TH23189A - Manufacturing method of a semiconductor device consisting of a cast resin hermetically sealed in a semiconductor chip. - Google Patents

Manufacturing method of a semiconductor device consisting of a cast resin hermetically sealed in a semiconductor chip.

Info

Publication number
TH23189A
TH23189A TH9601000671A TH9601000671A TH23189A TH 23189 A TH23189 A TH 23189A TH 9601000671 A TH9601000671 A TH 9601000671A TH 9601000671 A TH9601000671 A TH 9601000671A TH 23189 A TH23189 A TH 23189A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
resin
cast resin
semiconductor device
manufacturing
cast
Prior art date
Application number
TH9601000671A
Other languages
Thai (th)
Inventor
ฮิเดโนริเตรูยามา นาย
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีอเนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นาย ดำเนินการเด่น
นาย ต่อพงศ์โทณะวณิก
นาย วิรัชศรีเอนกราธา
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีอเนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นาย ดำเนินการเด่น, นาย ต่อพงศ์โทณะวณิก, นาย วิรัชศรีเอนกราธา filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH23189A publication Critical patent/TH23189A/en

Links

Abstract

การประดิษฐ์นี้จัดเตรียมวิธีการสำหรับการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีเรซินหล่อที่ผนึกหุ้มชิป สารกึ่งตัวนำและสายนำภายนอก ที่ยื่นออกมาจากเรซินหล่อนี้ออกมาด้านนอก ที่มีเรซินส่วนเกินที่ ฉายจาก ส่วนขอบของเรซินหล่อจะได้รับการนำออกหลังจาก ขั้นตอนการผนึกหุ้มเรซิน และแผ่นฟิล์มแว๊กซ์จะได้รับการ จัดรูป ใหม่บนพื้นผิวที่แตกและส่วนรอยแตกของเรซินหล่อที่เกิดขึ้น ในขั้นตอนการนำเรซินส่วนเกินออกโดยการ ทำให้เรซินหล่อร้อนขึ้นจนถึงอุณหภูมิที่กำหนดไว้แล้วล่วงหน้า หลัง จากการนำแท่งต่อโยงออกจากสายนำภาย นอก ซึ่งโดยการ เติบโตอย่างผิดปกติของการบัดกรีระหว่างสายนำภายนอก ในขบวนการชุบแบบบัดกรีตามลำดับ จะได้รับการป้องกัน และ ความเสียหายที่มีสาเหตุจากการลัดวงจรในระหว่างขั้วต่อ จะได้รับป้องกันนั่นเอง The invention provides a method for manufacturing a semiconductor device with a sealed, chip-enclosed cast resin. Semiconductors and external conductors This protrusion of the cast resin comes outward. With excess resin projected from the edge of the cast resin will be removed after Resin sealing process And the wax film is reshaped on the cracked surface and the cast resin cracks are formed. In the process of removing excess resin by Heats the cast resin to a pre-determined temperature after removing the connecting rod from the external leads by abnormal growth of solder between the external leads In the solder plating process, respectively Will be prevented and damage caused by a short circuit between the terminals. Will be protected there

Claims (1)

1. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ จะประกอบด้วย ขั้นตอนการผนึกหุ้มเรซินของการผนึกซิปสารกึ่งตัวนำ ด้วยเรซิน ขั้นตอนการนำเรซินของการนำเรซินระหว่างสาร นำภายนอกออก ขั้นตอนการนำแท่งต่อโยงออกของการนำแท่งต่อโยงที่ เชื่อมต่อระหว่างสายนำภายนอกดังกล่าว ออก ขั้นตอนการทำให้ร้อนของการทำให้เรซินดังกล่าวร้อน ขึ้นและการเร่งการทำให้แข็งตัวของเรซิน ดังกล่าวและ การจัดรูปขององค์ประกอบแว๊กซ์บนพื้นผิวของเรซินดังกล่าว และ แท็ก :1. The semiconductor device manufacturing method consists of the resin encapsulation process of the resin semiconductor zipper sealing process, the resin removal process between the external ejector, the linkage removal process, the linkage removal process. that The connection between such external leads exits the heating process of heating the resin. And acceleration of the solidification of such resins and the formation of waxing elements on the surface of such resins and tags:
TH9601000671A 1996-03-06 Manufacturing method of a semiconductor device consisting of a cast resin hermetically sealed in a semiconductor chip. TH23189A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH23189A true TH23189A (en) 1997-01-21

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1040747A (en) Integrated circuit package utilizing novel heat sink structure
US6537856B2 (en) Method of attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip and packages formed thereby
MY113986A (en) Method for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules
US20060255471A1 (en) Flip chip package having protective cap and method of fabricating the same
JPS6396947A (en) Lead frame semiconductor device
US5700723A (en) Method of packaging an integrated circuit
JPH06252316A (en) Method for forming plastic member on lead frame
JPH1065086A (en) Method for removing casting burr of semiconductor package
US6331728B1 (en) High reliability lead frame and packaging technology containing the same
US3978516A (en) Lead frame assembly for a packaged semiconductor microcircuit
US5036381A (en) Multiple electronic devices within a single carrier structure
TH23189A (en) Manufacturing method of a semiconductor device consisting of a cast resin hermetically sealed in a semiconductor chip.
EP0438742B1 (en) Method of fabricating a semiconductor device of thin package type
JPS6223097Y2 (en)
US3876461A (en) Semiconductor process
JP2813588B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100258852B1 (en) Manufacturing method of semiconductor package
KR100306230B1 (en) Semiconductor package structure
JP3035634B2 (en) Electronic device substrate manufacturing method
JPH07249707A (en) Semiconductor package
KR0145766B1 (en) Semiconductor package and the manufacture method thereof
KR960004102B1 (en) Solder jig of semiconductor element
JP3287327B2 (en) Manufacturing method of semiconductor resin sealed package
KR0176113B1 (en) Lead frame and semiconductor package
JPS59202653A (en) Sealing method of semiconductor element