TH20255A - วิธีการ c4 สำหรับระบบสามสาร (เทอร์นารี) ซึ่งมีอุณหภูมิต่ำ - Google Patents
วิธีการ c4 สำหรับระบบสามสาร (เทอร์นารี) ซึ่งมีอุณหภูมิต่ำInfo
- Publication number
- TH20255A TH20255A TH9501000576A TH9501000576A TH20255A TH 20255 A TH20255 A TH 20255A TH 9501000576 A TH9501000576 A TH 9501000576A TH 9501000576 A TH9501000576 A TH 9501000576A TH 20255 A TH20255 A TH 20255A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- chip
- melting point
- low melting
- alloys
- melt
- Prior art date
Links
Abstract
ที่ได้เปิดเผยไปคือวิธีการเพิ่มชิพแบบฟลิพของชิพของวงจรรวมกับตัวรองรับชิพ (chip carrier). ตามวิธีการที่ได้เปิดเผยวิธีหนึ่ง ส่วนประกอบซึ่งมีอุณหภูมิหลอมเหลวสูง อย่างเช่น โลหะผสมไบนารี Pb/Sn ถูกแปะติดบน ,ยกตัวอย่าง,ชิพ, และส่วนผสมของส่วนประกอบซึ่งมี จุดหลอมเหลวต่ำ, ตัวอย่างเช่น, Bi และ Sn, ถูกฉาบติดร่วมบนหน้าสัมผัสของ, ตัวอย่าง, ตัว รองรับชิพ (ชิพแคริเออร์). หลังจากนั้นชิพและตัวรองรับชิพถูกทำให้ร้อน. สิ่งนี้ทำให้ส่วน ประกอบซึ่งมีอุณหภูมิหลอมเหลวต่ำ, ตัวอย่าง Bi และ Sn, หลอมเหลวเกิดเป็นโลหะผสม ซึ่งมี อุณหภูมิหลอมเหลวต่ำ, อย่างเช่นโลหะผสม Bi/Sn.โลหะผสม ซึ่งมีจุดหลอมเหลวต่ำละลาย ส่วนประกอบซึ่งมีจุดหลอมเหลวสูงกว่า, อย่างเช่น Pb/Sn. สิ่งนี้เป็นผลให้เกิดพันธะโชลเดอร์ ของส่วนประกอบที่สามซึ่งมีจุดหลอมเหลวต่ำ อย่างเช่นโลหะผสมเทอร์นารีของ Bi/Pb/Sn
Claims (6)
1. วิธีการของฟลิพชิพซึ่งทำหน้าที่เชื่อมชิพวงจรรวมกับตัวพาชิพ ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: พอกส่วนผสมแรกที่มีจุดหลอมเหลวสูงลงบนหน้าสัมผัสของชิพตัวหนึ่งและตัวพาชิพ, และพอกส่วนผสม ที่สองที่มีจุดหลอมเหลวต่ำกว่าลงบนหน้าสัมผัสตรงข้ามของชิพตัวหนึ่งและตัวพาชิพ, ให้ความร้อน แก่ชิพและตัวพาชิพ เพื่อทำให้ส่วนผสมที่มีจุดหลอมเหลวต่ำกว่าหลอมเหลว, และละลายส่วนผสมที่ มีจุดหลอมสูงเพื่อให้เกิดส่วนผสมที่สามในที่นั้น, ซึ่งยังคงมีส่วนผสมที่มีอุณหภูมิหลอมเหลวต่ำ และพันธะเชื่อมแบบโซลเดอร์ของอัลลอที่มีจุดหลอมเหลวต่ำ และเกิดเป็นส่วนที่สาม ซึ่งมีอุณหภูมิ หลอมเหลวต่ำ, และละลายส่วนผสมที่มีอุณหภูมิหลอมเหลวสูงในที่นั้นเพื่อให้เกิดเป็นพันธะเชื่อมแบบ โซลเดอร์ของอัลลอยที่มีอัลลอยซึ่งมีจุดหลอมเหลวต่ำ
2. วิธีการเชื่อมชิพแบบฟลิบ ของชิพวงจรรวมกับตัวรองรับชิพซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: แปะติด (ดีพอสิท) โลหะผสมไปนารี Pb/Sn บนหน้าสัมผัสของชิพ, และฉาบติดร่วม (โคคีพอสิท) Bi และ Sn บนตัวรองรับชิพ, ให้ความร้อนแก่ชิพและตัวรองรับชิพเพื่อทำให้ Bi และ Sn หลอมเหลวและเกิดเป็นโลหะผสม Bi/Sn ซึ่งมีอุณหภูมิหลอมเหลวต่ำ, และละลาย Pb/Sn ซึ่งมีจุดหลอมเหลวสูงกว่าในที่นั้นเพื่อให้เกิดเป็นพันธะโซลเดอร์ของโลหะผสมเทอร์นารี Bi/Pb/Sn ซึ่งมีจุดหลอมเหลวต่ำ
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 2 ที่ซึ่งโลหะผสมเทอร์นารีของ Bi/Pb/Sn ซึ่งมีจุดหลอม เหลวต่ำ ประกอบด้วยอย่างน้อย Bi 50%, Pb 20% ถึง 32% และส่วนเหลือเป็น Sn
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 2 ที่ซึ่งโลหะผสมเทอร์นารีของ Bi/Pb/Sn ซึ่งมีจุดหลอม เหลวต่ำ ประกอบด้วย Bi 50 ถึง 52.5% โดยน้ำหนัก Pb 20% ถึง 32 % โดยน้ำหนักส่วนที่เหลือ อย่างน้อยประมาณ 15.5% โดยน้ำหนักเป็น Sn
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 2 ประกอบด้วยการแปะติด (ดีพอสิท) โลหะผสมเทอร์นารีของ Bi/Sn บนตัวรองรับชิพ
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 2 ประกอบด้วยการฉาบติด (ดีพอสิท) Bi และชั้นของ Sn บนตัวรองรับชิพ
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH20255A true TH20255A (th) | 1996-08-29 |
| TH6875B TH6875B (th) | 1997-06-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2516326B2 (ja) | ３元はんだ合金、集積回路チップを回路パタ―ンが形成された基板に電気接続する方法及び集積回路チップモジュ―ル | |
| US5874043A (en) | Lead-free, high tin ternary solder alloy of tin, silver, and indium | |
| KR0167470B1 (ko) | 챕 캐리어에 집적 회로 칩의 플립 칩 본딩 방법 | |
| KR970010891B1 (ko) | 고온의 무연 주석 기재 납땜 조성물 | |
| KR0124518B1 (ko) | 고온의 무연 주석 기재 다-성분 납땜 합금 | |
| KR101985646B1 (ko) | 솔더링용 저온 고신뢰성 주석 합금 | |
| US6436730B1 (en) | Microelectronic package comprising tin copper solder bump interconnections and method for forming same | |
| KR0124517B1 (ko) | 무연의 주석, 안티몬, 비스무트 및 구리 납땜 합금 | |
| US5730932A (en) | Lead-free, tin-based multi-component solder alloys | |
| JPH071179A (ja) | 無鉛すず−ビスマスはんだ合金 | |
| US3046651A (en) | Soldering technique | |
| US20010002982A1 (en) | Lead-free, high tin ternary solder alloy of tin, silver, and bismuth | |
| US20020092895A1 (en) | Formation of a solder joint having a transient liquid phase by annealing and quenching | |
| KR20010012083A (ko) | 무연 땜납 | |
| JP3305596B2 (ja) | はんだ合金 | |
| TH20255A (th) | วิธีการ c4 สำหรับระบบสามสาร (เทอร์นารี) ซึ่งมีอุณหภูมิต่ำ | |
| TH6875B (th) | วิธีการ c4 สำหรับระบบสามสาร (เทอร์นารี) ซึ่งมีอุณหภูมิต่ำ | |
| JPH0985484A (ja) | 鉛フリーはんだとそれを用いた実装方法及び実装品 | |
| WO1997047425A1 (en) | Lead-free, high tin ternary solder alloy of tin, silver, and bismuth | |
| JP3460442B2 (ja) | 鉛フリーはんだ及びそれを用いた実装品 | |
| KR100356413B1 (ko) | 부분용융 상태에서의 리플로우 솔더링 방법 |