Claims (7)
1. เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรดความร้อน หรือเครื่องตรวจจับชนิดแถวสองมิติแต่ละส่วนตรวจจับประกอบด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำไวต่อความร้อนและส่วนสัมผัสโลหะฟิล์มบาง ส่วนประกอบเหล่านี้ถูกพอกสะสมบนไดอิเล็กทริกแพลลิเคิลของวัสดุที่มีการนำความร้อนต่ำ ที่แขวนเหนือโพรงในซับสเตรตรองรับ โพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซ์ และการเอาวัสดุซับสเตรตข้างใต้ออกผ่านรูหรือช่องที่สร้างขึ้นที่ผิวหน้าของซับสเตรต1. Thermal infrared detectors, or two-dimensional array detectors, each sensing segment consists of a heat-sensitive semiconductor layer and a thin-film metal contact. These components are deposited on a dielectric pallicle of low thermal conductivity material suspended above a cavity in a supporting substrate. The cavity is created by etching, and the underlying substrate material is removed through holes or channels created on the substrate surface.
2. เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งซับสเตรตคือเวเฟอร์ซิลิคอนผลึกเดี่ยวและโพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซ์แอนไอโซโทรปิกโดยใช้ลาเอทซ์เคมีที่คัดเลือกไว้ชนิดใดชนิดหนึ่งต่อไปนี้ไฮดราซีนเอธิลีนไดเอมีนไพโรแคทีคอลหรือโพแทสเซียมไฮดรอกไซด์2. A thermal infrared detector or array detector conforms to claim 1, whereby the substrate is a single-crystal silicon wafer and the cavity is created by anisotropic etching using one of the following selective Laetz chemistries: hydrazine, ethylenediamine pyrochemical, or potassium hydroxide.
3. เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1ซึ่งส่วนประกอบที่ไวต่อความร้อนคือชั้นของซิลิคอนกึ่งตัวนำซึ่งเตรียมโดยการจับเกาะแบบสปัตเตอร์หรือการจับเกาะไอเคมี3. The thermal infrared radiation detector or array detector conforms to claim 1, in which the thermally sensitive component is a layer of semiconductor silicon prepared by sputtering or chemical vapor deposition.
4. เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งส่วนสัมผัสไฟฟ้าถูกสร้างบนชั้นสารกึ่งตัวนำเป็นชั้นบางๆชั้นหนึ่งหรือหลายชั้นของนิเกิล นิเกิล-โครเมียม พลาดินัม พลาดินัมซิลิไซด์หรือแทนทาลัมซิลิไซด์4. Thermal infrared radiation detectors or array detectors conforming to claim 1, in which electrical contacts are built on a thin semiconductor layer, one or more layers, of nickel, nickel-chromium, platinum, platinum silicide, or tantalum silicide.
5. เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งการดูดซึมรังสีอินฟราเรตทำได้โดยวิถีทางของส่วนกรองการแทรกสอดที่มีส่วนประกอบประกอบด้วยชั้นของสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ3และหนึ่งหรือมากกว่าของชั้นโลหะของข้อถือสิทธิ45. A thermal infrared detector or array detector conforms to claim 1, in which infrared radiation is absorbed via an interference filter consisting of a semiconductor layer as per claim 3 and one or more metallic layers as per claim 4.
6. เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งเพลลิเคิลเป็นสารไดอิเล็กทริกอนินทรีย์ที่ประกอบด้วยชั้นหนึ่งของชั้นอะลูเนียมออกไซด์ซิลิคอนไนไตรด์หรือซิลิคอนออกซิไนไตร์หรือชั้นโพลีอิไมด์6. The thermal infrared detector or detector array conforms to claim 1, in which the pellekel is an inorganic dielectric material consisting of a layer of aluminum oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride or a polyimide layer.
7. เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตควาร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้างต้นซึ่งเครื่องขยายสัญญาณการไบแอสแรงดันไฟฟ้า การชักตัวอย่างคงไว้ และวงจรอิเล็กทรอนิกส์มันติเพล็กซ์ที่อยู่รวมกันถูกสร้างอยู่บนซับสเตรตซิลิคอนเดียวกัน7. The thermal infrared radiation detector or array detector conforms to the above claim, in which the voltage bias amplifier, sustained sampling, and integrated multiplex electronic circuitry are built on the same silicon substrate.