TH173768A - องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof) - Google Patents

องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof)

Info

Publication number
TH173768A
TH173768A TH802002252F TH0802002252F TH173768A TH 173768 A TH173768 A TH 173768A TH 802002252 F TH802002252 F TH 802002252F TH 0802002252 F TH0802002252 F TH 0802002252F TH 173768 A TH173768 A TH 173768A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
ratio
metal
composition
hierarchical structure
gold
Prior art date
Application number
TH802002252F
Other languages
English (en)
Other versions
TH101570S (th
TH33259S1 (th
TH101570B (th
Inventor
ฮูเพล แพทริเซีย
ไมเคิล มัลเตอร์ ฮานส์
Original Assignee
นาย กฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์
นาย สัตยะพล สัจจเดชะ
เฮเรอุส ดอยท์ชแลนด์ จีเอ็มบีเอช แอนด์ โค เคจี (นิติบุคคลจัดตั้งขึ้นตามกฎหมายแห่งสหพันธ์สาธารณรัฐเยอรมนี)
Filing date
Publication date
Publication of TH101570S publication Critical patent/TH101570S/th
Publication of TH33259S1 publication Critical patent/TH33259S1/th
Application filed by นาย กฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์, นาย สัตยะพล สัจจเดชะ, เฮเรอุส ดอยท์ชแลนด์ จีเอ็มบีเอช แอนด์ โค เคจี (นิติบุคคลจัดตั้งขึ้นตามกฎหมายแห่งสหพันธ์สาธารณรัฐเยอรมนี) filed Critical นาย กฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์
Publication of TH173768A publication Critical patent/TH173768A/th
Publication of TH101570B publication Critical patent/TH101570B/th

Links

Abstract

แก้ไข 27/1/59 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับองค์ประกอบซึ่งประกอบด้วย i. สื่อนำจากสารอินทรีย์; ii. สารเติม แต่งอนินทรีย์, ถ้ามีการใช้งาน; iii. สารประกอบโลหะ-สารอินทรีย์ซึ่งประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (Sn), และบิสมัท (Bi) เป็นส่วนประกอบ; โดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ10:1 ถึง50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อรท อยู่ในช่วงของ1:1 ถึง15:1นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวช้องกับโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย i. ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, ii. ชั้นโลหะ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนและถูกเชื่อมต่อกับพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่ชั้นโลหะประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ รท อยู่ในช่วง ของ 10:1 ถึง50:1;และอัตราส่วนของ A1 ต่อรทอยู่ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับ โครงตั้งด้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย a) ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, b) องค์ประกอบ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่องค์ประกอบประกอบด้วยสารประกอบโลหะ- สารอินทรีย์ที่ประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่ อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn ในองค์ประกอบอยู่ในช่วงของ 10:1 ถึง 50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1 อีกทั้งการประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตโครงสร้างแบบลำดับชั้น ซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ: ร1. การให้ซับสเตรตที่มีพื้นผิว; S2. การวางองค์ประกอบแรกลงบนอย่างน้อย บางส่วนของพื้นผิวในขณะที่ได้โครงตั้งต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้น; S3. การทำการบำบัดโครงตั้ง ต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นที่อุณหภูมิอย่างน้อย 500 องศาเซลเซียส (รูปที่ 4) ------------------------------------------------------------------

Claims (1)

: แก้ไข 27/1/59 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับองค์ประกอบซึ่งประกอบด้วย i. สื่อนำจากสารอินทรีย์; i i. สารเติม แต่งอนินทรีย์, ถ้ามีการใช้งาน; ii i. สารประกอบโลหะ-สารอินทรีย์ซึ่งประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (Sn), และบิสมัท (Bi) เป็นส่วนประกอบ; โดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ10:1 ถึง50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อรท อยู่ในช่วงของ1:1 ถึง15:1นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวช้องกับโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย i. ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, i i. ชั้นโลหะ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนและถูกเชื่อมต่อกับพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่ชั้นโลหะประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ รท อยู่ในช่วง ของ 10:1 ถึง50:1;และอัตราส่วนของ A1 ต่อรทอยู่ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับ โครงตั้งด้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย a) ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, b) องค์ประกอบ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่องค์ประกอบประกอบด้วยสารประกอบโลหะ- สารอินทรีย์ที่ประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่ อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn ในองค์ประกอบอยู่ในช่วงของ 10:1 ถึง 50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1 อีกทั้งการประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตโครงสร้างแบบลำดับชั้น ซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ: ร 1. การให้ซับสเตรตที่มีพื้นผิว; S 2. การวางองค์ประกอบแรกลงบนอย่างน้อย บางส่วนของพื้นผิวในขณะที่ได้โครงตั้งต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้น; S 3. การทำการบำบัดโครงตั้ง ต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นที่อุณหภูมิอย่างน้อย 500 องศาเซลเซียส (รูปที่ 4) ------------------------------------------------------------------ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แก้ไข 26 พฤษภาคม 2560
1. องค์ประกอบ (40) ซึ่งประกอบด้วย, เป็นส่วนประกอบ, i. สื่อนำจากสารอินทรีย์; i i. สารเติมแต่งอนินทรีย์, ถ้ามีการใช้งาน; ii i. สารประกอบโลหะ-สารอินทรีย์ที่ประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (Sn), และบิสมัท (Bi); โดยที่ - อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn อยู่ในช่วงของ 10:1 ถึง 50:1; และ - อัตราส่วนของ แท็ก :
TH802002252F 2015-11-03 องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof) TH101570B (th)

Publications (4)

Publication Number Publication Date
TH101570S TH101570S (th) 2010-05-31
TH33259S1 TH33259S1 (th) 2012-07-26
TH173768A true TH173768A (th) 2018-03-02
TH101570B TH101570B (th) 2024-07-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015091781A3 (en) Method of producing transition metal dichalcogenide layer
MX381385B (es) Método de fabricación de un panel de construcción y un panel de construción.
FR2963982B1 (fr) Procede de collage a basse temperature
WO2008149584A1 (ja) 電子部品装置およびその製造方法
MX337755B (es) Propulsor recubierto de polvo y metodo para hacer el mismo.
EA201692363A1 (ru) Подложка, снабженная многослойной системой с дискретными металлическими слоями, стеклопакет, применение и способ
WO2015034768A8 (en) Methods for manufacturing an additively manufactured fuel contacting component to facilitate reducing coke formation
WO2010081959A3 (fr) Complexes organometalliques pour le depot chimique en phase vapeur de platine
WO2015082697A3 (en) Bearing element and method for manufacturing a bearing element
WO2011092017A8 (de) Verfahren zur herstellung eines beschichteten gegenstands mit texturätzen
WO2015191280A3 (en) Powder coatings
FR2935067B1 (fr) Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice plan de masse enterre
ATE501523T1 (de) Selektive bildung einer verbindung, die ein halbleitermaterial und ein metallmaterial in einem substrat enthält, mit hilfe einer germaniumoxydschicht
EA201692364A1 (ru) Подложка, снабженная многослойной системой с дискретными металлическими слоями, стеклопакет, применение и способ
TW200737474A (en) Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom
TH173768A (th) องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof)
TW200735215A (en) Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device
WO2018236744A3 (en) REFRACTORY ARTICLE, COATING COMPOSITION FOR PREVENTING REDOX REACTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE REFRACTORY ARTICLE
WO2015007983A3 (fr) Procede de fabrication d'une sous-couche metallique a base de platine sur un substrat metallique
TH101570B (th) องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof)
EP2642515A3 (en) Semiconductor element and method of manufacturing same
JP2018006450A5 (th)
EP2654078A3 (de) Halbleiterbauelement-Verbundstruktur mit Wärmeableitstruktur und dazugehöriges Herstellungsverfahren
HK1128854A2 (zh) 组合两个构件的方法
JP2010021473A5 (th)