร; และ การพับติดตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว เพื่อยึดตรึงตัวต้านทานแบบชันต์เข้ากับแผงวงจรนี้ 1
6. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง ซึ่งประกอบรวมด้วย: ส่วนการเรียงกระแสตรงและการทำให้ราบเรียบสำหรับการกำเนิดแรงดันของแหล่งกำเนิด กำลังของอินเวอร์เตอร์จากแหล่งกำเนิดกำลังเชิงพาณิชย์นี้; ส่วนอินเวอร์เตอร์ซึ่งรวมถึงองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำสำหรับ การแปลงผันกำลังจากส่วนการเรียงกระแสตรงและการทำให้ราบเรียบนี้ให้เป็นกำลังที่มีความถี่สูง โดยการทำให้องค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำนี้เป็นสถานะ ออน/ออฟฟ์; ตัวต้านทานแบบชันต์สำหรับการตรวจหากระแสอินพุตที่ไหลจากส่วนการเรียงกระแสตรง และการทำให้ราบเรียบไปยังสว่นอินเวอร์เตอร์นี้; ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดกระแสตรงซึ่งรวมถึงไดโอดซีเนอร์สำหรับการกำเนิดแหล่ง กำเนิดกำลังชนิดกระแสตรง; ส่วนการกำเนิดค่าอ้างอิงสำหรับการกำเนิดค่าอ้างอิง ซึ่งกระแสอินพุตจากแหล่งกำเนิดกำลัง ชนิดกระแสตรงที่กำเนิดขึ้นมาโดยส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดกระแสตรงนี้ได้รับการควบคุมให้เป็น ค่าคงตัวโดยส่วนนั้น; และ ส่วนควบคุมสำหรับการคำนวณหาผลต่างระหว่างค่าอ้างอิงดังกล่าวและค่าของกระแสอินพุต ดังกล่าวซึ่งมีพื้นฐาบนค่าอ้างซึ่งได้รับการกำเนิดขึ้นมาโดยส่วนการกำเนิดค่าอ้างอิงนี้ และ การควบคุมส่วนอินเวอร์เตอร์นี้โดยอย่างน้อยที่สุดการเติมผลต่างระหว่างค่าอ้างอิงดังกล่าวและค่าของ กระแสอินพุตดังกล่าวบนแผงวงจรพิมพ์ ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์นี้มีลักษณะสมบัติทางอุณหภูมิซึ่งเหมือนกันหรือใกล้เคียงกันกับ ลักษณะสมบัติทางอุณหภูมิของไดโอดซีเนอร์นี้ 1
7. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว ได้รับการจัดให้อยู่ ณ บริเวณใกล้กันกับไดโอดซีเนอร์บนแผงวงจรพิมพ์นี้ 1
8. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธ่ิข้อ 16 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว ได้รับการจัดให้อยู่บนแผงวงจรพิมพ์นี้ และ ณ ตำแหน่งภายในบรรยากาศทางอุณหภูมิซึ่งใกล้เคียงกับ บรรยากาศทางอุณหภูมิ ณ ตำแหน่งในที่ซึ่งไดโอดซีเนอร์นี้ได้รับการจัดให้อยู่ที่ตำแหน่งนั้น
TH401001295A 2004-04-09 เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง TH35195B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH65130A TH65130A (th) 2004-11-24
TH35195B true TH35195B (th) 2013-03-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8610358B2 (en) Electrostatic discharge protection for luminaire
US20120205362A1 (en) Electric Heater and Assembly Therefor
JP4657382B1 (ja) 電源回路
US10749414B2 (en) Motor driving device and air conditioner
JP2020150108A (ja) トランス、電源装置および医療システム
JP2000091884A (ja) 電子回路装置
Jorgensen et al. A SiC MOSFET power module with integrated gate drive for 2.5 MHz class E resonant converters
KR100989329B1 (ko) 고주파 가열장치
JP4015598B2 (ja) 高周波加熱装置
Górecki et al. Investigations on the influence of selected factors on thermal parameters of impulse-transformers
TH35195B (th) เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง
TH65130A (th) เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง
CN100539772C (zh) 高频加热装置
KR101064408B1 (ko) 인덕션 가열 방식의 전기 온풍기
JP2004327124A (ja) サーミスタ付きプリント基板
JP4109311B2 (ja) 高周波加熱装置
JP4479526B2 (ja) マイクロ波発生装置
JP4015597B2 (ja) 高周波加熱装置
EP3461229B1 (en) Induction cooking hob
Kulkarni et al. Thermal model for paralleled surface-mount power MOSFETs
JP4001078B2 (ja) 高周波加熱装置
JPH08251730A (ja) 配電盤
KR20160086200A (ko) 방열기 및 상기 방열기를 포함한 장치
Rehm et al. A Non-Resonant Multi-Output Half-Bridge Inverter for Flexible Cooking Surfaces
JPS62146Y2 (th)