TH23189A - วิธีการผลิตของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยเรซินหล่อที่ผนึกหุ้มชิปสารกึ่งตัวนำ - Google Patents
วิธีการผลิตของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยเรซินหล่อที่ผนึกหุ้มชิปสารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH23189A TH23189A TH9601000671A TH9601000671A TH23189A TH 23189 A TH23189 A TH 23189A TH 9601000671 A TH9601000671 A TH 9601000671A TH 9601000671 A TH9601000671 A TH 9601000671A TH 23189 A TH23189 A TH 23189A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- resin
- cast resin
- semiconductor device
- manufacturing
- cast
- Prior art date
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 238000004018 waxing Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
Abstract
การประดิษฐ์นี้จัดเตรียมวิธีการสำหรับการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีเรซินหล่อที่ผนึกหุ้มชิป สารกึ่งตัวนำและสายนำภายนอก ที่ยื่นออกมาจากเรซินหล่อนี้ออกมาด้านนอก ที่มีเรซินส่วนเกินที่ ฉายจาก ส่วนขอบของเรซินหล่อจะได้รับการนำออกหลังจาก ขั้นตอนการผนึกหุ้มเรซิน และแผ่นฟิล์มแว๊กซ์จะได้รับการ จัดรูป ใหม่บนพื้นผิวที่แตกและส่วนรอยแตกของเรซินหล่อที่เกิดขึ้น ในขั้นตอนการนำเรซินส่วนเกินออกโดยการ ทำให้เรซินหล่อร้อนขึ้นจนถึงอุณหภูมิที่กำหนดไว้แล้วล่วงหน้า หลัง จากการนำแท่งต่อโยงออกจากสายนำภาย นอก ซึ่งโดยการ เติบโตอย่างผิดปกติของการบัดกรีระหว่างสายนำภายนอก ในขบวนการชุบแบบบัดกรีตามลำดับ จะได้รับการป้องกัน และ ความเสียหายที่มีสาเหตุจากการลัดวงจรในระหว่างขั้วต่อ จะได้รับป้องกันนั่นเอง
Claims (1)
1. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ จะประกอบด้วย ขั้นตอนการผนึกหุ้มเรซินของการผนึกซิปสารกึ่งตัวนำ ด้วยเรซิน ขั้นตอนการนำเรซินของการนำเรซินระหว่างสาร นำภายนอกออก ขั้นตอนการนำแท่งต่อโยงออกของการนำแท่งต่อโยงที่ เชื่อมต่อระหว่างสายนำภายนอกดังกล่าว ออก ขั้นตอนการทำให้ร้อนของการทำให้เรซินดังกล่าวร้อน ขึ้นและการเร่งการทำให้แข็งตัวของเรซิน ดังกล่าวและ การจัดรูปขององค์ประกอบแว๊กซ์บนพื้นผิวของเรซินดังกล่าว และ แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH23189A true TH23189A (th) | 1997-01-21 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3930114A (en) | Integrated circuit package utilizing novel heat sink structure | |
| US6537856B2 (en) | Method of attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip and packages formed thereby | |
| KR900007230B1 (ko) | 반도체 장치용 리드프레임 | |
| MY113986A (en) | Method for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules | |
| JPH06252316A (ja) | リードフレーム上へのプラスチック部材の形成方法 | |
| JP2000040775A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN1106689C (zh) | 半导体封装引线去边方法 | |
| US20040245653A1 (en) | Flip chip package having protective cap and method of fabricating the same | |
| US5445995A (en) | Method for manufacturing plastic-encapsulated semiconductor devices with exposed metal heat sink | |
| US6331728B1 (en) | High reliability lead frame and packaging technology containing the same | |
| US3978516A (en) | Lead frame assembly for a packaged semiconductor microcircuit | |
| EP0430204B1 (en) | Plastic mould type semiconductor device | |
| US5036381A (en) | Multiple electronic devices within a single carrier structure | |
| TH23189A (th) | วิธีการผลิตของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยเรซินหล่อที่ผนึกหุ้มชิปสารกึ่งตัวนำ | |
| EP0438742B1 (en) | Method of fabricating a semiconductor device of thin package type | |
| JPS6223097Y2 (th) | ||
| US3876461A (en) | Semiconductor process | |
| JP2813588B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR940006580B1 (ko) | 접착리드를 이용한 반도체 패키지 구조 및 그 제조방법 | |
| KR100258852B1 (ko) | 반도체 패키지의 제조 방법 | |
| KR100306230B1 (ko) | 반도체 패키지 구조 | |
| JP3035634B2 (ja) | 電子機器の基板製造方法 | |
| JP3287327B2 (ja) | 半導体樹脂封止パッケージの製造方法 | |
| KR0145766B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR960004102B1 (ko) | 반도체 소자의 솔더지그 |