TH101570B - Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof - Google Patents

Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof

Info

Publication number
TH101570B
TH101570B TH802002252F TH0802002252F TH101570B TH 101570 B TH101570 B TH 101570B TH 802002252 F TH802002252 F TH 802002252F TH 0802002252 F TH0802002252 F TH 0802002252F TH 101570 B TH101570 B TH 101570B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
composition
ratio
range
metal
hierarchical structure
Prior art date
Application number
TH802002252F
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH101570S (en
TH33259S1 (en
TH173768A (en
Inventor
ธรรมเสริมสร้าง นายสมหมาย
ฮูเพล แพทริเซีย
ไมเคิล มัลเตอร์ ฮานส์
Original Assignee
บริษัท ไมเคิลเท็กซ์ไทล์ จำกัด
เฮเรอุส ดอยท์ชแลนด์ จีเอ็มบีเอช แอนด์ โค เคจี (นิติบุคคลจัดตั้งขึ้นตามกฎหมายแห่งสหพันธ์สาธารณรัฐเยอรมนี)
Filing date
Publication date
Publication of TH101570S publication Critical patent/TH101570S/en
Publication of TH33259S1 publication Critical patent/TH33259S1/en
Application filed by บริษัท ไมเคิลเท็กซ์ไทล์ จำกัด, เฮเรอุส ดอยท์ชแลนด์ จีเอ็มบีเอช แอนด์ โค เคจี (นิติบุคคลจัดตั้งขึ้นตามกฎหมายแห่งสหพันธ์สาธารณรัฐเยอรมนี) filed Critical บริษัท ไมเคิลเท็กซ์ไทล์ จำกัด
Publication of TH173768A publication Critical patent/TH173768A/en
Publication of TH101570B publication Critical patent/TH101570B/en

Links

Abstract

แก้ไข 27/1/59 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับองค์ประกอบซึ่งประกอบด้วย i. สื่อนำจากสารอินทรีย์; ii. สารเติม แต่งอนินทรีย์, ถ้ามีการใช้งาน; iii. สารประกอบโลหะ-สารอินทรีย์ซึ่งประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (Sn), และบิสมัท (Bi) เป็นส่วนประกอบ; โดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ10:1 ถึง50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อรท อยู่ในช่วงของ1:1 ถึง15:1นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวช้องกับโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย i. ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, ii. ชั้นโลหะ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนและถูกเชื่อมต่อกับพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่ชั้นโลหะประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่อัตราส่วนของ Bi ต่อ รท อยู่ในช่วง ของ 10:1 ถึง50:1;และอัตราส่วนของ A1 ต่อรทอยู่ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับ โครงตั้งด้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นซึ่งประกอบด้วย a) ซับสเตรตที่มีพื้นผิว, b) องค์ประกอบ ซึ่ง อย่างน้อยบางส่วนถูกวางไว้บนพื้นผิวดังกล่าว; โดยที่องค์ประกอบประกอบด้วยสารประกอบโลหะ- สารอินทรีย์ที่ประกอบด้วยโลหะ, ทอง (Au), อะลูมิเนียม (A1), ดีบุก (รท), และบิสมัท (Bi); และโดยที่ อัตราส่วนของ Bi ต่อ Sn ในองค์ประกอบอยู่ในช่วงของ 10:1 ถึง 50:1; และอัตราส่วนของ A1 ต่อ Sn อยู่ ในช่วงของ 1:1 ถึง 15:1 อีกทั้งการประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตโครงสร้างแบบลำดับชั้น ซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ: ร1. การให้ซับสเตรตที่มีพื้นผิว; S2. การวางองค์ประกอบแรกลงบนอย่างน้อย บางส่วนของพื้นผิวในขณะที่ได้โครงตั้งต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้น; S3. การทำการบำบัดโครงตั้ง ต้นของโครงสร้างแบบลำดับชั้นที่อุณหภูมิอย่างน้อย 500 องศาเซลเซียส (รูปที่ 4) ------------------------------------------------------------------Edited 27/1/59 The present invention relates to a composition comprising i. an organic conductive medium; ii. an inorganic filler, if used; iii. a metal-organic compound comprising metal, gold (Au), aluminum (A1), tin (Sn), and bismuth (Bi) as components; wherein the ratio of Bi to Sn is in the range of 10:1 to 50:1; and the ratio of A1 to oxide is in the range of 1:1 to 15:1. The invention also relates to a hierarchical structure comprising i. a surface substrate; ii. a metal layer, at least partially deposited on and bonded to the substrate; wherein the metal layer comprises metal, gold (Au), aluminum (A1), tin (IoT), and bismuth (Bi); and wherein the ratio of Bi to oxide is in the range of 10:1 to 50:1; and the ratio of A1 to oxide is in the range of 1:1 to 15:1. The invention also relates to A framework of a hierarchical structure comprising a) a substrate having a surface, b) a composition, at least partially deposited on said surface; wherein the composition comprises a metal-organic compound consisting of metal, gold (Au), aluminum (A1), tin (I), and bismuth (Bi); and wherein the ratio of Bi to Sn in the composition is in the range of 10:1 to 50:1; and the ratio of A1 to Sn is in the range of 1:1 to 15:1. The invention further relates to a method of producing a hierarchical structure comprising the steps of: 1. providing a substrate having a surface; 2. depositing the first composition on at least some of the surface while obtaining the hierarchical structure precursor; 3. treating the hierarchical structure precursor at a temperature of at least 500 °C (Fig. 4). ------------------------------------------------------------------

TH802002252F 2015-11-03 Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof TH101570B (en)

Publications (4)

Publication Number Publication Date
TH101570S TH101570S (en) 2010-05-31
TH33259S1 TH33259S1 (en) 2012-07-26
TH173768A TH173768A (en) 2018-03-02
TH101570B true TH101570B (en) 2024-07-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015091781A3 (en) Method of producing transition metal dichalcogenide layer
WO2011156705A3 (en) Selective formation of metallic films on metallic surfaces
MX2009005005A (en) Method for the production of thin layers of metal-ceramic composite materials.
WO2012138480A3 (en) Methods for producing complex films, and films produced thereby
GB2567363A (en) Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices
FR2963982B1 (en) LOW TEMPERATURE BONDING PROCESS
WO2015082697A3 (en) Bearing element and method for manufacturing a bearing element
JP2013520844A5 (en)
JP2010082857A5 (en)
JP2013528947A5 (en)
WO2012004137A3 (en) Method to form solder deposits on substrates
WO2015017069A3 (en) Mechanical joining using additive manufacturing process
JP2010219515A5 (en)
WO2011092017A8 (en) Method for producing a coated item by means of texture etching
PH12019500371A1 (en) A method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and a semiconductor device
WO2010081959A3 (en) Organometallic complexes for chemical vapour deposition of platinum
WO2007031930A3 (en) Method of manufacturing semiconductor device with different metallic gates
WO2015090991A3 (en) Method for producing patterned metallic coatings
FR2935067B1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE BODY MASS PLAN
WO2019036081A3 (en) Deposition methodology for superconductor interconnects
TH101570B (en) Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof
MY143624A (en) Method of manufacturing pattern-forming metal structures on a carrier substrate
WO2015007983A3 (en) Method for producing a metal sublayer made from platinum on a metal substrate
TH173768A (en) Golden decorative elements with selected metal elements As well as methods for the production of such elements (Gold decor composition with selected metal composition as well as method for the production thereof).
TW201714318A (en) Solar cell structure and method for manufacturing the same