TH13572A

TH13572A - ชั้วไฟฟ้าสำหรับชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำและอุปกรณ์?สารกึ่งตัวนำที่มีขั้วไฟฟ้าและกรรมวิธีในการผลิต?สิ่งเหล่านี้

Info

Publication number: TH13572A
Application number: TH9101000754A
Authority: TH
Inventors: นาคามูระ นายโยชิโอะ; อิเคดะ นายโอซามุ
Original assignee: แคนนอน คาบูชิกิ ไกชา; นายดำเนิน การเด่น
Filing date: 1991-05-31
Publication date: 1993-12-15

Abstract

ขั้วไฟฟ้าสำหรับชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำที่จะถูกเชื่อมต่อโดยตรงเข้ากับบริเวณสารกึ่งตัวนำของชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำ ถูก จัดรูปทรงให้มีลักษณะเป็นเสาสี่เหลี่ยม เมื่อความยาวของ ด้านหนึ่งของพื้นผิวที่สัมผัสกับบริเวณสารกึ่งตัวนำในขั้ว ไฟฟ้าดังกล่าวถูกนิยามให้เป็น L, ความยาวของอีกด้านหนึ่ง ให้เป็น W, และความยาวในทิศทางไขว้ในแนวดิ่งกับพื้นผิวดัง กล่าวให้เป็น H, ค่า L, W, H ดังกล่าวสอดคล้องกับความ สัมพันธ์ L > H > W

Claims

1. ขั้วไฟฟ้าสำหรับชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำที่จะถูกเชื่อมต่อโดยตรงเข้ากับบริเวณสารกึ่งตัวนำของชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำ ซึ่งถูกจัดรูปทรงอยู่ในหลักสี่เหลี่ยม โดยมีลักษณะสำคัญคือ เมื่อความยาวของด้านหนึ่งของพื้นผิว ที่สัมผัสกับบริเวณสารกึ่งตัวนำในขั้วไฟฟ้าดังกล่าวถูก นิยามให้เป็น L, ความยาวของอีกด้านหนึ่งให้เป็น W, และความ ยาวในทิศทางไขว้ในแนวดิ่งกับพื้นผิวดังกล่าวให้เป็น H, ค่า L, W, H ดังกล่าวสอดคล้องกับความสัมพันธ์ L > H > W

2. ขั้วไฟฟ้าสำหรับชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ขั้วไฟฟ้าดังกล่าวประกอบด้วยผลึก A1 เชิงเดี่ยว

3. ขั้วไฟฟ้าสำหรับชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ขั้วไฟฟ้าดังกล่าวประกอบด้วยผลึก A1 เป็นหลัก

4. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วย ชิ้นสว่นสารกึ่งตัว นำที่ถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวหลักของชั้นฐาน (Substrate) สาร กึ่งตัวนำและขั้วไฟฟ้าซึ่งถูกเชื่อมต่อผ่านรูสัมผัสของ ฟิล์มฉนวนที่ถูกจัดไว้ให้บนพื้นผิวหลักดังกล่าว โดยมีลักษณะสำคัญคือรูสัมผัสดังกล่าวมีช่องเปิดลักษณะสี่ เหลี่ยมและเมื่อความยาวของด้านหนึ่งของพื้นผิวที่สัมผัสกับ บริเวณสารกึ่งตัวนำในขั้วไฟฟ้าดังกล่าวถูกนิยามให้เป็น L, ความยาวของอีกด้านหนึ่งให้เป็น W, และความยาวในทิศทางไขว้ ในแนวดิ่งกับพื้นผิวดังกล่าวให้เป็น H, ค่า L, W, H ดัง กล่าวสอดคล้องกับความสัมพันธ์ L > H > W

5. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 4 โดยที่ขั้วไฟฟ้า ภายในรูสัมผัสดังกล่าวประกอบด้วยผลึก A1 เชิงเดี่ยว

6. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 4 โดยที่ขั้วไฟฟ้า ภายในรูสัมผัสดังกล่าวประกอบด้วยผลึก A1 เป็นหลัก

7. กรรมวิธีสำหรับการเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบ ด้วยชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำซึ่งถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวหลักของ ชั้นฐานสารกึ่งตัวนำและขั้วไฟฟ้าซึ่งถูกเชื่อมต่อผ่านรู สัมผัสของฟิล์มฉนวนที่ถูกจัดไว้ให้บนพื้นผิวหลักดังกล่าว ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ การสร้างรูสัมผัสโดยที่เมื่อความยาวของด้านหนึ่งของช่อง เปิดในรูสัมผัสดังกล่าวถูกนิยมให้เป็น L, ความยาวของอีก ด้านหนึ่งให้เป็น W, และความยาวในทิศทางไขว้ในแนวดิ่งกับ พื้นผิวดังกล่าวให้เป็น H, ค่า L, W, H ดังกล่าวสอดคล้อง กับความสัมพันธ์ L > H > W และ การเกาะสะสมของสารตัวนำ A1หรือที่ประกอบด้วย A1 เป็นหลัก ภายในรูสัมผัสดังกล่าวโดยวิธีการ CVD ซึ่งใช้อย่างน้อยที่ สุดแก๊สของแอลคิลอะลูมินัม ไฮไดรด์และไฮโดรเจน

8. กรรมวิธีสำหรับการเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือ สิทธิ 7 โดยที่แอลคิลอะลูมินัม ไฮไดร์ดดังกล่าว คือ ไดเมททิลอะลูมินัม ไฮไดรด์

9. กรรมวิธีสำหรับการเตรียมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือ สิทธิ 7 โดยที่ขั้นตอนของการสร้างรูสัมผัสดังกล่าวนั้น พื้นผิวที่ให้อิเล็กตรอนถูกเปลือยเผยออกในรูสัมผัสดังกล่าว และในขั้นตอนของการเกาะสะสมนั้น ตัวนำของ A1 ดังกล่าวหรือ ที่ประกอบด้วย A1 เป็นหลักดังกล่าวถูกเคลือบเชิงเลือกผ่าน ปฏิกิริยาพื้นผิวบนพื้นผิวให้อิเล็กตรอนดังกล่าว (ข้อถือสิทธิ 9 ข้อ, 2 หน้า, 12 รูป)