TH35195B - เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง - Google Patents
เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงInfo
- Publication number
- TH35195B TH35195B TH401001295A TH0401001295A TH35195B TH 35195 B TH35195 B TH 35195B TH 401001295 A TH401001295 A TH 401001295A TH 0401001295 A TH0401001295 A TH 0401001295A TH 35195 B TH35195 B TH 35195B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- shunt resistor
- semiconductor
- type
- power source
- section
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (06/07/47) มีระบบก่อตั้งซึ่งได้รับการประกอบสร้างขึ้นมา ในลักษณะที่ว่า ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 จะ ได้รับการสอดแทรกเข้าในลักษณะอนุกรมกับส่วนที่มีความสามารถของการวัดกระแสเอาต์พุตของ ส่วนแหล่งกำเนิดกำลัง 1 ชนิดทิศทางเดียวของเครื่องให้ความร้อนความถี่สูง และแรงดันซึ่งได้รับการ กำเนิดขึ้นมา ณ ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 นี้จะได้รับการเอาต์พุตออกมาโดยบัฟเฟอร์ 31 นอกจากนี้ ต่อไปอีกนั้น จะใช้วงจรขยายเชิงดำเนินการ 3101 ที่มีอิมพีแดนซ์อินพุตสูงสำหรับบัฟเฟอร์ 31 นี้ นอกจากนี้ต่อไปอีกนั้น วงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 และองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 จะได้รับการยึดตรึงเข้ากับแผ่นแผ่ความร้อน 33 แผ่นเดียวกัน แผ่นแผ่ความร้อน 33 นี้จะได้รับ การก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยส่วนรอยบาก 33a ด้วยเหตุนี้ เพื่อทำให้เป็นการแน่นอนถึงระยะห่างการ ฉนวนกับวงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 และองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 นี้ และจัด ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 นี้ไว้บนแนวเส้นตรงเดียวกันกับแนวเส้นตรงระหว่างวงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 กับองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 นี้ มีระบบก่อตั้งซึ่งได้รับการประกอบสร้างขึ้นมา ในลักษณะที่ว่า ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 จะ ได้รับการสอดแทรกเข้าในลักษณะอนุกรมกับส่วนที่มีความสามารถของการวัดกระแสเอาต์พุตของ ส่วนแหล่งกำเนิดกำลัง 1 ชนิดทิศทางเดียวของเครื่องให้ความร้อนความถี่สูง และแรงดันซึ่งได้รับการ กำเนิดขึ้นมา ณ ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 นี้จะได้รับการเอาต์พุตออกมาโดยบัฟเฟอร์ 31 นอกจากนี้ ต่อไปอีกนั้น จะใช้วงจรขยายเชิงดำเนินการ 3101 ที่มีอิมพีแดนซ์อินพุตสูงสำหรับบัฟเฟอร์ 31 นี้ นอกจากนี้ต่อไปอีกนั้น วงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 และองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 จะได้รับการยึดตรึงเข้ากับแผ่นแผ่ความร้อน 33 แผ่นเดียวกัน แผ่นแผ่ความร้อน 33 นี้จะได้รับ การก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยส่วนรอยบาก 33a ด้วยเหตุนี้ เพื่อทำให้เป็นการแน่นอนถึงระยะห่างการ ฉนวนกับวงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 และองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 นี้ และจัด ตัวต้านทานแบบชันต์ 30 นี้ไว้บนแนวเส้นตรงเดียวกันกับแนวเส้นตรงระหว่างวงจรไดโอดแบบบริดจ์ 101 กับองค์ประกอบการสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำ 205 นี้
Claims (8)
1. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าวได้ รับการจัดให้อยู่ ณ รูทะลุที่นำไฟฟ้าบนแผงวงจร 1
2. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว เป็นเส้นลวดที่เป็นตัวต้านทานแบบเปลือย และรูทะลุที่นำไฟฟ้าดังกล่าวซึ่งอยู่ข้างบนแผงวงจร ดังกล่าวเป็นปลอกอายเลท 1
3. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว ได้รับการจัดให้มีขึ้นมาพร้อมด้วยส่วนที่นำไฟฟ้า ณ บริเวณล้อมรอบและ ณ ผิวหน้าทั้งสองผิวหน้า ของรูทะลุบนแผงวงจรดังกล่าว 1
4. วิธีการของการประกอบติดตัวต้านทานแบบชันต์ในเครื่องให้ความร้อนความถี่สูง เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงดังกล่าวประกอบรวมด้วย: ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียว สำหรับการแปลงผันแหล่งกำเนิดกำลังเชิงพาณิชย์ให้เป็นชนิดทิศทางเดียว; ส่วนอินเวอร์เตอร์ซึ่ง รวมถึงองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นสำหรับการแปลงผันกำลังจาก ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวให้เป็นกำลังที่มีความถี่สูงโดยการทำให้องค์ประกอบ การสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นสถานะออน/ออฟฟ์ ตัวต้านทานแบบชันต์สำหรับการวัด กระแสเอาต์พุตของส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวดังกล่าว ซึงวิธีการดังกล่าวประกอบรวม ด้วยขั้นตอนของ: การจัดอย่างอิสระขององค์ประกอบการเรียงกระแสตรงและองค์ประกอบการสวิตช์ชนิด สารกึ่งตัวนำนี้บนแนวเส้นตรงเดียวกันบนแผงวงจรพิมพ์นี้ และองค์ประกอบการเรียงกระแสตรง ดังกล่าวถูกใช้สำหรับการเรียงกระแสตรงแบบเต็มคลื่นซึ่งเรียงกระแสตรงให้กับแหล่งกำเนิดกำลัง ชนิดกระแสสลับของส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวนี้; และ การจัดตัวต้านทานแบบชันต์ให้อยู่ระหว่างองค์ประกอบการเรียงกระแสตรงดังกล่าวและ องค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวและบนแนวเส้นตรงเดียวกันกับแนวเส้นตรงซึ่ง องค์ประกอบการเรียงกระแสตรงและองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำนี้ถูกจัดอยู่บนนั้น 1
5. วิธีการของการประกอบติดตัวต้านทานแบบชันต์ในเครื่องให้ความร้อนความถี่สูง เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงดังกล่าวประกอบรวมด้วย: ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียว สำหรับการแปลงผันแหล่งกำเนิดกำลังเชิงพาณิชย์ให้เป็นชนิดทิศทางเดียว, ส่วนอินเวอร์เตอร์ซึ่ง รวมถึงองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นสำหรับการแปลงผันกำลังจาก ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวให้เป็นกำลังที่มีความถี่สุงโดยการทำให้องค์ประกอบ การสวิตช์ชนิดสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นสถานะออน/ออฟฟ์; ตัวต้านทานแบบชันต์สำหรับการวัด กระแสเอาต์พุตของส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดทิศทางเดียวดังกล่าว ซึ่งวิธีการดังกล่าวประกอบรวม ด้วยขั้นตอนของ: การสอดใส่ตัวต้านทานแบบชันต์ซึ่งเป็นเส้นลวดที่เป็นตัวต้านทานแบบเปลือยเข้าในรูทะลุ ที่นำไฟฟ้าบนแผงวงจร; และ การพับติดตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว เพื่อยึดตรึงตัวต้านทานแบบชันต์เข้ากับแผงวงจรนี้ 1
6. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง ซึ่งประกอบรวมด้วย: ส่วนการเรียงกระแสตรงและการทำให้ราบเรียบสำหรับการกำเนิดแรงดันของแหล่งกำเนิด กำลังของอินเวอร์เตอร์จากแหล่งกำเนิดกำลังเชิงพาณิชย์นี้; ส่วนอินเวอร์เตอร์ซึ่งรวมถึงองค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำสำหรับ การแปลงผันกำลังจากส่วนการเรียงกระแสตรงและการทำให้ราบเรียบนี้ให้เป็นกำลังที่มีความถี่สูง โดยการทำให้องค์ประกอบการสวิตซ์ชนิดสารกึ่งตัวนำนี้เป็นสถานะ ออน/ออฟฟ์; ตัวต้านทานแบบชันต์สำหรับการตรวจหากระแสอินพุตที่ไหลจากส่วนการเรียงกระแสตรง และการทำให้ราบเรียบไปยังสว่นอินเวอร์เตอร์นี้; ส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดกระแสตรงซึ่งรวมถึงไดโอดซีเนอร์สำหรับการกำเนิดแหล่ง กำเนิดกำลังชนิดกระแสตรง; ส่วนการกำเนิดค่าอ้างอิงสำหรับการกำเนิดค่าอ้างอิง ซึ่งกระแสอินพุตจากแหล่งกำเนิดกำลัง ชนิดกระแสตรงที่กำเนิดขึ้นมาโดยส่วนแหล่งกำเนิดกำลังชนิดกระแสตรงนี้ได้รับการควบคุมให้เป็น ค่าคงตัวโดยส่วนนั้น; และ ส่วนควบคุมสำหรับการคำนวณหาผลต่างระหว่างค่าอ้างอิงดังกล่าวและค่าของกระแสอินพุต ดังกล่าวซึ่งมีพื้นฐาบนค่าอ้างซึ่งได้รับการกำเนิดขึ้นมาโดยส่วนการกำเนิดค่าอ้างอิงนี้ และ การควบคุมส่วนอินเวอร์เตอร์นี้โดยอย่างน้อยที่สุดการเติมผลต่างระหว่างค่าอ้างอิงดังกล่าวและค่าของ กระแสอินพุตดังกล่าวบนแผงวงจรพิมพ์ ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์นี้มีลักษณะสมบัติทางอุณหภูมิซึ่งเหมือนกันหรือใกล้เคียงกันกับ ลักษณะสมบัติทางอุณหภูมิของไดโอดซีเนอร์นี้ 1
7. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว ได้รับการจัดให้อยู่ ณ บริเวณใกล้กันกับไดโอดซีเนอร์บนแผงวงจรพิมพ์นี้ 1
8. เครื่องให้ความร้อนความถี่สูงตามข้อถือสิทธ่ิข้อ 16 ที่ซึ่งตัวต้านทานแบบชันต์ดังกล่าว ได้รับการจัดให้อยู่บนแผงวงจรพิมพ์นี้ และ ณ ตำแหน่งภายในบรรยากาศทางอุณหภูมิซึ่งใกล้เคียงกับ บรรยากาศทางอุณหภูมิ ณ ตำแหน่งในที่ซึ่งไดโอดซีเนอร์นี้ได้รับการจัดให้อยู่ที่ตำแหน่งนั้น
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH65130A TH65130A (th) | 2004-11-24 |
TH35195B true TH35195B (th) | 2013-03-01 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8610358B2 (en) | Electrostatic discharge protection for luminaire | |
US20120205362A1 (en) | Electric Heater and Assembly Therefor | |
JP4657382B1 (ja) | 電源回路 | |
US10749414B2 (en) | Motor driving device and air conditioner | |
JP2020150108A (ja) | トランス、電源装置および医療システム | |
JP2000091884A (ja) | 電子回路装置 | |
Jorgensen et al. | A SiC MOSFET power module with integrated gate drive for 2.5 MHz class E resonant converters | |
KR100989329B1 (ko) | 고주파 가열장치 | |
JP4015598B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
Górecki et al. | Investigations on the influence of selected factors on thermal parameters of impulse-transformers | |
TH35195B (th) | เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง | |
TH65130A (th) | เครื่องให้ความร้อนความถี่สูง | |
CN100539772C (zh) | 高频加热装置 | |
KR101064408B1 (ko) | 인덕션 가열 방식의 전기 온풍기 | |
JP2004327124A (ja) | サーミスタ付きプリント基板 | |
JP4109311B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
JP4479526B2 (ja) | マイクロ波発生装置 | |
JP4015597B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
EP3461229B1 (en) | Induction cooking hob | |
Kulkarni et al. | Thermal model for paralleled surface-mount power MOSFETs | |
JP4001078B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
JPH08251730A (ja) | 配電盤 | |
KR20160086200A (ko) | 방열기 및 상기 방열기를 포함한 장치 | |
Rehm et al. | A Non-Resonant Multi-Output Half-Bridge Inverter for Flexible Cooking Surfaces | |
JPS62146Y2 (th) |