TH12521C3 - หัวเพนนิงแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก - Google Patents
หัวเพนนิงแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็กInfo
- Publication number
- TH12521C3 TH12521C3 TH1603001780U TH1603001780U TH12521C3 TH 12521 C3 TH12521 C3 TH 12521C3 TH 1603001780 U TH1603001780 U TH 1603001780U TH 1603001780 U TH1603001780 U TH 1603001780U TH 12521 C3 TH12521 C3 TH 12521C3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- target
- magnetron sputtering
- cathode
- pening
- anode
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic Effects 0.000 title claims abstract 13
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 6
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 abstract 1
Abstract
หัวเพนนิงแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก ประกอบด้วยขั้วแคโทด ขั้วแอโรด และฉนวนไฟฟ้า มีลักษณะพิเศษคือ ขั้วแอโนดถูกไบแอสด้วยศักย์บวกจากแหล่งจ่ายไฟกระแสตรง ขั้วแคโทดถูกไบแอสด้วนกราวด์ซึ่งใช้เป็นจุดอ้างอิงศักย์ไฟฟ้า โดยขั้วแอโนดถูกติดตั้งอยู่ภายในขั้วแคโทดใน ลักษณะที่มีแกนร่วมกัน และถูกแยกกั้นทางไฟฟ้าด้วยฉนวนไฟฟ้า เป้าสารเคลือบที่ซึ่งเป็นส่วนประกอบส่วน หนึ่งของขั้วแคโทด ประกอบด้วยเป้าวงแหวนและเป้าวงกลมที่ซึ่งถูกติดตั้งให้มีลักษณะให้มีแกนระนาบ ร่วมกัน และมีช่องเปิดแนววงกลมมาจากความยาวเส้นผ่านศูนย์กลางภายในของเป้าวงแหวน ขั้วแอโนดตามที่ กล่าวไปประกอบขึ้นจากแหวนแม่เหล็กถาวรจำนวนสองวง คือแม่เหล็กวงนอกและแม่เหล็กวงใน โดยแหวน แม่เหล็กถาวรทั้งสองถูกติดตั้งอยู่บนฐานรับที่ขึ้นรูปจากวัสดุเฟอโรแมกนีติก ในลักษณะที่มีแกนกลางร่วมกัน และในลักษณะที่มีขั้วแม่เหล็กสลับทิศกัน ซึ่งทำให้เกิดฟลักซ์แม่เหล็กความเข้มสูงบริเวณช่องเปิดแนววงกลม ตามที่กล่าวไป
Claims (6)
1. หัวเพนนิงแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็กประกอบด้วย ขั้วแคโทด (200) ที่ซึ่งประกอบขึ้นจาก ฐานยึดเป้า (201) เสายึดเป้า (204) เป้าวงแหวน (202) เป้าวงกลม (203) โดยฐานยึดเป้า (201) ทำหน้าที่ยึดเป้าวงแหวน (202) ในขณะที่เสายึดเป้า (204) ทำหน้าที่ยึดเป้าวงกลม (203) และ ขั้วแอโนด (100) ที่ซึ่งประกอบขึ้นจาก ฐานรับ (101) แม่เหล็กวงนอก (102) และแม่เหล็กวง ใน (103) โดยที่ฐานรับ (101) ทำหน้าที่ยึดแม่เหล็กวงนอก (102) และแม่เหล็กวงใน (103) ให้มีแกนกลาง ร่วมกัน ฉนวน (301) ที่ซึ่งทำหน้าที่แยกกั้นทางไฟฟ้าระหว่าง ขั้วแคโทด (200) และ ขั้วแอโนด (100) และที่ซึ่งทำหน้าที่ประคอง ขั้วแอโนด (100) ให้มีแกนกลางเดียวกันกับขั้วแคโทด (200) ซึ่งมีลักษณะพิเศษคือ ขั้วแอโนด (100) ถูกไบแอสด้วยศักย์บวกจากแหล่งจ่ายไฟกระแสตรง (002) ในขณะที่ขั้วแคโทด (200) ถูกไบแอสด้วยกราวด์ (003) ที่ซึ่งใช้เป็นจุดอ้างอิงศักย์ไฟฟ้า
2. หัวเพนนิงแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่ง ความยาวเส้นผ่านศูนย์กลางภายในของเป้าวงแหวน (202) มีค่าน้อยกว่าความยาวเส้นผ่านศูนย์กลางภายนอก ของเป้าวงกลม (203)
3. หัวเพนนิงแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก ตามข้อถือสิทธิที่ 2 ที่ซึ่งเป้า วงแหวน (202) และเป้าวงกลม (203) ถูกติดตั้งให้มีแกนและระนาบเดียวกัน ทำให้เกิดช่องเปิด (206) ที่มี ลักษณะเป็นแนววงกลม
4. หัวเพนนิ่งแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก ตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 หรือ 3 ที่ซึ่งเป้าวงแหวน (202) และเป้าวงกลม (203) ขึ้นรูปจากวัสดุเฟอโรแมกนีติก
5. หัวเพนนิ่งแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก ตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 4 ที่ซึ่งขั้วแม่เหล็กของแม่เหล็กวงนอก (102) วางตัวสลับทิศกับขั้วแม่เหล็กของแม่เหล็กวงใน (103) ทำให้เกิดฟ ลักซ์แม่เหล็กความเข้มสูงช่องเปิด (206)
6. หัวเพนนิ่งแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่ง ฐานรับ (101) ขึ้นรูปจากวัสดุเฟอโรแมกนีติก
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH12521A3 TH12521A3 (th) | 2017-03-03 |
| TH12521C3 true TH12521C3 (th) | 2017-03-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4100055A (en) | Target profile for sputtering apparatus | |
| ES2749721T3 (es) | Cámara de evaporación por arco voltaico con una fuente de evaporación por arco voltaico al vacío | |
| JP2008533305A5 (th) | ||
| JP2014525590A5 (th) | ||
| RU2016129486A (ru) | Система и способ для лечения плазмой с использованием энергетической системы направленного диэлектрического барьерного разряда | |
| RU2011137165A (ru) | Модифицируемая конфигурация магнитов для электродуговых испарителей | |
| UA112145C2 (uk) | Джерело плазми | |
| JP2009280882A5 (th) | ||
| TH12521C3 (th) | หัวเพนนิงแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก | |
| TH12521A3 (th) | หัวเพนนิงแมกนีตรอนสปัตเตอริงสำหรับการเคลือบฟิล์มบางสารแม่เหล็ก | |
| WO2016106425A3 (en) | Combined multipole magnet and dipole scanning magnet | |
| JP2005314773A5 (th) | ||
| US20160042910A1 (en) | Desktop electron microscope and wide range tunable magnetic lens thereof | |
| RU2007123690A (ru) | Способ ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий и установка для его осуществления | |
| BR112013021546B1 (pt) | fonte de evaporação do arco | |
| KR850008362A (ko) | 스퍼터코팅 장치 및 방법 | |
| EP2485241B1 (en) | Post cathode physical vapor deposition system and magnet array for use within a post cathode | |
| RU2453628C1 (ru) | Устройство для нанесения покрытий на диэлектрики в разряде | |
| JP2007231401A (ja) | 対向ターゲット式スパッタリング装置 | |
| RU2015108566A (ru) | Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления | |
| RU2630426C2 (ru) | Ионный источник | |
| RU2013112086A (ru) | Устройство для защиты смотрового окна вакуумной камеры | |
| RU2010131089A (ru) | Магнетронная распылительная система | |
| JP2009167492A (ja) | 成膜源、スパッタリング装置 | |
| KR101920840B1 (ko) | 스퍼터링된 물질의 층을 기판 상에 코팅하기 위한 장치 및 증착 시스템 |