TH21636A - การพ่นละอองซิลิคอนให้เกาะติดเป็นฟิล์มฉนวนด้วยสารผสมของก๊าซมีสกุล - Google Patents
การพ่นละอองซิลิคอนให้เกาะติดเป็นฟิล์มฉนวนด้วยสารผสมของก๊าซมีสกุลInfo
- Publication number
- TH21636A TH21636A TH9501001874A TH9501001874A TH21636A TH 21636 A TH21636 A TH 21636A TH 9501001874 A TH9501001874 A TH 9501001874A TH 9501001874 A TH9501001874 A TH 9501001874A TH 21636 A TH21636 A TH 21636A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silicon
- mixture
- adhere
- insulating film
- noble gases
- Prior art date
Links
Abstract
วิธีการและอุปกรณ์สำหรับการควบคุมการทำงานของระบบการพ่นละอองสารของ แมกนีตรอน (รูปที่ 1) เมื่อทำให้ตกตะกอนเกาะติดเป็นฟิล์มบางของธาตุที่ไม่เป็น-ตัวนำ หรือ ธาตุที่เป็นกึ่งตัวนำ ดังเช่นซิลิคอนหรือสารประกอบของซิลิคอนที่ทำให้เกิดเป็นฉนวน ดังเช่นซิลิคอน ไดออกไซด์, ซิลิคอนไนไทรด์ และสารที่คล้ายคลึงกัน ลงบนฐานรองรับ (19) จะใช้สารผสม ของก๊าซมีสกุลที่ต่างกัน 2 ชนิด (63 , 65) สัดส่วนสัมพัทธ์ของก๊าซมีสกุล 2 ชนิดหรือมากกว่า จะถูกคัดเลือกมา (69) เพื่อลดความน่าจะเป็นของการเกิดประกายไฟที่เกิดขึ้นระหว่างกรรมวิธี การพ่นละอองสาร ณ ที่นั้นจะทำให้สามารถควบคุมกรรมวิธีได้โดยระบบควบคุมที่ป้อนกลับโดย อัตโนมัติ (57 , 59 , 61) เพื่อที่จะรักษาไว้ซึ่งการทำงานที่มีเสถียรภาพให้อยู่ภายในบริเวณเล็ก ๆ (49) ของกราฟเส้นโค้งแสดงคุณลักษณะของการตกตะกอนเกาะติด
Claims (1)
1. วิธีการพ่นละอองสารลงบนฐานรองรับ (19) ที่อยู่ภายในห้องสุญญากาศ (40) จากผิวของแผ่นเป้า (17) มีสาระสำคัญโดยรอบประกอบด้วยธาตุที่ไม่นำ-กระแสไฟฟ้าซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนต่าง ๆ ของ : การนำก๊าซผสมซึ่งอย่างน้อยรวมถึงก๊าซหนึ่งชนิด (61) เข้าไปในห้องสุญญากาศ ซึ่งจะทำปฏิกิริยากับธาตุของแผ่นเป้าและสารผสมอย่างน้อยของก๊าซมีสกุลชนิดที่หนึ่งและชนิดที่สอง (63 , 65) การทำให้ความดันย่อยของก๊าซมีสกุลชนิดที่หนึ่ง (63) อยู่ภายในช่วงตั้งแต่ 20 ถึง 80 เปอร์เซ็นต์ของคแท็ก :
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21636B TH21636B (th) | 1996-11-05 |
| TH21636A true TH21636A (th) | 1996-11-05 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0739001A3 (en) | Deposition of insulating thin film by plurality of ion beams | |
| EA200300440A1 (ru) | Способ и устройство для образования покрытия | |
| EP0385475A3 (en) | Method of forming a transparent conductive film | |
| EP1722403A3 (en) | Fabrication method for a thin film smiconductor device | |
| AU4047500A (en) | Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method | |
| MY130318A (en) | Optoelectronic material, device using the same and method for manufacturing optoelectronic material | |
| EP0776032A3 (en) | Plasma etching method | |
| DE3787705D1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Auftragen von Dünnschichtüberzügen im Vacuum. | |
| AU3866999A (en) | Method of forming high aspect ratio apertures | |
| DE59602601D1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum | |
| JPS6431466A (en) | Forming method for silicon thin film for thin film transistor | |
| TH21636A (th) | การพ่นละอองซิลิคอนให้เกาะติดเป็นฟิล์มฉนวนด้วยสารผสมของก๊าซมีสกุล | |
| TH21636B (th) | การพ่นละอองซิลิคอนให้เกาะติดเป็นฟิล์มฉนวนด้วยสารผสมของก๊าซมีสกุล | |
| EP1005065A3 (en) | Method of forming wiring pattern | |
| FI842989A0 (fi) | Foerfarande och anordning foer att aostadkomma ytbelaeggningspolymerisation pao ett substrat. | |
| ES2151633T3 (es) | Procedimiento y dispositivo para el decapado de un substrato metalico. | |
| EP0167383A3 (en) | Apparatus for and a method of modifying the properties of a material | |
| EP0921556A3 (en) | Thin film forming apparatus | |
| NO20014941D0 (no) | Anordning ved elektrode, fremgangsmåte til fremstilling derav, samt anvendelse | |
| CA2194742A1 (en) | Process and device for coating a substrate surface | |
| WO2000039839A3 (en) | High aspect ratio sub-micron contact etch process in an inductively-coupled plasma processing system | |
| ES2128028T3 (es) | Procedimiento y dispositivo para la formacion de un revestimiento sobre un substrato de pulverizacion catodica. | |
| JPS55101853A (en) | Method of fabricating comparison electrode with fet | |
| WO1999013489A3 (en) | Apparatus for improving etch uniformity and methods therefor | |
| JPS57121219A (en) | Manufacture of semiconductor device |