TH21764A - ระบบ mbe และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ผลิตขึ้นโดยใช้ระบบนี้ - Google Patents
ระบบ mbe และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ผลิตขึ้นโดยใช้ระบบนี้Info
- Publication number
- TH21764A TH21764A TH9501002261A TH9501002261A TH21764A TH 21764 A TH21764 A TH 21764A TH 9501002261 A TH9501002261 A TH 9501002261A TH 9501002261 A TH9501002261 A TH 9501002261A TH 21764 A TH21764 A TH 21764A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- chamber
- semiconductor
- layers
- semiconductor devices
- column
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 9
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
Abstract
ระบบของเอทิแทกซีด้วยลำของโมเลกุลมีห้องต่างๆ จำนวนหนึ่งซึ่งอย่งน้อยที่สุดประกอบด้วยห้องที่หนึ่งห้องและห้องที่ สองหนึ่งห้อง,ห้องที่หนึ่งใช้เพื่อก่อขึ้นรูปชั้นต่างๆ ของ สารกึ่งตัวนำเชิงประกอบของคอลัมน์ II-V ซึ่งไม่มี Te. ห้อง ที่สองใช้เพื่อก่อขึ้นรูปชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำเชิง ประกอบของคอลัมน์ II-V ซึ่งอย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย Te. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งมีลักษณะสมบัติแบบโอห์มมิกสามารถ ผลิตขึ้นโดยไม่มีการผสม Te. เข้าไปในชั้นอื่นๆ
Claims (2)
1. ระบบของเอพิแทกซีด้วยลำของโมเลกุลประกอบด้วย :ห้องที่หนึ่งสำหรับทำการก่อรูปชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำ ขององค์ประกอบของคอลัมน์ II-V ซี่งไม่มีเทลลูเรียม ; และ ห้องที่สองสำหรับทำการก่อขึ้นรูปชั้นต่างๆ ของสารกึ่งตัวนำ ขององค์ประกอบของคอลัมน์ II-V ซึ่งอย่างน้อยที่สุดมีเทลลู เรียม
2. ระบบของเอพิแทกซีด้วยลำของโมเลกุลซึ่งมีห้องห้องหนึ่ง ซึ่งเชื่อมต่อไว้ด้วยเซลล์กลุ่มหนึ่ง,เซลล์ดังกล่าวอย่าง น้อยที่สุดประกอบด้วยเซลล์เซลล์สำหรับทำให้เทลลูเรียมระเหย เป็นไอ, ที่เรียกว่าระบบประกอบด้วย : วาล์วปิดเปิดตัวหนึ่งใแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21764A true TH21764A (th) | 1996-11-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2134086A1 (en) | Plate Type Heat Transfer Device | |
| EP0176078A3 (en) | Programmable semiconductor structures and method for using the same | |
| MY116369A (en) | Mbe system and semiconductor device fabricated, using same | |
| ES2086231T3 (es) | Zeolita estable con una constante baja de celda unidad y procedimiento de fabricacion de la misma. | |
| TH21764A (th) | ระบบ mbe และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ผลิตขึ้นโดยใช้ระบบนี้ | |
| EP0322718A3 (en) | Resonant tunneling device | |
| JPS5290280A (en) | Semiconductor laser element | |
| JPS57128983A (en) | Pin diode | |
| GB1478472A (en) | Semiconductors | |
| CA2037911A1 (en) | Microstrip antenna system | |
| JPS52155080A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| EP0240953A3 (en) | Compound semiconductor device | |
| EP0502204A4 (th) | ||
| JPS56137686A (en) | Mis-type photoelectric transducing device | |
| JPS56114381A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5388A (en) | Iii-v group chemical compound semiconductor element and its manufacture | |
| JPS5612787A (en) | Matrix indicator by light emitting diode and manufacture therefor | |
| EP0391420A3 (en) | Radiation resistant semiconductor structure | |
| JPS5428579A (en) | Field effect switching element | |
| JPS5211762A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| Szebehely | Instabilities in dynamical systems: Applications to celestial mechanics; Proceedings of the Advanced Study Institute, Cortina d'Ampezzo, Italy, July 30-August 12, 1978 | |
| ATE152089T1 (de) | Supraleitende keramische zusammensetzung | |
| JPS52117081A (en) | Preparation of mis semiconductor device | |
| JPS6427285A (en) | Multi-wavelength integrated semiconductor laser | |
| WO2024123561A3 (en) | Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array |