TH15407B - Thermal Bollometric Infrared Ray Detector using semiconductor film - Google Patents

Thermal Bollometric Infrared Ray Detector using semiconductor film

Info

Publication number
TH15407B
TH15407B TH9101000533A TH9101000533A TH15407B TH 15407 B TH15407 B TH 15407B TH 9101000533 A TH9101000533 A TH 9101000533A TH 9101000533 A TH9101000533 A TH 9101000533A TH 15407 B TH15407 B TH 15407B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
detector
infrared radiation
substrate
thermal infrared
complies
Prior art date
Application number
TH9101000533A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH21079A (en
Inventor
ชาร์ลส์ ลิดไดอาร์ต เควิน
Original Assignee
นายคนัมพร ประเทืองพงศ์
นายสมพงษ์ สินประสิทธิ์
นายสมพงษ์ สินประสิทธิ์ นายคนัมพร ประเทืองพงศ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายคนัมพร ประเทืองพงศ์, นายสมพงษ์ สินประสิทธิ์, นายสมพงษ์ สินประสิทธิ์ นายคนัมพร ประเทืองพงศ์ filed Critical นายคนัมพร ประเทืองพงศ์
Publication of TH21079A publication Critical patent/TH21079A/en
Publication of TH15407B publication Critical patent/TH15407B/en

Links

Abstract

เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนประกอบด้วย ไดอิเล็กทริกเพลลิเคิล (5) ที่แขวนไว้เหนือโพรงในซับสเตรต (6) เยื่อบางที่รองรับอุปกรณ์ตรวจจับ (1) ประกอบด้วย ชั้นสารกึ่งตัวนำไวต่อความร้อน (3) ระหว่างคู่หนึ่งของส่วนสัมผัสโลหะฟิล์มบาง (2,4) ซึ่งถูกสะสมไว้บนเยื่อบาง โพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซืและการเอาวัสดุซับสเตรตออกผ่านรูหรือร่อง (8) ในผิวหน้าของซับเสตรต Thermal infrared radiation detectors consist of The dielectric pellicle (5) suspended above the cavity in the substrate (6). The membrane supporting the detector (1) consists of a heat-sensitive semiconductor layer (3) between the pairs. One of the thin film metal contacts (2,4) deposited on the membrane. Cavities are created by etching and removing the substrate through holes or grooves (8) in the substrate surface.

Claims (7)

1.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรดความร้อน หรือเครื่องตรวจจับชนิดแถวสองมิติแต่ละส่วนตรวจจับประกอบด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำไวต่อความร้อนและส่วนสัมผัสโลหะฟิล์มบาง ส่วนประกอบเหล่านี้ถูกพอกสะสมบนไดอิเล็กทริกแพลลิเคิลของวัสดุที่มีการนำความร้อนต่ำ ที่แขวนเหนือโพรงในซับสเตรตรองรับ โพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซ์ และการเอาวัสดุซับสเตรตข้างใต้ออกผ่านรูหรือช่องที่สร้างขึ้นที่ผิวหน้าของซับสเตรต1.Heat infrared ray detector Each detector consists of a heat-sensitive semiconductor layer and a thin-film metal contact. These components are deposited on the dielectric pallic of a material with low thermal conductivity. Hanging above the hollow in the supporting substrate The cavity was created by an etz. And removing the underlying substrate through holes or holes created on the surface of the substrate. 2.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งซับสเตรตคือเวเฟอร์ซิลิคอนผลึกเดี่ยวและโพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซ์แอนไอโซโทรปิกโดยใช้ลาเอทซ์เคมีที่คัดเลือกไว้ชนิดใดชนิดหนึ่งต่อไปนี้ไฮดราซีนเอธิลีนไดเอมีนไพโรแคทีคอลหรือโพแทสเซียมไฮดรอกไซด์2. Thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1. The substrate is a mono-crystalline silicon wafer, and the cavity is formed by an isotropic etch using one of the following selected chemical laets. Ndiamine, pyrocathicol or potassium hydroxide 3.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1ซึ่งส่วนประกอบที่ไวต่อความร้อนคือชั้นของซิลิคอนกึ่งตัวนำซึ่งเตรียมโดยการจับเกาะแบบสปัตเตอร์หรือการจับเกาะไอเคมี3. The thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1, where the heat sensitive component is a layer of semiconductor silicon, prepared by sputtering bonding or Catch the chemical vapor. 4.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งส่วนสัมผัสไฟฟ้าถูกสร้างบนชั้นสารกึ่งตัวนำเป็นชั้นบางๆชั้นหนึ่งหรือหลายชั้นของนิเกิล นิเกิล-โครเมียม พลาดินัม พลาดินัมซิลิไซด์หรือแทนทาลัมซิลิไซด์4. Thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1. The electrical contact is made up of one or more thin layers of a semiconductor layer of nickel. Nickel-Chromium Platinum Platinum Silicide or Tantalum Silicide 5.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งการดูดซึมรังสีอินฟราเรตทำได้โดยวิถีทางของส่วนกรองการแทรกสอดที่มีส่วนประกอบประกอบด้วยชั้นของสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ3และหนึ่งหรือมากกว่าของชั้นโลหะของข้อถือสิทธิ45.Thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1. The absorption of infrared radiation is achieved by means of an interference filter containing a component consisting of a semiconductor layer according to claim 3 and one or more of the metal layer of claim 4. 6.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งเพลลิเคิลเป็นสารไดอิเล็กทริกอนินทรีย์ที่ประกอบด้วยชั้นหนึ่งของชั้นอะลูเนียมออกไซด์ซิลิคอนไนไตรด์หรือซิลิคอนออกซิไนไตร์หรือชั้นโพลีอิไมด์6.Thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1. Which pellicl is an inorganic dielectric compound composed of a layer of aluminum oxide, silicon nitride or silicon oxinitride or polyimide layer. 7.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตควาร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้างต้นซึ่งเครื่องขยายสัญญาณการไบแอสแรงดันไฟฟ้า การชักตัวอย่างคงไว้ และวงจรอิเล็กทรอนิกส์มันติเพล็กซ์ที่อยู่รวมกันถูกสร้างอยู่บนซับสเตรตซิลิคอนเดียวกัน7. Thermal infrared radiation detector or detector array complies with the above claims, which voltage bias amplifier Sampling maintained And the combined mantiplex electronic circuits are built on the same silicon substrate.
TH9101000533A 1991-04-25 Thermal Bollometric Infrared Ray Detector using semiconductor film TH15407B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH21079A TH21079A (en) 1996-10-15
TH15407B true TH15407B (en) 2003-09-26

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1184642A (en) Infrared radiation detector
Liddiard Thin-film resistance bolometer IR detectors
US5059543A (en) Method of manufacturing thermopile infrared detector
EP0526551B1 (en) Semiconductor film bolometer thermal infrared detector
Lahiji et al. A batch-fabricated silicon thermopile infrared detector
US5100479A (en) Thermopile infrared detector with semiconductor supporting rim
JP2834202B2 (en) Infrared detector
US5021663A (en) Infrared detector
KR100265472B1 (en) Uncooled infrared detector and method for forming the same
US5264375A (en) Superconducting detector and method of making same
Iborra et al. IR uncooled bolometers based on amorphous Ge/sub x/Si/sub 1-x/O/sub y/on silicon micromachined structures
WO2002008707A1 (en) Active or self-biasing micro-bolometer infrared detector
GB2144908A (en) Bolometer
Dobrzański et al. Micromachined silicon bolometers as detectors of soft X-ray, ultraviolet, visible and infrared radiation
Johnson et al. Epitaxial YBa2Cu3O7 superconducting infrared microbolometers on silicon
TH15407B (en) Thermal Bollometric Infrared Ray Detector using semiconductor film
TH21079A (en) Thermal Bollometric Infrared Ray Detector using semiconductor film
Gray et al. Semiconducting YBaCuO as infrared-detecting bolometers
KR100894500B1 (en) Thermopile sensor and manufacturing method
JP3235361B2 (en) Infrared detector
JP2002221445A (en) Thermal type infrared sensor and method for producing infrared absorbing membrane employed in the same
EP3811043B1 (en) A high bandwidth thermoelectric thin film uv, visible light and infrared radiation sensor and a method for manufacturing thereof
Ho et al. The dynamic response analysis of a pyroelectric thin-film infrared sensor with thermal isolation improvement structure
JPH02206733A (en) Infrared ray sensor
JPS5924370B2 (en) Infrared detector manufacturing method