TH125173B - การสะสมของแกรฟีนในพื้นที่ขนาดใหญ่โดยทางการสร้างชั้นเฮเทอโร-เอพิแทกซี, และผลิตภัณฑ์ซึ่งรวมถึงชั้นชนิดเดียวกันนี้ - Google Patents

การสะสมของแกรฟีนในพื้นที่ขนาดใหญ่โดยทางการสร้างชั้นเฮเทอโร-เอพิแทกซี, และผลิตภัณฑ์ซึ่งรวมถึงชั้นชนิดเดียวกันนี้

Info

Publication number
TH125173B
TH125173B TH1201000470A TH1201000470A TH125173B TH 125173 B TH125173 B TH 125173B TH 1201000470 A TH1201000470 A TH 1201000470A TH 1201000470 A TH1201000470 A TH 1201000470A TH 125173 B TH125173 B TH 125173B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
graphene
thin films
hetero
epitaxies
formation
Prior art date
Application number
TH1201000470A
Other languages
English (en)
Other versions
TH125173A (th
Inventor
เอส.วิราซามี นายวิจาเยน
Original Assignee
กอร์เดียน อินดัสทรีส์ คอร์ป
Filing date
Publication date
Application filed by กอร์เดียน อินดัสทรีส์ คอร์ป filed Critical กอร์เดียน อินดัสทรีส์ คอร์ป
Publication of TH125173A publication Critical patent/TH125173A/th
Publication of TH125173B publication Critical patent/TH125173B/th

Links

Abstract

บางลักษณะตัวอย่างของการประดิษฐ์นี้เกี่ยวกับการใช้แกรฟีนเป็นผิวเคลือบตัวนำชนิด โปร่งใส (TCC) ในบางลักษณะตัวอย่าง, ฟิล์มบางแกรฟีนที่สร้างชั้นบนพื้นที่ขนาดใหญ่แบบ เฮเทอโร-เอพิแทกซี, ตัวอย่างเช่น, บนฟิล์มบางตัวเร่งปฏิกิริยา, จากแก๊สไฮโดรคาร์บอน (เช่น, ตัวอย่างเช่น, C2H2, CH4, หรือที่คล้ายคลึงกัน) ฟิล์มบางแกรฟีนของบางลักษณะตัวอย่างอาจถูกเจือ หรือไม่ถูกเจือ ในบางลักษณะตัวอย่าง, ฟิล์มบางแกรฟีน, เมื่อเกิดขึ้น, อาจถูกยกออกจากแคริเออร์ ซับสเทรทของฟิล์มเหล่านั้น และย้ายไปยังซับสเทรทรับ, ตัวอย่างเช่น, สำหรับการรวมเข้าไปใน ผลิตภัณฑ์ระหว่างกรรมวิธีหรือขั้นสุดท้าย แกรฟีนที่สร้างชั้น, ยก, และย้ายในวิธีการนี้อาจแสดง ความต้านทานผ่านต่ำ (ตัวอย่างเช่น, น้อยกว่า 150 โอห์ม/สแควร์ และต่ำกว่าเมื่อเจือ) และ ค่าการส่งผ่านสูง (ตัวอย่างเช่น, อย่างน้อยในสเปคตราช่วงวิสิเบิลและอินฟราเรด)

Claims (1)

1. วิธีเตรียมฟิล์มบางแกรฟีน, ซึ่งวิธีประกอบรวมด้วย การจัดให้มีซับสเทรทค้ำจุนด้านหลัง; การจัดวางฟิล์มบางตัวเร่งปฏิกิริยา, โดยตรงหรือโดยอ้อม, บนซับสเทรทค้ำจุนด้านหลัง; การใส่แก๊สซึ่งรวมถึงไฮโดรคาร์บอนชิดกับฟิล์มบางตัวเร่งปฏิกิริยา; การให้ความร้อนซับสเทรทค้ำจุนด้านหลังเพื่อทำให้แก๊สซึ่งรวมถึงไฮโดรคาร์บอนแยก คาร์บอนในแก๊สซึ่งรวมถึงไฮโดรคาร์บอนอย่างน้อยบางส่วน และกระตุ้นการสร้างชั้นแกรฟีนใน และ/หรือบนฟิล์มบางตัวเร่งปฏิกิริยา; และ การหล่อเย็นซั:
TH1201000470A 2010-07-15 การสะสมของแกรฟีนในพื้นที่ขนาดใหญ่โดยทางการสร้างชั้นเฮเทอโร-เอพิแทกซี, และผลิตภัณฑ์ซึ่งรวมถึงชั้นชนิดเดียวกันนี้ TH125173B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH125173A TH125173A (th) 2013-07-05
TH125173B true TH125173B (th) 2013-07-05

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MX2012001604A (es) Tecnicas de desprendimiento y transferencia para grafeno desarrollado heteroepitaxialmente y productos que incluyen el mismo.
WO2011016832A3 (en) Electronic device including graphene-based layer(s),and/or method of making the same
WO2011016828A3 (en) Large area deposition of graphene hetero-epitaxial growth, and products including the same
EP2584073A3 (en) Large area deposition and doping of graphene, and products including the same
Biroju et al. Defect enhanced efficient physical functionalization of graphene with gold nanoparticles probed by resonance raman spectroscopy
GB2496956B (en) Transparent conductor
WO2010011390A3 (en) Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
WO2007098484A3 (en) High-yield activation of polymer surfaces for covalent attachment of molecules
EA201491232A1 (ru) Нанопроволочное устройство с графеновыми верхним и нижним электродами и способ получения такого устройства
Xu et al. Direct growth of graphene on quartz substrates for label-free detection of adenosine triphosphate
WO2010151856A3 (en) Chemical vapor deposition process for aluminum silicon nitride
KR101275631B1 (ko) 스마트 윈도우용 그래핀 기반 vo2 적층체 및 제조방법
WO2010003066A3 (en) Transparent conducting electrode
EP4293707A3 (en) Direct and sequential formation of monolayers of boron nitride and graphene on substrates
GB2525332A (en) Epitaxial film growth on patterned substrate
WO2011061029A3 (de) Siliziumschichten aus polymermodifizierten flüssigsilan-formulierungen
EP2688109A3 (en) Large surface area infrared sensitive photovoltaic device and a method for manufacturing the same
MY177552A (en) A method of fabricating a resistive gas sensor device
Yen et al. Direct synthesis of graphene with tunable work function on insulators via in situ boron doping by nickel-assisted growth
KR101339761B1 (ko) 그래핀 기반 vo2 적층체의 상전이 온도 제어 방법
TH125173B (th) การสะสมของแกรฟีนในพื้นที่ขนาดใหญ่โดยทางการสร้างชั้นเฮเทอโร-เอพิแทกซี, และผลิตภัณฑ์ซึ่งรวมถึงชั้นชนิดเดียวกันนี้
Yoon et al. Facile synthesis of graphene on Cu nanowires via low-temperature thermal CVD for the transparent conductive electrode
TH125173A (th)
EP2733233A3 (en) Interlayer composite substrates
WO2012010834A3 (en) Method and apparatus for forming nanoparticles