TH101570B - องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof) - Google Patents
องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof)Info
- Publication number
- TH101570B TH101570B TH802002252F TH0802002252F TH101570B TH 101570 B TH101570 B TH 101570B TH 802002252 F TH802002252 F TH 802002252F TH 0802002252 F TH0802002252 F TH 0802002252F TH 101570 B TH101570 B TH 101570B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- composition
- ratio
- range
- metal
- hierarchical structure
- Prior art date
Links
Abstract
แก้ไข 27/1/59 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับองค์ประกอบซึ่งประกอบด้วย i. สื่อนำจากสารอินทรีย์; ii. สารเติม แต่งอนินทรีย์, ถ้ามีการใช้งาน; iii. สารประกอบโลหะ-สารอินทรีย์ซึ่งประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (Sn), และบิสมัท (Bi) เป็นส่วนประกอบ; โดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ10:1 ถึง50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อรท อยู่ในช่วงของ1:1 ถึง15:1นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวช้องกับโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย i. ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, ii. ชั้นโลหะ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนและถูกเชื่อมต่อกับพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่ชั้นโลหะประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ รท อยู่ในช่วง ของ 10:1 ถึง50:1;และอัตราส่วนของ A1 ต่อรทอยู่ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับ โครงตั้งด้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย a) ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, b) องค์ประกอบ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่องค์ประกอบประกอบด้วยสารประกอบโลหะ- สารอินทรีย์ที่ประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่ อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn ในองค์ประกอบอยู่ในช่วงของ 10:1 ถึง 50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1 อีกทั้งการประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตโครงสร้างแบบลำดับชั้น ซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ: ร1. การให้ซับสเตรตที่มีพื้นผิว; S2. การวางองค์ประกอบแรกลงบนอย่างน้อย บางส่วนของพื้นผิวในขณะที่ได้โครงตั้งต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้น; S3. การทำการบำบัดโครงตั้ง ต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นที่อุณหภูมิอย่างน้อย 500 องศาเซลเซียส (รูปที่ 4) ------------------------------------------------------------------
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH101570S TH101570S (th) | 2010-05-31 |
| TH33259S1 TH33259S1 (th) | 2012-07-26 |
| TH173768A TH173768A (th) | 2018-03-02 |
| TH101570B true TH101570B (th) | 2024-07-01 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2015091781A3 (en) | Method of producing transition metal dichalcogenide layer | |
| WO2011153095A3 (en) | Metal gate structures and methods for forming thereof | |
| MX2009005005A (es) | Un metodo para la produccion de capas delgadas de materiales mixtos de metal-ceramica. | |
| WO2012138480A3 (en) | Methods for producing complex films, and films produced thereby | |
| GB2567363A (en) | Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices | |
| GB2498904A (en) | Hole injection layers | |
| FR2963982B1 (fr) | Procede de collage a basse temperature | |
| WO2015053833A3 (en) | High temperature additive manufacturing for organic matrix composites | |
| DE502008003135D1 (de) | Verbund aus mindestens zwei halbleitersubstraten sowie herstellungsverfahren | |
| WO2015082697A3 (en) | Bearing element and method for manufacturing a bearing element | |
| JP2013520844A5 (th) | ||
| TW200639269A (en) | Plating method | |
| JP2010082857A5 (th) | ||
| JP2013528947A5 (th) | ||
| WO2012004137A3 (en) | Method to form solder deposits on substrates | |
| JP2010219515A5 (th) | ||
| WO2009046476A8 (de) | Verfahren zur herstellung eines gleitlagerelements mit einer bismuthaltigen gleitschicht | |
| WO2011092017A8 (de) | Verfahren zur herstellung eines beschichteten gegenstands mit texturätzen | |
| PH12019500371A1 (en) | A method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and a semiconductor device | |
| WO2010081959A3 (fr) | Complexes organometalliques pour le depot chimique en phase vapeur de platine | |
| WO2015090991A3 (de) | Verfahren zur herstellung strukturierter metallischer beschichtungen | |
| FR2935067B1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice plan de masse enterre | |
| WO2019036081A3 (en) | DEPOSIT METHODOLOGY FOR SUPERCONDUCTING INTERCONNECTIONS | |
| TH101570B (th) | องค์ประกอบของของตกแต่งสีทองกับองค์ประกอบโลหะที่ถูกเลือก ตลอดจนวิธีการสำหรับการผลิตองค์ประกอบดังกล่าว (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof) | |
| MY143624A (en) | Method of manufacturing pattern-forming metal structures on a carrier substrate |