TH121583A - วงจรตรรกะและอุปกรณ์กึ่งตัวนำ - Google Patents
วงจรตรรกะและอุปกรณ์กึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH121583A TH121583A TH1201001580A TH1201001580A TH121583A TH 121583 A TH121583 A TH 121583A TH 1201001580 A TH1201001580 A TH 1201001580A TH 1201001580 A TH1201001580 A TH 1201001580A TH 121583 A TH121583 A TH 121583A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- thin film
- logic circuit
- current
- created
- oxide semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (05/04/55) วงจรตรรกะจะมีส่วนที่เป็นทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบางซึ่งมีบริเวณสร้างช่องที่ถูกสร้างขึ้นโดยใช้ วัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์และตัวเก็บประจุซึ่งมีขั้วต่อซึ่งอันใดอันหนึ่งถูกทำให้มีสภาพลอยตัวโดยการ ปิดการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบาง วัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์จะมีความเข้มข้นของ ไฮโดรเจนที่เท่ากับ 5x10ยกกำลัง19 (อะตอม/ลูกบาศก์เมตร) หรือน้อยกว่านั้นและดังนั้นจึงทำหน้าที่เป็นฉนวนมากพอ ในสภาพที่สนามไฟฟ้าไม่ได้ถูกสร้างขึ้น ด้วยเหตุนี้ กระแสที่อยู่ในสถานะ OFF ของทรานซิสเตอร์แบบ ฟิล์มบางจึงสามารถจะลดลง ซึ่งจะยับยั้งไม่ให้ประจุไฟฟ้าที่ถูกจัดเก็บในตัวเก็บประจุรั่วผ่าน ทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบาง เพราะฉะนั้น ภาวะขัดข้องของวงจรตรรกะจึงสามารถจะถูกป้องกันไม่ให้ เกิดขึ้น นอกจากนี้ กระแสที่มีปริมาณมากเกินซึ่งไหลในวงจรตรรกะยังสามารถจะลดลงด้วยการลด กระแสที่อยู่ในสถานะ OFF ของทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบางซึ่งทำให้วงจรตรรกะใช้กำลังต่ำ วงจรตรรกะจะมีส่วนที่เป็นทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบางซึ่งมีบริเวณสร้างช่องที่ถูกสร้างขึ้นโดยใช้ วัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์และตัวเก็บประจุซึ่งมีขั้วต่อซึ่งอันใดอันหนึ่งถูกทำให้มีสภาพลอยตัวโดยการ ปิดการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบาง วัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์จะมีความเข้มข้นของ ไฮโดรเจนที่เท่ากับ 5x1019 (อะตอม/cm3) หรือน้อยกว่านั้นและดังนั้นจึงทำหน้าที่เป็นฉนวนมากพอ ในสภาพที่สนามไฟฟ้าไม่ได้ถูกสร้างขึ้น ด้วยเหตุนี้ กระแสที่อยู่ในสถานะ OFF ของทรานซิสเตอร์แบบ ฟิล์มบางจึงสามารถจะลดลง ซึ่งจะยับยั้งไม่ให้ประจุไฟฟ้าที่ถูกจัดเก็บในตัวเก็บประจุรั่วผ่าน ทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบาง เพราะฉะนั้น ภาวะขัดข้องของวงจรตรรกะจึงสามารถจะถูกป้องกันไม่ให้ เกิดขึ้น นอกจากนี้ กระแสที่มีปริมาณมากเกินซึ่งไหลในวงจรตรรกะยังสามารถจะลดลงด้วยการลด กระแสที่อยู่ในสถานะ OFF ของทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบางซึ่งทำให้วงจรตรรกะใช้กำลังต่ำ
Claims (2)
1. วงจรตรรกะซึ่งประกอบด้วย ทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบางซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งและขั้วต่อที่สอง โดยที่ขั้วต่อที่หนึ่งและขั้วต่อที่สองอันใดอันหนึ่งถูกเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับโนดซึ่งถูกทำให้มี สภาพลอยตัวโดยการปิดการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบาง และ โดยที่บริเวณสร้างช่องของทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบางจะถูกสร้างขึ้นโดยใช้วัสดุกึ่งตัวนำชนิด ออกไซด์ที่มีความเข้มข้นของไฮโดรเจนที่เท่ากับ 5x1019 อะตอม/cm3 หรือน้อยกว่านั้น
2. วงจรตรรกะตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยตัวเก็แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH121583A true TH121583A (th) | 2013-02-28 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102243974B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| MY158956A (en) | Logic circuit and semiconductor device | |
| JP2011103454A5 (th) | ||
| JP2011129888A5 (ja) | 記憶装置 | |
| US9304523B2 (en) | Power supply circuit and method for driving the same | |
| JP2011171702A5 (th) | ||
| MY158782A (en) | Memory Device, Semiconductor Device, And Electronic Device | |
| JP2007072453A5 (th) | ||
| SG10201406989QA (en) | Semiconductor device | |
| JP2012257213A5 (th) | ||
| JP2013008432A5 (ja) | 記憶回路及び信号処理回路 | |
| IN2014DN09306A (th) | ||
| JP2012256407A5 (th) | ||
| CN101236969B (zh) | 静态随机存取存储器元件 | |
| RU2010119179A (ru) | Диэлектрическая жидкость для улучшенных характеристик конденсатора | |
| US20130307496A1 (en) | Semiconductor device and driving method thereof | |
| Kwan et al. | A gate overdrive protection technique for improved reliability in AlGaN/GaN enhancement-mode HEMTs | |
| JP2016035958A (ja) | 保護素子、保護回路及び半導体集積回路 | |
| Zhu et al. | Lateral protonic/electronic hybrid oxide thin-film transistor gated by SiO2 nanogranular films | |
| JP2017017683A5 (th) | ||
| TH121583A (th) | วงจรตรรกะและอุปกรณ์กึ่งตัวนำ | |
| CN102811041B (zh) | 一种长延时电路 | |
| US9356248B2 (en) | Organic thin-film transistor | |
| CN204230891U (zh) | 一种防电源反接电路 | |
| Knoll et al. | An enhancement-mode electrochemical organic field-effect transistor |