TH21764A - ระบบ mbe และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ผลิตขึ้นโดยใช้ระบบนี้ - Google Patents

ระบบ mbe และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ผลิตขึ้นโดยใช้ระบบนี้

Info

Publication number
TH21764A
TH21764A TH9501002261A TH9501002261A TH21764A TH 21764 A TH21764 A TH 21764A TH 9501002261 A TH9501002261 A TH 9501002261A TH 9501002261 A TH9501002261 A TH 9501002261A TH 21764 A TH21764 A TH 21764A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
chamber
semiconductor
layers
semiconductor devices
column
Prior art date
Application number
TH9501002261A
Other languages
English (en)
Inventor
มาซาโอะอิเคดะ นาย
ฮิโรโนริสึคาโมโตะ นาย
โคชิทามามูระ นาย
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีอเนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นาย วิรัชศรีเอนกราธา
นาย ต่อพงศ์โทณะวณิก
นาย ดำเนินการเด่น
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีอเนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นาย วิรัชศรีเอนกราธา, นาย ต่อพงศ์โทณะวณิก, นาย ดำเนินการเด่น filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH21764A publication Critical patent/TH21764A/th

Links

Abstract

ระบบของเอทิแทกซีด้วยลำของโมเลกุลมีห้องต่างๆ จำนวนหนึ่งซึ่งอย่งน้อยที่สุดประกอบด้วยห้องที่หนึ่งห้องและห้องที่ สองหนึ่งห้อง,ห้องที่หนึ่งใช้เพื่อก่อขึ้นรูปชั้นต่างๆ ของ สารกึ่งตัวนำเชิงประกอบของคอลัมน์ II-V ซึ่งไม่มี Te. ห้อง ที่สองใช้เพื่อก่อขึ้นรูปชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำเชิง ประกอบของคอลัมน์ II-V ซึ่งอย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย Te. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งมีลักษณะสมบัติแบบโอห์มมิกสามารถ ผลิตขึ้นโดยไม่มีการผสม Te. เข้าไปในชั้นอื่นๆ

Claims (2)

: ระบบของเอทิแทกซีด้วยลำของโมเลกุลมีห้องต่างๆ จำนวนหนึ่งซึ่งอย่งน้อยที่สุดประกอบด้วยห้องที่หนึ่งห้องและห้องที่ สองหนึ่งห้อง,ห้องที่หนึ่งใช้เพื่อก่อขึ้นรูปชั้นต่างๆ ของ สารกึ่งตัวนำเชิงประกอบของคอลัมน์ II-V ซึ่งไม่มี T e. ห้อง ที่สองใช้เพื่อก่อขึ้นรูปชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำเชิง ประกอบของคอลัมน์ II-V ซึ่งอย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย T e. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งมีลักษณะสมบัติแบบโอห์มมิกสามารถ ผลิตขึ้นโดยไม่มีการผสม T
1. ระบบของเอพิแทกซีด้วยลำของโมเลกุลประกอบด้วย :ห้องที่หนึ่งสำหรับทำการก่อรูปชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำ ขององค์ประกอบของคอลัมน์ II-V ซี่งไม่มีเทลลูเรียม ; และ ห้องที่สองสำหรับทำการก่อขึ้นรูปชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำ ขององค์ประกอบของคอลัมน์ II-V ซึ่งอย่างน้อยที่สุดมีเทลลู เรียม
2. ระบบของเอพิแทกซีด้วยลำของโมเลกุลซึ่งมีห้องห้องหนึ่ง ซึ่งเชื่อมต่อไว้ด้วยเซลล์กลุ่มหนึ่ง,เซลล์ดังกล่าวอย่าง น้อยที่สุดประกอบด้วยเซลล์เซลล์สำหรับทำให้เทลลูเรียมระเหย เป็นไอ, ที่เรียกว่าระบบประกอบด้วย : วาล์วปิดเปิดตัวหนึ่งใแท็ก :
TH9501002261A 1995-09-11 ระบบ mbe และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ผลิตขึ้นโดยใช้ระบบนี้ TH21764A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH21764A true TH21764A (th) 1996-11-13

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2134086A1 (en) Plate Type Heat Transfer Device
EP0176078A3 (en) Programmable semiconductor structures and method for using the same
MY116369A (en) Mbe system and semiconductor device fabricated, using same
ES2086231T3 (es) Zeolita estable con una constante baja de celda unidad y procedimiento de fabricacion de la misma.
TH21764A (th) ระบบ mbe และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ผลิตขึ้นโดยใช้ระบบนี้
EP0322718A3 (en) Resonant tunneling device
JPS5290280A (en) Semiconductor laser element
JPS57128983A (en) Pin diode
GB1478472A (en) Semiconductors
CA2037911A1 (en) Microstrip antenna system
JPS52155080A (en) Semiconductor light emitting device
EP0240953A3 (en) Compound semiconductor device
EP0502204A4 (th)
JPS56137686A (en) Mis-type photoelectric transducing device
JPS56114381A (en) Semiconductor device
JPS5388A (en) Iii-v group chemical compound semiconductor element and its manufacture
JPS5612787A (en) Matrix indicator by light emitting diode and manufacture therefor
EP0391420A3 (en) Radiation resistant semiconductor structure
JPS5428579A (en) Field effect switching element
JPS5211762A (en) Method of manufacturing semiconductor devices
Szebehely Instabilities in dynamical systems: Applications to celestial mechanics; Proceedings of the Advanced Study Institute, Cortina d'Ampezzo, Italy, July 30-August 12, 1978
ATE152089T1 (de) Supraleitende keramische zusammensetzung
JPS52117081A (en) Preparation of mis semiconductor device
JPS6427285A (en) Multi-wavelength integrated semiconductor laser
WO2024123561A3 (en) Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array