TH150226A - การห่อหุ้มฟิล์มบางของไดโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์ - Google Patents

การห่อหุ้มฟิล์มบางของไดโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์

Info

Publication number
TH150226A
TH150226A TH1301006362A TH1301006362A TH150226A TH 150226 A TH150226 A TH 150226A TH 1301006362 A TH1301006362 A TH 1301006362A TH 1301006362 A TH1301006362 A TH 1301006362A TH 150226 A TH150226 A TH 150226A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
layer
metal
oled
organic light
oxygen
Prior art date
Application number
TH1301006362A
Other languages
English (en)
Inventor
เจียนหัว
ฉาง
เฟ็ง
เอ็ดเวิร์ด
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายรุทร นพคุณ
ลินเดอ อัคเทียนเกเซลล์ชาฟท์
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายรุทร นพคุณ, ลินเดอ อัคเทียนเกเซลล์ชาฟท์ filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH150226A publication Critical patent/TH150226A/th

Links

Abstract

DC60 (07/11/56) วิธีการแบบต้นทุนต่ำ อุณหภูมิต่ำของการห่อหุ้มไดโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์(โอแอลอีดี) ซึ่งหลีกเลี่ยงความเสียหายต่ออุปกรณ์โอแอลอีดี วิธีการหนึ่งประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นสภาพ แพสซีฟของโลหะด้วยการใช้พลาสมา ยูวี-โอโซน หรือ การปฏิบัติด้วยสารเคมีชนิดเปียก ซึ่งใน วิธีการนี้ชั้นสภาพแพสซีฟของโลหะทำหน้าที่จะห่อหุ้มและปกป้องโอแอลอีดีจากความชื้นและ ออกซิเจน วิธีการอีกวิธีการหนึ่งประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นบัฟเฟอร์และชั้นโลหะบนโอแอลอีดี และต่อมาเป็นการปฏิบัติต่อชั้นโลหะด้วยการใช้พลาสมา ยูวี-โอโซน หรือการปฏิบัติด้วยสารเคมีชนิด เปียก เพื่อที่จะก่อรูปชั้นสภาพแพสซีฟของโลหะซึ่งทำหน้าที่ในการห่อหุ้มและปกป้องโอแอลอีดีจาก ความชื้นและออกซิเจน วิธีการแบบต้นทุ่นต่ำ อุณหภูมิต่ำของการห่อหุ้มไดโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์(โอแอลอีดี) ซึ่งหลีกเลี่ยงความเสียหายต่ออุปกรณ์โอแอลอีดี วิธีการหนึ่งประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นสภาพ แพสซีฟของโลหะด้วยการใช้พลาสมา ยูวี-โอโซน หรือ การปฏิบัติด้วยสารเคมีชนิดเปียก ซึ่งใน วิธีการนี้ชั้นสภาพแพสซีฟของโลหะทำหน้าที่จะห่อหุ้มและปกป้องโอแอลอีดีจากความชื้นและ ออกซิเจน วิธีการอีกวิธีการหนึ่งประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นบัฟเฟอร์และชั้นโลหะบนโอแอลอีดี และต่อมาเป็นการปฏิบัติต่อชั้นโลหะด้วยการใช้พลาสมา ยูวี-โอโซน หรือการปฏิบัติด้วยสารเคมีชนิด เปียก เพื่อที่จะก่อรูปชั้นสภาพแพสซีฟของโลหะซึ่งทำหน้าที่ในการห่อหุ้มและปกป้องโอแอลอีดีจาก ความชื้นและออกซิเจน

Claims (1)

: DC60 (07/11/56) วิธีการแบบต้นทุนต่ำ อุณหภูมิต่ำของการห่อหุ้มไดโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์(โอแอลอีดี) ซึ่งหลีกเลี่ยงความเสียหายต่ออุปกรณ์โอแอลอีดี วิธีการหนึ่งประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นสภาพ แพสซีฟของโลหะด้วยการใช้พลาสมา ยูวี-โอโซน หรือ การปฏิบัติด้วยสารเคมีชนิดเปียก ซึ่งใน วิธีการนี้ชั้นสภาพแพสซีฟของโลหะทำหน้าที่จะห่อหุ้มและปกป้องโอแอลอีดีจากความชื้นและ ออกซิเจน วิธีการอีกวิธีการหนึ่งประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นบัฟเฟอร์และชั้นโลหะบนโอแอลอีดี และต่อมาเป็นการปฏิบัติต่อชั้นโลหะด้วยการใช้พลาสมา ยูวี-โอโซน หรือการปฏิบัติด้วยสารเคมีชนิด เปียก เพื่อที่จะก่อรูปชั้นสภาพแพสซีฟของโลหะซึ่งทำหน้าที่ในการห่อหุ้มและปกป้องโอแอลอีดีจาก ความชื้นและออกซิเจน วิธีการแบบต้นทุ่นต่ำ อุณหภูมิต่ำของการห่อหุ้มไดโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์(โอแอลอีดี) ซึ่งหลีกเลี่ยงความเสียหายต่ออุปกรณ์โอแอลอีดี วิธีการหนึ่งประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นสภาพ แพสซีฟของโลหะด้วยการใช้พลาสมา ยูวี-โอโซน หรือ การปฏิบัติด้วยสารเคมีชนิดเปียก ซึ่งใน วิธีการนี้ชั้นสภาพแพสซีฟของโลหะทำหน้าที่จะห่อหุ้มและปกป้องโอแอลอีดีจากความชื้นและ ออกซิเจน วิธีการอีกวิธีการหนึ่งประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นบัฟเฟอร์และชั้นโลหะบนโอแอลอีดี และต่อมาเป็นการปฏิบัติต่อชั้นโลหะด้วยการใช้พลาสมา ยูวี-โอโซน หรือการปฏิบัติด้วยสารเคมีชนิด เปียก เพื่อที่จะก่อรูปชั้นสภาพแพสซีฟของโลหะซึ่งทำหน้าที่ในการห่อหุ้มและปกป้องโอแอลอีดีจาก ความชื้นและออกซิเจนข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :
1. วิธีการเพื่อการห่อหุ้มไอโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์ ซึ่งประกอบรวมด้วย: การจัดให้มีไดโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์ที่สร้างขึ้นซึ่งมีซับสเตรท ชั้นแอโนดซึ่งได้รับการ ก่อรูปขึ้นบนซับสเตรท ชั้นเปล่งแสงด้วยไฟฟ้าชนิดอินทรีย์ซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นบนชั้นแอโนด และชั้นแคโทดซึ่ได้รับการก่อรูปขึ้นเพื่อที่จะผลิตชั้นสภาพแพสซีฟบนพื้นผิวของชั้นแคโทดแท็ก :
TH1301006362A 2011-05-11 การห่อหุ้มฟิล์มบางของไดโอดเปล่งแสงชนิดอินทรีย์ TH150226A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH150226A true TH150226A (th) 2016-03-03

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011037938A3 (en) A method for encapsulation of organic electronic devices
EP2869345A3 (en) Organic light emitting display, method of fabricating the same
WO2010039009A3 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
EP2804231A3 (en) Organic light-emitting diode display, an electronic device including the same, and method of manufacturing said organic light-emitting diode display
EP2581958A3 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
JP2015505820A5 (th)
WO2012174550A3 (en) Mask management system and method for oled encapsulation
GB201116212D0 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
JP2013175738A5 (ja) 発光装置の作製方法
WO2012087067A3 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
WO2014051900A8 (en) Oled devices with internal outcoupling
EP2863447A3 (en) Organic light emitting device and method of fabricating the same
WO2014030872A3 (ko) 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
GB201203159D0 (en) Organic semiconductor compositions
JP2011029626A5 (ja) 半導体装置の作製方法、及び酸化物半導体層の作製方法
WO2007082674A3 (de) Elektrolumineszente lichtemissionseinrichtung mit eineranordnung organisher schichten und verfahren zum herstellen
EP2348529A3 (en) Organic light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same
TW201444137A (zh) 有機光電元件之封裝結構以及封裝方法
JP2012212813A5 (th)
KR102216672B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2018085715A3 (en) Method and apparatus for encapsulation of an organic light emitting diode
WO2016192246A1 (zh) 有机发光二极管封装方法以及封装结构
CN102709486B (zh) LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法
CN105977382A (zh) 一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管及其制备方法
PH12013502098A1 (en) Thin film encapsulation of organic light emitting diodes