TH21284B - ตัวกลางแม่เหล็กซึ่งมีวัสดุชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกเพื่อเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีขึ้น - Google Patents
ตัวกลางแม่เหล็กซึ่งมีวัสดุชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกเพื่อเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีขึ้นInfo
- Publication number
- TH21284B TH21284B TH1001696A TH0001001696A TH21284B TH 21284 B TH21284 B TH 21284B TH 1001696 A TH1001696 A TH 1001696A TH 0001001696 A TH0001001696 A TH 0001001696A TH 21284 B TH21284 B TH 21284B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- ferromagnetic
- layer
- base layer
- group
- substrate
- Prior art date
Links
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract 29
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract 15
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 241000605059 Bacteroidetes Species 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 abstract 2
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (01/12/43) จานบันทึกแม่เหล็ก ซึ่งมีชั้นบันทึกแม่เหล็กที่มีชั้นฐานเฟอร์โรแมกเนติก และชั้นปิดทับ เฟอร์โรแมกเนติก ซึ่งได้รับการเกาะจับไว้โดยตรงบนชั้นฐาน โดยมีความหนาประสิทธิผลของชั้น ปิดทับในช่วง 1-40 อังสตรอม วัสดุเฟอร์โรแมกเนติกที่ใช้ในชั้นปิดทับนี้จะมี Co, Fe และ/หรือ Ni และมีโมเมนต์แม่เหล็กที่มากกว่าโมเมนต์แม่เหล็กของวัสดุในชั้นฐานเฟอร์โรแมกเนติกอย่างมีนัย สำคัญ ชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกจะทำให้เสถียรภาพเชิงความร้อนของเกรนแบบซุเปอร์พารา แมกเนติก ที่มีอยู่ภายในชั้นฐานดีขึ้น โดยการเชื่อมต่อเกรนเข้าด้วยกันทางแม่เหล็กด้วยการบริดจ์ เสถียรภาพเชิงความร้อนของสื่อเก็บบันทึกดังกล่าวที่เพิ่มขึ้นทำให้สามารถใช้ชั้นฐานเฟอร์โรแมก เนติกที่บางลง และทำให้มีค่าผลคูณของการทำแม่เหล็กตกค้าง-ความหนา (M,t) ที่ต่ำลง และ ความหนาแน่นในการบันทึกมากขึ้น จานบันทึกแม่เหล็ก ซึ่งมีชั้นบันทึกแม่เหล็กที่มีชั้นฐานเฟอร์โรแมกเนติก และชั้นปิดทับ เฟอร์โรแมกเนติก ซึ่งได้รับการเกาะจับไว้โดยตรงบนชั้นฐาน โดยมีความหนาประสิทธิผลของชั้น ปิดทับในช่วง 1-40 อังสตรอม วัสดุเฟอร์โรแมกเนติกที่ใช้ในในชั้นปิดทับนี้จะมี Co, Fe และ/หรือ Ni และมีโมเมนต์แม่เหล็กที่มากกว่าโมเมนต์แม่เหล็กของวัสดุในชั้นฐานเฟอร์แมกเนติกอย่างมีนัย สำคัญ ชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกจะทำให้เสถียรภาพเชิงความร้อนของเกรนแบบชุเปอร์พารา แมกเนติก ที่มีอยู่ภายในชั้นฐานดีขึ้น โดยการเชื่อมต่อเกรนเข้าด้วยกันทางแม่เหล็กด้วยการบริดจ์ เสถียรภาพเชิงความร้อนของสื่อเก็บบันทึกดังกล่าวที่เพิ่มขึ้นทำให้สามารถใช้ชั้นฐานเฟอร์โรแมก เนติกที่บางลง และทำให้มีค่าผลคูณของการทำแม่เหล็กตกค้าง-ความหนา (Mrt) ที่ต่ำลง และ ความหนาแน่นในการบันทึกมากขึ้น
Claims (9)
1. ตัวกลางบันทึกแม่เหล็ก ซึ่งประกอบด้วย (ก) ซับสเตรท (ข) ชั้นข้างใต้บนซับสเตรท (ค) ชั้นฐานโลหะผสม Co เฟอร์โรแมกเนติกแบบกรานูล ที่ได้รับการก่อรูปบนชั้นข้างใต้ ดังกล่าว และมีความหนาในช่วงประมาณ 1 ถึง 30 นาโนเมตร และ (ง) ชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกที่ได้รับการก่อรูปบนและสัมผัสกับชั้นฐานโลหะ Co เฟอร์โรแมกเนติกแบบกรานูลดังกล่าว และประกอบด้วยธาตุอย่างน้อยหนึ่งธาตุ ที่ได้รับการเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย Co,Fe และ Ni, ชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าวจะมีความหนาประสิทธิผล ในช่วงประมาณ 1 ถึง 40 อังสตรอม และความหนาแน่นโมเมนต์แม่เหล็กอย่างน้อย 1.5 เท่ามากกว่า ความหนาแน่นโมเมนต์แม่เหล็กของชั้นฐานโลหะผสม Co เฟอร์โรแมกเนติกแบบกรานูลดังกล่าว
2. ตัวกลางบันทึกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าวยัง ประกอบด้วยธาตุที่ได้รับการเลือกสรรจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Pt และ Pd
3. ตัวกลางบันทึกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าวยัง ประกอบด้วย Cr
4. ตัวกลางบันทึกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าวถึงเกรน ของวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกที่ได้รับการแยกออกโดยวัสดุแยกออกที่ได้รับการเลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วย CoO, SiO2 และ B
5. ตัวกลางบันทึกของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งชั้นฐานโลหะผสม Co เฟอร์โรแมกเนติกแบบ กรานูลดัวกล่าวรวมถึง Cr
6. ตัวกลางบันทึกของข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งชั้นฐานโลหะผสม Co เฟอร์โรแมกเนติกแบบ กรานูลดังกล่าวยังประกอบด้วยธาตุที่ได้รับการเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย Pd, Ta และ Pt
7. ตัวกลางบันทึกของข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งชั้นฐานโลหะผสม Co เฟอร์โรแมกเนติกแบบ กรานูลดังกล่าวยังรวมถึงวัสดุแยกออกที่ได้รับการเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย CoO,SiO2,B,Ti,Zr, Hf,Ag,Nb,W และ Au
8. จานบันทึกแม่เหล็ก ซึ่งประกอบด้วย ก) ซับสเตรทของจาน ข) ชั้นข้างใต้ซึ่งประกอบด้วย Cr ที่ได้รับการเกาะจับบนซับสเตรทจานดังกล่าว ค) ชั้นฐานเฟอร์โรแมกเนติกแบบกรานูลซึ่งประกอบด้วยโลหะผสม Co ซึ่งประกอบด้วย CoxCry ที่ซึ่ง 20<X<85 p และ ถึง O , B 15 21. 20. 19. 18. 17. 16. 15. 8 14. 13. 12. 11. 10.
9. เฟอร์โรแมกเนติกแบบกรานูดังกล่าว< Co แม่เหล็กของชั้นฐานโลหะผสม เท่ามากกว่าความหนาแน่นโมเมนต์ 1.5 และความหนาแน่นโมเมนต์แม่เหล็กอย่างน้อย อังสตรอม 40 1 มีความหนาประสิทธิผลในช่วงประมาณ Ni Fe Co, เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าวประกอบด้วยธาตุอย่างน้อยหนึ่งธาตุที่ได้รับการ กรานูลดังกล่าว เฟอร์โรแมกเนติกแบบ การเกาะจับชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกบนชั้นฐานโลหะผสม ง) นาโนเมตร 30 ด้วยความหนาในช่วงประมาณ เฟอร์โรแมกเนติกแบบกรานูลบนชั้นข้างใต้ดังกล่าว การเกาะจับชั้นฐานโลหะผสม ค) การเกาะจับชั้นข้างใต้บนซับสเตรทดังกล่าว ข) การจัดเตรียมซับสเตรท ก) ซึ่งวิธีการดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนต่อไปนี้ วิธีการของการทำตัวกลางบันทึกแม่เหล็ก บนชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าว ที่ซึ่งยังประกอบด้วยชั้นเคลือบบนที่เป็นคาร์บอนป้องกัน จานบันทึกของข้อถือสิทธิข้อ 1000 200 ที่ซึ่งชั้นปิดทับดังกล่าวมีความหนา kOe 20 2 ที่ซึ่งสภาพบังคับของจานจะอยู่ระหว่าง เปอร์เซนต์อะตอม 100 75<(s+u+v+w)< และที่ซึ่ง ดเปอร์เซ็นต์อะตอม 1<s<25 ในช่วงจาก Crs ดังกล่าวยังประกอบด้วย ที่ซึ่งเกรนดังกล่าวของชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติก 75<(t+u+v+w)<100 เปอร์เซ็นต์อะตอม 1<t<75 Pdt Pt, ที่ซึ่งชั้นปิดทับดังกล่าวยังประกอบด้วยธาตุที่ได้รับการ SiO2 CoO, ประกอบด้วย ประกอบด้วยเกรนของวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกที่รวมถึงวัสดุแยกออกที่ได้รับการเลือกสรรจากกลุ่มที่ ซึ่งชั้นปิดทับดังกล่าวเป็นชั้นปิดทับแบบกรานูลซึ่ง ดังกล่าวจะอยู่ในช่วง และที่ซึ่งความเข้มข้นของชั้นฐานประสิทธิผลของวัสดุแยกออกที่เป็นโลหะทรานซิชั่น Au W Ti,Zr,Hf,Ag,Nb, เป็นโลหะทรานสิชั่นซึ่งประกอบด้วยธาตุที่ได้รับการเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย กรานูลดังกล่าวประกอบด้วยเกรนของวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกที่ได้รับการแยกออกโดยวัสดุแยกออกที่ ที่ซึ่งชั้นฐานโลหะผสม ออกที่ได้รับการเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ที่ซึ่งชั้นฐานเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าวรวมถึงวัสดุแยก < <(x+y+z) โดยที่ 1<z<20 ในช่วจาก Ptz Ta2, Pd2, ธาตุที่ได้รับการเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ที่ซึ่งชั้นฐานเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าวยังประกอบด้วย อยู่ในช่วงประมาณ ที่ซึ่งชั้นฐานเฟอร์โรแมกเนติกดังกล่าวมีความหนาอยู่ Ti Co,V, เลือกสรรจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย ที่ซึ่งชั้นข้างใต้ดังกล่าวยังประกอบด้วยธาตุที่ได้รับการ ซิลิคอนคาร์ไบด์ MgO เซรามิคควอร์ทช์ ซิลิคอน NiA l. กระจกที่ได้รับการเคลือบด้วย ประกอบด้วยอลูมิเนียมที่ได้รับการเคลือบด้วยนิกเกิลฟอสฟอรัส, จะได้รับการเลือกจากกลุ่มที่ ที่ซึ่งซับสเตรทจานดังกล่าว เนติกดังกล่าวเป็นชั้นที่ไม่ต่อเนื่อง และที่ซึ่งชั้นฐานเฟอร์โรแมก และสัมผัสกับชั้นฐานดังกล่าว 1.0 ประสิทธิผลจาก ที่ซึ่งชั้นเปิดทับเฟอร์โรแมเนติกดังกล่าวจะมีความหนา 50<(u+v+w)<100 0<w<100 0<v<100 0<u<100 ที่ซึ่ง Niw Fev Cou, กลุ่มที่ประกอบด้วย ชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกซึ่งประกอบด้วยธาตุอย่างน้อยหนึ่งธาตุที่ได้รับการเลือกจาก 40<(x+y)<90 0<y<30>
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH48996A TH48996A (th) | 2002-01-18 |
| TH21284B true TH21284B (th) | 2007-01-22 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Howard | Thin films for magnetic recording technology: A review | |
| TW584841B (en) | Laminated magnetic recording media with antiferromagnetically coupled layers as the individual magnetic layers in the laminate | |
| US5552949A (en) | Magnetoresistance effect element with improved antiferromagnetic layer | |
| US6440589B1 (en) | Magnetic media with ferromagnetic overlay materials for improved thermal stability | |
| CN100373458C (zh) | 磁记录介质 | |
| GB2355018A (en) | Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled ferromagnetic film | |
| KR900003819A (ko) | 면내 자기 기록 매체 및 그 제조 방법과 자기 기억 장치 | |
| KR100210579B1 (ko) | 강자성막 및 그 제조방법과 이것을 사용한 자기헤드 | |
| US4935311A (en) | Magnetic multilayered film and magnetic head using the same | |
| JPH10143822A (ja) | 薄膜磁気構造及び薄膜磁気ヘッド | |
| US20080124579A1 (en) | Magnetic recording medium, manufacturing method of the same and magnetic recording device | |
| JPH11328647A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
| TH21284B (th) | ตัวกลางแม่เหล็กซึ่งมีวัสดุชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกเพื่อเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีขึ้น | |
| TH48996A (th) | ตัวกลางแม่เหล็กซึ่งมีวัสดุชั้นปิดทับเฟอร์โรแมกเนติกเพื่อเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีขึ้น | |
| JP2672802B2 (ja) | 交換結合膜および磁気抵抗効果素子 | |
| JP3018551B2 (ja) | 面内磁気記録媒体 | |
| JPH06314617A (ja) | 交換結合膜および磁気抵抗効果素子 | |
| JP3393963B2 (ja) | 交換結合膜および磁気抵抗効果素子 | |
| JP3226254B2 (ja) | 交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH01238106A (ja) | 耐食性強磁性薄膜 | |
| JPH04265511A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH11175925A5 (th) | ||
| JPH1197764A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JPH0528552A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2004273100A5 (th) |