TH11064A - โครงสร้างและกรรมวิธีเพื่อการประดิษฐ์แคโทดปล่อย?สนาม - Google Patents

Abstract

การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องโดยทั่วไปกับโครงสร้างใหม่สำหรับแคโทดปล่อยสนามและกรรมวิธีเพื่อประดิษฐ์มันการปล่อยสนามถูกกระทำโดยวัสดุใด ๆที่สามารถปล่อยอิเล็กตรอนออกภายใต้อิทธิพลของศักย์ไฟฟ้า แคโทดปล่อยสนามมีโครงสร้างสามมิติที่ไม่เหมือนใครหลายอย่างโครงสร้างพื้นฐานประกอบด้วยชั้นวัสดุกับยอดของแทโทด สำหรับโครงสร้างที่ซับซ้อนยิ่งขึ้นยอดของแคโทดถูกจัดของอย่างแม่นยำในโครงสร้างอิเล็กโทรดกำเนิด/ควบคุมในสภาพแวดล้อมสูญญากาศโครงสร้างตามการประดิษฐ์นี้จะถูกประดิษฐ์ในถูกต่อกับแคโทดปล่อยสนามที่คล้ายกันหรือกับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ

Claims (128)

1.กรรมวิธีในการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ ก) การจัดเตรียมรูอย่างน้อยหนึ่งรูในฐาน ข) การวางนอนอย่างน้อยชั้นวัสดุอันดับแรกและการเติมให้เต็มอย่างน้อยส่วนหนึ่งของรูดังกล่าวให้พอที่จะขึ้นรูปปลายแหลม ค) การวางนอนอย่างน้อยชั้นหนึ่งของวัสดุสามารถปล่อยอิเล็กตรอนออกภายในอิทธิพลของสนามไฟฟ้า และการเติมให้เต็มอย่างน้อยส่วนหนึ่งของยอดของปลายแหลมดังกล่าว และ ง) การเอาวัสดุอันดับแรกดังกล่าวออกจากข้างใต้ปลายแหลมเพื่อเปิดให้เห็นอย่างน้อยส่วนหนึ่งของยอดแหลมของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวและที่โดยเหตุนี้ขึ้นรูปโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยหนึ่งตัวดังกล่าว

2.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งฐานดังกล่าวเป็นโครงสร้างชั้นเดียว

3.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งฐานดังกล่าวเป็นโครงสร้างมากชั้น

4.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 3 ในที่ซึ่งโครงสร้างมากชั้นดังกล่าวประกอบด้วยชั้นที่สลับกันของฉนวนกับวัสดุนำไฟฟ้า

5.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งรูดังกล่าวถูกสร้างขึ้นโดยกรรมวิธีที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยการขูด การเจาะ การกัดน้ำยา การเซาะด้วยอิออน การตัดอกหรือการหล่อแบบ

6.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งรูดังกล่าวถูกกัดโดยใช้เทคนิคการกัดที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย การกัดแบบแอนิโซโทรบิก การกัดแบบลำอิออน การกัดแบบไอโซโทรบิก การกัดแบบอิออนรีแอคทีฟ การกัดด้วยพลาสมาหรือการกัดแบบเบียก

7.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวถูกวางนอนเข้ารูป

8.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวเป็นฉนวนไฟฟ้า

9.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวเป็นสารกึ่งตัวนำ

10.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวเป็นวัสดุนำไฟฟ้า

11.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวประกอบด้วยชั้นหลายชั้น

12.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวประกอบด้วยชั้นปลดปล่อย

13.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวเป็นวัสดุชั้นเดียว

14.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอิเล็กตรอนดังกล่าวเป็นหลายชั้น

15.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวข้างใต้ปลายแหลมถูกเอาออกโดยกรรมวิธีที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยการละลาย การกัดการระเหย การหลอมเหลวหรือการขัดออก

16.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งฐานทั้งหมดข้างใต้ชั้นวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนถูกเอาออกอย่างสมบูรณ์

17.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวทั้งหมดข้างใต้วัสดุปล่อยอิเล็กตรอนถูกเอาออกโดยสมบูรณ์

18.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งรูดังกล่าวมีเค้าโครงที่ขนาดรูคงที่ตามความลึก

19.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งรูดังกล่าวมีเค้าโครงที่ขนาดรูแบ่งมันตามความลึก

20.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งชั้นขวางกั้นถูกสร้างขึ้นก่อนการวางนอนวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว

21.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 20 ในที่ซึ่งชั้นขวางกั้นดังกล่าวถูกเอาออกได้ตามการเลือก

22.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งยอดแหลมดังกล่าวถูกเคลือบด้วยวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน

23.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งยอดแหลมดังกล่าวถูกกลับให้คมตามการเลือกด้วยกรรมวิธีที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยการกัดช้าแบบไอโซโทรบิดหรือการออกซิเดชัน

24.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งชั้นรองรับถูกสร้างขึ้นบนหลังของโครงสร้างดังกล่าว

25.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งปลดปล่อยถูกสร้างขึ้นก่อนการวางนอนวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว

26.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 1, ในที่นี้เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al,Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf และโลหะผสมของมัน หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยส่วนประกอบเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า

27.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 1, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้ว และสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน

28.กรรมวิธีในการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ ก) การขึ้นรูปวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยหนึ่งชั้นเหนือชั้นฐาน ข) การขึ้นรูปรูอย่างน้อยหนึ่งรูที่อย่างน้อยทะลุผ่านชั้นตัวนำไฟฟ้าอย่างน้อยหนึ่งชั้นดังกล่าว ค) การวางนอนวัสดุเป็นฉนวนอย่างน้อยหนึ่งตัวเหนือชั้นตัวนำไฟฟ้าอย่างน้อยชั้นดังกล่าวและการเติมให้เติมอย่างน้อยส่วนหนึ่งของรูดังกล่าวให้พอที่จะขึ้นรูปหลายแหลม ง) การวางนอนอย่างน้อยชั้นหนึ่งของวัสดุซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนออกภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้าลงเหนือวัสดุเป็นฉนวนดังกล่าวในขั้นตอน (ค) และการเติมให้เต็มอย่างน้อยส่วนหนึ่งของยอดของปลายแหลมดังกล่าว และ จ) การเอาวัสดุข้างใต้ปลายแหลมออกเพื่อเเปิดให้เป็นอย่างน้อยส่วนหนึ่งของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวและที่โดยเหตุนี้ขึ้นรูปอย่างน้อยโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามหนึ่งตัวดังกล่าว

29.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag,Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf และโลหะผสมของมัน หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยส่วนประกอบเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า

30.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28 ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแซปไฟร์, แก้วหรืออกไซด์ของ Si, Al, Mg และ Ce

31.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน จะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้ว และสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน

32.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งปิดคลุมพื้นผิวของผนังของที่เรียกว่าวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่อยู่ชิดกับที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนที่เผยออกจะได้รับการกำจัดออกไป

33.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองจะก่อขึ้นโดยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการขูด, การเจาะ, การกัดสลักด้วยน้ำยา, การเซาะด้วยไอออน,การตัดออกหรือการหล่อแบบ

34.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองจะผ่านการกัดสลักด้วยน้ำยา,โดยการใช้กลวิธีของการกัดสลักที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการกัดสลักแบบแอบิโซโทรบิก, การกัดสลักด้วยจำไอออน, การกัดสลักแบบไอโซโทรบิก,การกัดสลักด้วยไอออนรีแอคทีฟ, การกัดสลักด้วยพลาสมาหรือการกัดสลักแบบเปียก,

35.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุฉนวน

36.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุสารกึ่งตัวนำ

37.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุนำไฟฟ้า

38.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นหลายชั้น

39.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นปลดปล่อย

40.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนเป็นวัสดุที่ทำเป็นชั้นเดียว

41.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะทำให้เป็นชั้นหลายชั้น

42.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุที่หนึ่งใต้ปลายแหลมจะกำจัดออกไปด้วยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย, การละลาย, การกัดสลักด้วยน้ำยา, การระเหย, การหลอมเหลว, หรือการขัดออก

43.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้วัสดุฐานรองทั้งหมดที่อยู่ใต้ชั้นของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะได้รับการกำจัดออกไปโดยสิ้นเชิง

44.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 43, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกทั้งหมดที่อยู่ใต้วัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะได้รับการกำจัดออกไปโดยสิ้นเชิง

45.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในวัสดุฐานรองดังกล่าวมีรูปโครงร่างที่ซึ่งขนาดรูเป็นค่าคงที่ตามความลึก

46.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในวัสดุฐานรองดังกล่าวมีรูปโครงร่างที่ซึ่งขนาดของรูปแปรผันความลึก

47.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ชั้นขวางกั้นจะก่อรูปขึ้นก่อนการพอกพูนของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน

48.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 47, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นขวางกั้นจะกำจัดออกไปแบบเลือกได้

49.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะเคลือบด้วยวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน

50.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะสับให้คมแบบเลือกได้ด้วยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการกัดสลักด้วยน้ำยาแบบไอโซโทรบิกช้าๆ หรือการออกซิเตชัน

51.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้จะก่อขึ้นรูปชั้นรองรับไว้บนส่วนหลังของโครงสร้างดังกล่าว

52.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้จะก่อขึ้นรูปชั้นปลดปล่อยก่อนการพอกพูนของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน

53.กรรมวิธีในการทำอย่างน้อยโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามหนึ่งตัวที่ประกอบด้วยชั้นด้วยขั้นตอนของ ก) การขึ้นรูปวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยหนึ่งชั้นเหนือชั้นฐานโดยที่ชั้นวัสดุนำไฟฟ้าดังกล่าวแต่ละชั้นถูกกั้นแยกด้วยวัสดุฉนวน ข) การขึ้นรูปรูอย่างน้อยหนึ่งรูที่อย่างน้อยทะลุผ่านชั้นวัสดุนำไฟฟ้าดังกล่าว ค) การวางนอนวัสดุเป็นฉนวนอย่างน้อยหนึ่งตัวเหนือชั้นวัสดุตัวนำไฟฟ้าดังกล่าวและการเติมให้เต็มอย่างน้อยหนึ่งส่วนหนึ่งของรูดังกล่าวให้พอที่จะขึ้นรูปปลายแหลม ง) การวางนอนอย่างน้อยชั้นหนึ่งของวัสดุซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนออกภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้าลงเหนือวัสดุเป็นฉนวนดังกล่าวในขั้นตอน (ค) และการเติมให้เต็มอย่างน้อยส่วนหนึ่งของยอดของปลายแหลมดังกล่าว และ จ) การเอาวัสดุข้างใต้ปลายแหลมออกเพื่อเเปิดให้เป็นอย่างน้อยส่วนหนึ่งของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวและที่โดยเหตุนี้ขึ้นรูปอย่างน้อยโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามหนึ่งตัวดังกล่าว

54.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag,Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf และโลหะผสมของมัน หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยส่วนประกอบเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า

55.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแซปไฟร์, แก้วหรือออกไซด์ของ Si, Al,Mg และ Ce

56.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือบนแล้ว และสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน

57.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งขนิดหนึ่งซึ่งปิดคลุมพื้นผิวของผนังของที่เรียกว่าวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่อยู่ชิดกับที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนที่เผยออกจะได้รับการกำจัดออกไป

58.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในวัสดุฐานของจะก่อรูปขึ้นโดยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการขูด, การเจาะ, การกัดสลักด้วยน้ำยา, การเซาะด้วยไอออน, การตัดออกหรือการหล่อแบบ

59.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองจะผ่านการกัดสลักด้วยน้ำยา,โดยการใช้กลวิธีของการกัดสลักที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการกัดสลักแบบแอนิโซโทรบิก, การกัดสลักด้วยลำไอออนการกัดสลักแบบไอโซโทรบิก,การกัดสลักด้วยไอออนรีแอกทีฟ, การกัดสลักด้วยพลาสมา หรือ การกัดสลักแบบเปียก

60.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุฉนวน

61.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ

62.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุนำไฟฟ้า

63.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นหลายชั้น 64.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นหลายชั้น

64.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นปลดปล่อย

65.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนเป็นวัสดุที่ทำเป็นชั้นเดียว

66.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะทำเป็นชั้นหลายชั้น

67.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกใต้ปลายแหลมจะกำจัดออกไปด้วยกรรมวิธีคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการละลาย, การกัดสลักด้วยน้ำยา, การระเหย, การหลอมเหลวหรือการขัดออก

68.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้วัสดุฐานรองทั้งหมดที่อยู่ใต้ชั้นของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะได้รับการกำจัดออกไปโดยสิ้นเชิง

69.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 68, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกทั้งหมดที่อยู่ใต้วัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะได้รับการกำจัดออกไปโดยสิ้นเชิง

70.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองมีรูปโครงร่าง ที่ซึ่งขนาดของรูเป็นค่าคงที่ตามความลึก

71.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองมีรูปโครงร่าง ที่ซึ่งขนาดของรูแปรผันตามความลึก

72.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ชั้นขวางกั้นจะก่อรูปขึ้นก่อนการพอกพูนของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน

73.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 72, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นขวางกั้นจะกำจัดออกไปแบบเลือกได้

74.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะเคลือบด้วยวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน

75.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะสับให้คมแบบเลือกได้ด้วยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการกัดสลักด้วยน้ำยาแบบไอโซโทรปีกช้าๆ หรือการออกซิเดชัน

76.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้จะก่อขึ้นรูปชั้นรองรับไว้บนส่วนหลังของโครงสร้างดังกล่าว

77.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้จะก่อขึ้นรูปชั้นปลดปล่อยก่อนการพอกพูนของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน

78.โครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามประกอบด้วยชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และมียอดแหลมสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดที่ก่อรูปขึ้นด้วยกรรมวิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a)การจัดให้มีรูไว้ในวัสดุฐานรองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งรู, (b)ทำการพอกพูนอย่างน้อยที่สุดวัสดุอันดับแรกและทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของรูดังกล่าวให้เพียงพอต่อการขึ้นรูปปลายแหลม, (c)ทำการพอกพูนที่เรียกว่าชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าปลายแหลมเพื่อก่อรูปเป็นที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนมีพื้นผิวด้านบนกับพื้นผิวด้านล่าง,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านบนมีปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านล่างมียอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอด,โดยที่ยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะอยู่ตรงกันข้ามกันที่เรียกว่าปลายแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,และในที่นี้ส่วนของพื้นผิวของที่เรียกยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งจะเว้าเข้าและในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะใช้สำหรับการปล่อยที่เรียกว่าอิเล็กตรอน,และ (d)การกำจัดที่เรียกว่าวัสดุฐานรองอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งกับที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งออกไปเพื่อเปิดเผยที่เรียกว่ายอดแหลมของที่เรียกว่าวัสดุอิเล็กตรอนอย่าสงน้อยที่สุดส่วนหนึ่งและโดยลักษณะนี้เป็นการก่อรูปที่เรียกว่าโครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งโครงสร้าง

79.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น

80.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, โดยที่ยอดแหลมของที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น

81.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นรองรับ.

82.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78,ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดไว้บนด้านที่เป็นยอดแหลมของชั้นปล่อยอิเล็กตรอน ซึ่งจะแยกออกจากที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนด้วยวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดโดยที่เรียกว่ายอดแหลมที่เป็นตัวปล่อยจะเผยออกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอด

83.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 82,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น

84.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 82,ในที่นี้ ยอดแหลมของที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น

85.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 82,ในที่นี้เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นรองรับ

86.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78,ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยวัสดุนำไฟฟ้ากลุ่มหนึ่งบนด้านที่เป็นยอดแหลมของชั้นปล่อยอิเล็กตรอน, ชั้นของวัสดุนำไฟฟ้าแต่ละชั้นจะแยกออกจากกันและกัน และแยกออกจากที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนด้วยวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดโดยที่ที่เรียกว่ายอดแหลมที่เป็นตัวปล่อยจะเผยออกอย่างน้อยที่หนึ่งยอด

87.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 86, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น

88.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 86, ในที่นี้ยอดแหลมของที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น

89.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 86, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นรองรับ

90.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นขวางกั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นบนด้านที่เป็นยอดแหลมของชั้นปล่อยอิเล็กตรอน,ซึ่งจะกำจัดออกไปแบบเลือกได้เพื่อเปิดเผยที่เรียกว่ายอดแหลม

91.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 90, ในที่นี้เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น

92.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 90, ในที่นี้ยอดแหลมของที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น

93.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 90, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นรองรับ

94.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้เรียกว่ายอดแหลมมีชั้นผิวเคลือบที่เป็นวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน

95.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะลับให้คม,

96.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะใช้เป็นแหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน

97.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะแยกออกไฟฟ้าจากยอดแหลมอื่น

98.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับส่วนประกอบอิเล็กทรอ นิกส์อื่น

99.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะใช้ในอุปกรณ์แสดงผลเชิงอิเล็กทรอนิกส์,

100.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมที่มีรูปโครงร่าง เป็นแบบจุดหรือเป็นแบบใบมีด

101.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย mo,w,Ta,Re,Pt,Au,Ag,Al,Cu,Nb,Ni,Cr,Ti,Zr,Hf และ โลหะผสมของวัสดุเหล่านี้ หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยธาตุเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า

102.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อนอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือป่นแล้ว และสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน

103.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกอย่างน้อยที่สุดเป็นวัสดุที่มีหลายชั้น

104.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 103, ในที่นี้ชั้นของที่เรียกว่าวัสดุที่มีหลายชั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นเป็นวัสดุขวางกั้น

105.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะแยกออกทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทอันที่สอง

106.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างจะมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับส่วนหนึ่งของแคโทดอันที่สอง

107.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามประกอบด้วยชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และมียอดแหลมสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดที่ก่อรูปขึ้นด้วยกระบวนการซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a)ทำการก่อขึ้นรูปชั้นของวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นไว้บนชั้นฐาน, (b)ทำการก่อขึ้นรูปรูอย่างน้อยที่สุดหนึ่งรูอย่างน้อยที่สุดทะลุผ่านที่เรียกว่าชั้นนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น, (c)ทำการพอกพูนวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดไว้บนที่เรียกว่าชั้นนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นและทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่ารูให้เพียงพอต่อการก่อขึ้นรูปปลายแหลม, (d)ทำการพอกพูนชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น ซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,บนที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของขั้นตอน(e),และทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าปลายแหลมเพื่อก่อขึ้นรูปที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอน อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนมีพื้นผิวด้านบนกับพื้นผิวด้านล่าง,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านบนมีปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะอยู่ตรงกันข้ามกันที่เรียกว่าปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,และในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของที่เรียกว่ายอดแหลมจะเว้าเข้าและในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะใช้สำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว,และ (e)การกำจัดที่เรียกว่าวัสดุที่อยู่ใต้ที่เรียกว่ายอดแหลมออกไปอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งเพื่อเปิดเผยที่เรียกว่ายอดแหลมของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งและโดยวิธีการนี้การก่อขึ้นรูปโครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งโครงสร้าง

108.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย mo,w,Ta,Re,Pt,Au,Ag,Al,Cu,Nb,Ni,Cr,Ti,Zr,Hf และ โลหะผสมของวัสดุเหล่านี้ หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยธาตุเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า

109.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแซปไฟร์,แก้วหรือออกไซด์ของ Si,Al,Mg และ Ce

110.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้วและสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน

111.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดเป็นวัสดุที่มีหลายชั้น

112.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 111, โดยที่ชั้นของที่เรียกว่าวัสดุที่มีหลายชั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นเป็นวัสดุขวางกั้น

113.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างจะมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะแยกออกทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทดอันที่สอง

114.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างจะมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทดอันที่สอง

115.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, โดยที่อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งปิดคลุมพื้นผิวของผนังของที่เรียกว่าวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่อยู่ชิดกันที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนที่เผยออกจะได้รับการกำจัดออกไป

116.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามประกอบด้วยชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และมียอดแหลมสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดที่ก่อรูปขึ้นด้วยกระบวนการซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a)ทำการก่อขึ้นรูปชั้นของวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นไว้บนชั้นฐาน,โดยที่ชั้นของวัสดุนำไฟฟ้าดังกล่าวแต่ละชั้นจะแยกออกจากกันด้วยวัสดุฉนวน (b)ทำการก่อขึ้นรูปรูอย่างน้อยที่สุดหนึ่งรูอย่างน้อยที่สุดทะลุผ่านที่เรียกว่าชั้นนำไฟฟ้า, (c)ทำการพอกพูนวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดไว้บนที่เรียกว่าชั้นนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นและทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่ารูให้เพียงพอต่อการก่อขึ้นรูปปลายแหลม, (d)ทำการพอกพูนชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น ซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,บนที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของขั้นตอน(c),และทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าปลายแหลมเพื่อก่อขึ้นรูปที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนมีพื้นผิวด้านบนกับพื้นผิวด้านล่าง,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านบนมีปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะอยู่ตรงกันข้ามกันที่เรียกว่าปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,และในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของที่เรียกว่ายอดแหลมจะเว้าเข้าและในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะใช้สำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว,และ (e)การกำจัดที่เรียกว่าวัสดุที่อยู่ใต้ที่เรียกว่ายอดแหลมออกไปอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งเพื่อเปิดเผยที่เรียกว่ายอดแหลมของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งและโดยวิธีการนี้การก่อขึ้นรูปโครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งโครงสร้าง

117.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย mo,w,Ta,Re,Pt,Au,Ag,Al,Cu,Nb,Ni,Cr,Ti,Zr,Hf และ โลหะผสมของวัสดุเหล่านี้ หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยธาตุเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า

118.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแซปไฟร์,แก้วหรือออกไซด์ของ Si,Al,Mg และ Ce

119.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้วและสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน

120.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดเป็นวัสดุที่มีหลายชั้น

121.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 120, ในที่ชั้นของที่เรียกว่าวัสดุที่มีหลายชั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นเป็นวัสดุขวางกั้น

122.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะแยกออกทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทอันที่สอง

123.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างจะมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทดอันที่สอง

124.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, โดยที่อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งปิดคลุมพื้นผิวของผนังของที่เรียกว่าวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่อยู่ชิดกันที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนที่เผยออกจะได้รับการกำจัดออกไป

125.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามประกอบด้วยชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และมียอดแหลมสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอด,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนมีพื้นผิวด้านบนกับพื้นผิวด้านล่าง,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านบนมีปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านล่างมียอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอด,โดยที่ยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะอยู่ตรงกันข้ามกับที่เรียกว่าปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,และในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของที่เรียกว่ายอดแหลมจะเว้าเข้าและในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะใช้สำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว,และโดยลักษณะนี้เป็นการก่อขึ้นรูปที่เรียกว่าโครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งโครงสร้าง

126.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 125, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย mo,w,Ta,Re,Pt,Au,Ag,Al,Cu,Nb,Ni,Cr,Ti,Zr,Hf และ โลหะผสมของวัสดุเหล่านี้ หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยธาตุเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า

127.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 125, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้วและสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน

128.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 125, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมที่มีรูปโครงร่าง เป็นแบบจุดหรือรูปโครงร่างแบบใบมีด