TH15407B - เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรดความร้อนแบบโบโลมิเตอร์ที่ใช้ฟิล์มสารกึ่งตัวนำ - Google Patents
เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรดความร้อนแบบโบโลมิเตอร์ที่ใช้ฟิล์มสารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH15407B TH15407B TH9101000533A TH9101000533A TH15407B TH 15407 B TH15407 B TH 15407B TH 9101000533 A TH9101000533 A TH 9101000533A TH 9101000533 A TH9101000533 A TH 9101000533A TH 15407 B TH15407 B TH 15407B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- detector
- infrared radiation
- substrate
- thermal infrared
- complies
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- -1 Nickel-Chromium Platinum Platinum Chemical compound 0.000 claims 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
Abstract
เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนประกอบด้วย ไดอิเล็กทริกเพลลิเคิล (5) ที่แขวนไว้เหนือโพรงในซับสเตรต (6) เยื่อบางที่รองรับอุปกรณ์ตรวจจับ (1) ประกอบด้วย ชั้นสารกึ่งตัวนำไวต่อความร้อน (3) ระหว่างคู่หนึ่งของส่วนสัมผัสโลหะฟิล์มบาง (2,4) ซึ่งถูกสะสมไว้บนเยื่อบาง โพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซืและการเอาวัสดุซับสเตรตออกผ่านรูหรือร่อง (8) ในผิวหน้าของซับเสตรต
Claims (7)
1.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรดความร้อน หรือเครื่องตรวจจับชนิดแถวสองมิติแต่ละส่วนตรวจจับประกอบด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำไวต่อความร้อนและส่วนสัมผัสโลหะฟิล์มบาง ส่วนประกอบเหล่านี้ถูกพอกสะสมบนไดอิเล็กทริกแพลลิเคิลของวัสดุที่มีการนำความร้อนต่ำ ที่แขวนเหนือโพรงในซับสเตรตรองรับ โพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซ์ และการเอาวัสดุซับสเตรตข้างใต้ออกผ่านรูหรือช่องที่สร้างขึ้นที่ผิวหน้าของซับสเตรต
2.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งซับสเตรตคือเวเฟอร์ซิลิคอนผลึกเดี่ยวและโพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซ์แอนไอโซโทรปิกโดยใช้ลาเอทซ์เคมีที่คัดเลือกไว้ชนิดใดชนิดหนึ่งต่อไปนี้ไฮดราซีนเอธิลีนไดเอมีนไพโรแคทีคอลหรือโพแทสเซียมไฮดรอกไซด์
3.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1ซึ่งส่วนประกอบที่ไวต่อความร้อนคือชั้นของซิลิคอนกึ่งตัวนำซึ่งเตรียมโดยการจับเกาะแบบสปัตเตอร์หรือการจับเกาะไอเคมี
4.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งส่วนสัมผัสไฟฟ้าถูกสร้างบนชั้นสารกึ่งตัวนำเป็นชั้นบางๆชั้นหนึ่งหรือหลายชั้นของนิเกิล นิเกิล-โครเมียม พลาดินัม พลาดินัมซิลิไซด์หรือแทนทาลัมซิลิไซด์
5.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งการดูดซึมรังสีอินฟราเรตทำได้โดยวิถีทางของส่วนกรองการแทรกสอดที่มีส่วนประกอบประกอบด้วยชั้นของสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ3และหนึ่งหรือมากกว่าของชั้นโลหะของข้อถือสิทธิ4
6.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งเพลลิเคิลเป็นสารไดอิเล็กทริกอนินทรีย์ที่ประกอบด้วยชั้นหนึ่งของชั้นอะลูเนียมออกไซด์ซิลิคอนไนไตรด์หรือซิลิคอนออกซิไนไตร์หรือชั้นโพลีอิไมด์
7.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตควาร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้างต้นซึ่งเครื่องขยายสัญญาณการไบแอสแรงดันไฟฟ้า การชักตัวอย่างคงไว้ และวงจรอิเล็กทรอนิกส์มันติเพล็กซ์ที่อยู่รวมกันถูกสร้างอยู่บนซับสเตรตซิลิคอนเดียวกัน
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21079A TH21079A (th) | 1996-10-15 |
| TH15407B true TH15407B (th) | 2003-09-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1184642A (en) | Infrared radiation detector | |
| Liddiard | Thin-film resistance bolometer IR detectors | |
| Lahiji et al. | A batch-fabricated silicon thermopile infrared detector | |
| EP0526551B1 (en) | Semiconductor film bolometer thermal infrared detector | |
| US5100479A (en) | Thermopile infrared detector with semiconductor supporting rim | |
| JP2834202B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
| US4558342A (en) | Thermoelectric infrared detector array | |
| US5021663A (en) | Infrared detector | |
| KR100265472B1 (ko) | 비냉각 적외선 검출기 및 그 형성방법 | |
| Iborra et al. | IR uncooled bolometers based on amorphous Ge/sub x/Si/sub 1-x/O/sub y/on silicon micromachined structures | |
| WO2002008707A1 (en) | Active or self-biasing micro-bolometer infrared detector | |
| GB2144908A (en) | Bolometer | |
| Dobrzański et al. | Micromachined silicon bolometers as detectors of soft X-ray, ultraviolet, visible and infrared radiation | |
| Johnson et al. | Epitaxial YBa2Cu3O7 superconducting infrared microbolometers on silicon | |
| TH15407B (th) | เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรดความร้อนแบบโบโลมิเตอร์ที่ใช้ฟิล์มสารกึ่งตัวนำ | |
| TH21079A (th) | เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรดความร้อนแบบโบโลมิเตอร์ที่ใช้ฟิล์มสารกึ่งตัวนำ | |
| JP2811709B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| KR100894500B1 (ko) | 써모파일 센서 및 그 제조방법 | |
| Almasri et al. | Semiconducting YBaCuO microbolometers for uncooled broadband IR sensing | |
| JPH08159866A (ja) | 赤外線センサ | |
| JP3235361B2 (ja) | 赤外線検知素子 | |
| JP2002221445A (ja) | 熱型赤外線センサおよびこのセンサに用いる赤外線吸収膜の形成方法 | |
| EP3811043B1 (en) | A high bandwidth thermoelectric thin film uv, visible light and infrared radiation sensor and a method for manufacturing thereof | |
| JPH02206733A (ja) | 赤外線センサ | |
| KR950008925B1 (ko) | 박막형 가스센서 및 그 제조방법 |