TH173768A - องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof) - Google Patents
องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof)Info
- Publication number
- TH173768A TH173768A TH802002252F TH0802002252F TH173768A TH 173768 A TH173768 A TH 173768A TH 802002252 F TH802002252 F TH 802002252F TH 0802002252 F TH0802002252 F TH 0802002252F TH 173768 A TH173768 A TH 173768A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- ratio
- metal
- composition
- hierarchical structure
- gold
- Prior art date
Links
Abstract
แก้ไข 27/1/59 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับองค์ประกอบซึ่งประกอบด้วย i. สื่อนำจากสารอินทรีย์; ii. สารเติม แต่งอนินทรีย์, ถ้ามีการใช้งาน; iii. สารประกอบโลหะ-สารอินทรีย์ซึ่งประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (Sn), และบิสมัท (Bi) เป็นส่วนประกอบ; โดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ10:1 ถึง50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อรท อยู่ในช่วงของ1:1 ถึง15:1นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวช้องกับโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย i. ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, ii. ชั้นโลหะ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนและถูกเชื่อมต่อกับพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่ชั้นโลหะประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ รท อยู่ในช่วง ของ 10:1 ถึง50:1;และอัตราส่วนของ A1 ต่อรทอยู่ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับ โครงตั้งด้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย a) ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, b) องค์ประกอบ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่องค์ประกอบประกอบด้วยสารประกอบโลหะ- สารอินทรีย์ที่ประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่ อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn ในองค์ประกอบอยู่ในช่วงของ 10:1 ถึง 50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1 อีกทั้งการประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตโครงสร้างแบบลำดับชั้น ซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ: ร1. การให้ซับสเตรตที่มีพื้นผิว; S2. การวางองค์ประกอบแรกลงบนอย่างน้อย บางส่วนของพื้นผิวในขณะที่ได้โครงตั้งต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้น; S3. การทำการบำบัดโครงตั้ง ต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นที่อุณหภูมิอย่างน้อย 500 องศาเซลเซียส (รูปที่ 4) ------------------------------------------------------------------
Claims (1)
1. องค์ประกอบ (40) ซึ่งประกอบด้วย, เป็นส่วนประกอบ, i. สื่อนำจากสารอินทรีย์; i i. สารเติมแต่งอนินทรีย์, ถ้ามีการใช้งาน; ii i. สารประกอบโลหะ-สารอินทรีย์ที่ประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (Sn), และบิสมัท (Bi); โดยที่ - อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn อยู่ในช่วงของ 10:1 ถึง 50:1; และ - อัตราส่วนของ แท็ก :
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH101570S TH101570S (th) | 2010-05-31 |
| TH33259S1 TH33259S1 (th) | 2012-07-26 |
| TH173768A true TH173768A (th) | 2018-03-02 |
| TH101570B TH101570B (th) | 2024-07-01 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2015091781A3 (en) | Method of producing transition metal dichalcogenide layer | |
| MX381385B (es) | Método de fabricación de un panel de construcción y un panel de construción. | |
| FR2963982B1 (fr) | Procede de collage a basse temperature | |
| WO2008149584A1 (ja) | 電子部品装置およびその製造方法 | |
| MX337755B (es) | Propulsor recubierto de polvo y metodo para hacer el mismo. | |
| EA201692363A1 (ru) | Подложка, снабженная многослойной системой с дискретными металлическими слоями, стеклопакет, применение и способ | |
| WO2015034768A8 (en) | Methods for manufacturing an additively manufactured fuel contacting component to facilitate reducing coke formation | |
| WO2010081959A3 (fr) | Complexes organometalliques pour le depot chimique en phase vapeur de platine | |
| WO2015082697A3 (en) | Bearing element and method for manufacturing a bearing element | |
| WO2011092017A8 (de) | Verfahren zur herstellung eines beschichteten gegenstands mit texturätzen | |
| WO2015191280A3 (en) | Powder coatings | |
| FR2935067B1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice plan de masse enterre | |
| ATE501523T1 (de) | Selektive bildung einer verbindung, die ein halbleitermaterial und ein metallmaterial in einem substrat enthält, mit hilfe einer germaniumoxydschicht | |
| EA201692364A1 (ru) | Подложка, снабженная многослойной системой с дискретными металлическими слоями, стеклопакет, применение и способ | |
| TW200737474A (en) | Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom | |
| TH173768A (th) | องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof) | |
| TW200735215A (en) | Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device | |
| WO2018236744A3 (en) | REFRACTORY ARTICLE, COATING COMPOSITION FOR PREVENTING REDOX REACTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE REFRACTORY ARTICLE | |
| WO2015007983A3 (fr) | Procede de fabrication d'une sous-couche metallique a base de platine sur un substrat metallique | |
| TH101570B (th) | องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof) | |
| EP2642515A3 (en) | Semiconductor element and method of manufacturing same | |
| JP2018006450A5 (th) | ||
| EP2654078A3 (de) | Halbleiterbauelement-Verbundstruktur mit Wärmeableitstruktur und dazugehöriges Herstellungsverfahren | |
| HK1128854A2 (zh) | 组合两个构件的方法 | |
| JP2010021473A5 (th) |