Claims (128)
1.กรรมวิธีในการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ ก) การจัดเตรียมรูอย่างน้อยหนึ่งรูในฐาน ข) การวางนอนอย่างน้อยชั้นวัสดุอันดับแรกและการเติมให้เต็มอย่างน้อยส่วนหนึ่งของรูดังกล่าวให้พอที่จะขึ้นรูปปลายแหลม ค) การวางนอนอย่างน้อยชั้นหนึ่งของวัสดุสามารถปล่อยอิเล็กตรอนออกภายในอิทธิพลของสนามไฟฟ้า และการเติมให้เต็มอย่างน้อยส่วนหนึ่งของยอดของปลายแหลมดังกล่าว และ ง) การเอาวัสดุอันดับแรกดังกล่าวออกจากข้างใต้ปลายแหลมเพื่อเปิดให้เห็นอย่างน้อยส่วนหนึ่งของยอดแหลมของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวและที่โดยเหตุนี้ขึ้นรูปโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยหนึ่งตัวดังกล่าว1. The process of creating at least one field-emitting cathode structure consists of the following steps: a) preparing at least one hole in the base; b) laying at least one layer of primary material and filling at least part of the hole sufficiently to form a sharp point; c) laying at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field and filling at least part of the apex of such sharp point; and d) removing the aforementioned primary material from beneath the sharp point to expose at least part of the apex of such electron-emitting material and thus forming at least one such field-emitting cathode structure.
2.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งฐานดังกล่าวเป็นโครงสร้างชั้นเดียว2. The procedures under claim 1 in a location where the said base is a single-story structure.
3.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งฐานดังกล่าวเป็นโครงสร้างมากชั้น3. The procedures under claim 1 in a location where the basis is a multi-layered structure.
4.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 3 ในที่ซึ่งโครงสร้างมากชั้นดังกล่าวประกอบด้วยชั้นที่สลับกันของฉนวนกับวัสดุนำไฟฟ้า4. The process pursuant to claim 3 where such multi-layered structure consists of alternating layers of insulation and conductive material.
5.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งรูดังกล่าวถูกสร้างขึ้นโดยกรรมวิธีที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยการขูด การเจาะ การกัดน้ำยา การเซาะด้วยอิออน การตัดอกหรือการหล่อแบบ5. The process under claim 1 where such hole is created by a process of choice from the group of processes which include scraping, drilling, etching, ionizing, cutting or molding.
6.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งรูดังกล่าวถูกกัดโดยใช้เทคนิคการกัดที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย การกัดแบบแอนิโซโทรบิก การกัดแบบลำอิออน การกัดแบบไอโซโทรบิก การกัดแบบอิออนรีแอคทีฟ การกัดด้วยพลาสมาหรือการกัดแบบเบียก6. The procedure under claim 1 in which the hole is etched using an etching technique of choice from a group comprising anisotrobic etching, ion beam etching, isotrobic etching, ion reactive etching, plasma etching or biacid etching.
7.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวถูกวางนอนเข้ารูป7. The procedure under claim 1 in which the primary material is laid flat and formed.
8.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวเป็นฉนวนไฟฟ้า8. The procedures under claim 1 in which the primary material is an electrical insulator.
9.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวเป็นสารกึ่งตัวนำ9. The process pursuant to claim 1 where the primary material is a semiconductor.
10.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวเป็นวัสดุนำไฟฟ้า10. The process under claim 1 where the primary material is electrically conductive.
11.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวประกอบด้วยชั้นหลายชั้น11. The process under claim 1 where the primary material consists of multiple layers.
12.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวประกอบด้วยชั้นปลดปล่อย12. The procedure under claim 1 where the primary material consists of a release layer.
13.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวเป็นวัสดุชั้นเดียว13. The process under claim 1 where the primary material is a single layer material.
14.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอิเล็กตรอนดังกล่าวเป็นหลายชั้น14. The process under claim 1 where the said electron material is multilayered.
15.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวข้างใต้ปลายแหลมถูกเอาออกโดยกรรมวิธีที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยการละลาย การกัดการระเหย การหลอมเหลวหรือการขัดออก15. The process under claim 1 in which the primary material beneath the pointed end is removed by a process of choice from a group consisting of dissolving, etching, evaporation, melting or abrasion.
16.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งฐานทั้งหมดข้างใต้ชั้นวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนถูกเอาออกอย่างสมบูรณ์16. The procedure under claim 1 in which all underlying bases beneath the electron emission layer are completely removed.
17.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ในที่ซึ่งวัสดุอันดับแรกดังกล่าวทั้งหมดข้างใต้วัสดุปล่อยอิเล็กตรอนถูกเอาออกโดยสมบูรณ์17. The procedure under claim 16 in which all of the aforementioned primary material beneath the electron-emitting material is completely removed.
18.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งรูดังกล่าวมีเค้าโครงที่ขนาดรูคงที่ตามความลึก18. The procedure under claim 1 where the hole is structured with a fixed size and depth.
19.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งรูดังกล่าวมีเค้าโครงที่ขนาดรูแบ่งมันตามความลึก19. The procedure under claim 1 where the hole is structured so that its dimensions are divided according to its depth.
20.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งชั้นขวางกั้นถูกสร้างขึ้นก่อนการวางนอนวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว20. The procedure under claim 1 in which a barrier layer is created prior to the horizontal placement of the electron-emitting material.
21.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 20 ในที่ซึ่งชั้นขวางกั้นดังกล่าวถูกเอาออกได้ตามการเลือก21. Procedures under claim 20 where such barrier can be removed at one's own discretion.
22.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งยอดแหลมดังกล่าวถูกเคลือบด้วยวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน22. The procedure under claim 1 in which the aforementioned apex is coated with an electron-emitting material.
23.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งยอดแหลมดังกล่าวถูกกลับให้คมตามการเลือกด้วยกรรมวิธีที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยการกัดช้าแบบไอโซโทรบิดหรือการออกซิเดชัน23. The process under claim 1 in which the sharp point is sharpened by a selection of processes from a group consisting of slow isotrobital cutting or oxidation.
24.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งชั้นรองรับถูกสร้างขึ้นบนหลังของโครงสร้างดังกล่าว24. The procedure under claim 1 in which a support structure is built upon the roof of such structure.
25.กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งปลดปล่อยถูกสร้างขึ้นก่อนการวางนอนวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว25. The procedure under claim 1 in which the release occurs is established prior to the laying down of the said electron-emitting material.
26.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 1, ในที่นี้เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al,Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf และโลหะผสมของมัน หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยส่วนประกอบเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า26. The process of constructing the field-emission cathode structure of claim 1, herein referred to as the electron-emission material, shall be selected from a group consisting of Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf and their alloys, or a solid solution consisting of two or more of these components.
27.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 1, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้ว และสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน27. The process for constructing the field-emission cathode structure of claim 1, here referred to as the electron-emission material, is selected from a group consisting of doped semiconductors and undoped semiconductors.
28.กรรมวิธีในการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยหนึ่งตัวที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ ก) การขึ้นรูปวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยหนึ่งชั้นเหนือชั้นฐาน ข) การขึ้นรูปรูอย่างน้อยหนึ่งรูที่อย่างน้อยทะลุผ่านชั้นตัวนำไฟฟ้าอย่างน้อยหนึ่งชั้นดังกล่าว ค) การวางนอนวัสดุเป็นฉนวนอย่างน้อยหนึ่งตัวเหนือชั้นตัวนำไฟฟ้าอย่างน้อยชั้นดังกล่าวและการเติมให้เติมอย่างน้อยส่วนหนึ่งของรูดังกล่าวให้พอที่จะขึ้นรูปหลายแหลม ง) การวางนอนอย่างน้อยชั้นหนึ่งของวัสดุซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนออกภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้าลงเหนือวัสดุเป็นฉนวนดังกล่าวในขั้นตอน (ค) และการเติมให้เต็มอย่างน้อยส่วนหนึ่งของยอดของปลายแหลมดังกล่าว และ จ) การเอาวัสดุข้างใต้ปลายแหลมออกเพื่อเเปิดให้เป็นอย่างน้อยส่วนหนึ่งของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวและที่โดยเหตุนี้ขึ้นรูปอย่างน้อยโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามหนึ่งตัวดังกล่าว28. The procedure for creating at least one field-emitting cathode structure consists of the following steps: a) forming at least one layer of conductive material over the base layer; b) forming at least one hole that at least penetrates at least one such conductive layer; c) laying at least one layer of insulating material horizontally over at least one such conductive layer and filling at least part of the hole to the extent that it forms several sharp points; d) laying at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field horizontally over the insulating material in step (c) and filling at least part of the top of such sharp points; and e) removing the material beneath the sharp points to expose at least part of the such electron-emitting material and thus forming at least one such field-emitting cathode structure.
29.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag,Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf และโลหะผสมของมัน หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยส่วนประกอบเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า29. The process for constructing the field-emission cathode structure of claim 28, herein referred to as the electron-emission material, shall be selected from a group consisting of Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf and their alloys, or a solution of a solid containing two or more of these components.
30.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28 ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแซปไฟร์, แก้วหรืออกไซด์ของ Si, Al, Mg และ Ce30. The procedure for constructing the field-discharge cathode structure of claim 28 herein, referred to as the insulating material, shall be selected from a group consisting of sapphire, glass, or oxides of Si, Al, Mg, and Ce.
31.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน จะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้ว และสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน31. The process for constructing the field-emission cathode structure of claim 28, herein referred to as the electron emission material, shall be selected from a group of doped and undoped semiconductors.
32.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งปิดคลุมพื้นผิวของผนังของที่เรียกว่าวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่อยู่ชิดกับที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนที่เผยออกจะได้รับการกำจัดออกไป32. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28, herein at least one part of the so-called insulating material which covers the surface of the wall of at least one so-called conductive material adjacent to the so-called exposed electron emission material shall be eliminated.
33.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองจะก่อขึ้นโดยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการขูด, การเจาะ, การกัดสลักด้วยน้ำยา, การเซาะด้วยไอออน,การตัดออกหรือการหล่อแบบ33. The process of forming the field-discharge cathode structure of claim 28, herein referred to as the bore in the so-called substrate material, shall be created by a selection of processes which may include scraping, drilling, reagent etching, ion etching, cutting or casting.
34.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองจะผ่านการกัดสลักด้วยน้ำยา,โดยการใช้กลวิธีของการกัดสลักที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการกัดสลักแบบแอบิโซโทรบิก, การกัดสลักด้วยจำไอออน, การกัดสลักแบบไอโซโทรบิก,การกัดสลักด้วยไอออนรีแอคทีฟ, การกัดสลักด้วยพลาสมาหรือการกัดสลักแบบเปียก,34. The procedure for the field-discharge cathode structure of claim 28, herein referred to as the hole in the so-called substrate material, shall be performed by liquid etching, using an etching method selected from a group of which include abisotrobic etching, ion etching, isotrobic etching, ion reactive etching, plasma etching, or wet etching.
35.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุฉนวน35. The procedure for constructing the field-discharge cathode structure of claim 28, herein referred to as the primary material being an insulating material.
36.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุสารกึ่งตัวนำ36. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28, here referred to as the first-order material, is a semiconductor material.
37.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุนำไฟฟ้า37. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28, herein referred to as the primary material, is a conductive material.
38.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นหลายชั้น38. The procedure for constructing the field-discharge cathode structure of claim 28, herein called the primary material, consists of multiple layers.
39.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นปลดปล่อย39. The procedure for constructing the field discharge cathode structure of claim 28, herein referred to as the primary material, consists of a discharge layer.
40.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนเป็นวัสดุที่ทำเป็นชั้นเดียว40. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28, here referred to as the electron-emitting material, is a single-layer material.
41.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะทำให้เป็นชั้นหลายชั้น41. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28, here referred to as the electron-emitting material, is to make it a multilayered structure.
42.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุที่หนึ่งใต้ปลายแหลมจะกำจัดออกไปด้วยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย, การละลาย, การกัดสลักด้วยน้ำยา, การระเหย, การหลอมเหลว, หรือการขัดออก42. The process of removing the field-discharge cathode structure of claim 28, herein called the first material under the tip, shall be done by a select of processes which shall include, dissolving, reagent etching, evaporation, melting, or abrasion.
43.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้วัสดุฐานรองทั้งหมดที่อยู่ใต้ชั้นของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะได้รับการกำจัดออกไปโดยสิ้นเชิง43. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28, in which all substrate material beneath the electron-emitting layer is completely removed.
44.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 43, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกทั้งหมดที่อยู่ใต้วัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะได้รับการกำจัดออกไปโดยสิ้นเชิง44. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 43, herein all the so-called first-grade materials beneath the electron-emitting material are completely eliminated.
45.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในวัสดุฐานรองดังกล่าวมีรูปโครงร่างที่ซึ่งขนาดรูเป็นค่าคงที่ตามความลึก45. The procedure for constructing the field-discharge cathode structure of claim 28, herein referred to as a hole in the substrate, is such that the size of the hole is constant at its depth.
46.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในวัสดุฐานรองดังกล่าวมีรูปโครงร่างที่ซึ่งขนาดของรูปแปรผันความลึก46. The procedure for constructing the field-discharge cathode structure of claim 28, herein referred to as a hole in the substrate material, has a contour shape in which the dimensions of the contour vary in depth.
47.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 28, ในที่นี้ชั้นขวางกั้นจะก่อรูปขึ้นก่อนการพอกพูนของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน47. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28 involves the formation of a barrier layer prior to the deposition of the so-called electron-emitting material.
48.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อ 47, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นขวางกั้นจะกำจัดออกไปแบบเลือกได้48. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 47, here referred to as the barrier layer, shall be selectively eliminated.
49.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะเคลือบด้วยวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน49. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28, here referred to as the apex, involves coating it with an electron-emitting material.
50.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะสับให้คมแบบเลือกได้ด้วยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการกัดสลักด้วยน้ำยาแบบไอโซโทรบิกช้าๆ หรือการออกซิเตชัน50. The procedure for sharpening the field-discharge cathode structure of claim 28, herein referred to as the apex, is selectively sharpened by a selection of methods from which there are either slow isotropic etching or oxidation.
51.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้จะก่อขึ้นรูปชั้นรองรับไว้บนส่วนหลังของโครงสร้างดังกล่าว51. The procedure for constructing the field discharge cathode structure of claim 28 herein shall involve forming a support layer on the back of such structure.
52.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 28, ในที่นี้จะก่อขึ้นรูปชั้นปลดปล่อยก่อนการพอกพูนของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน52. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 28 involves forming an emission layer prior to the accumulation of what is called the electron emission material.
53.กรรมวิธีในการทำอย่างน้อยโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามหนึ่งตัวที่ประกอบด้วยชั้นด้วยขั้นตอนของ ก) การขึ้นรูปวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยหนึ่งชั้นเหนือชั้นฐานโดยที่ชั้นวัสดุนำไฟฟ้าดังกล่าวแต่ละชั้นถูกกั้นแยกด้วยวัสดุฉนวน ข) การขึ้นรูปรูอย่างน้อยหนึ่งรูที่อย่างน้อยทะลุผ่านชั้นวัสดุนำไฟฟ้าดังกล่าว ค) การวางนอนวัสดุเป็นฉนวนอย่างน้อยหนึ่งตัวเหนือชั้นวัสดุตัวนำไฟฟ้าดังกล่าวและการเติมให้เต็มอย่างน้อยหนึ่งส่วนหนึ่งของรูดังกล่าวให้พอที่จะขึ้นรูปปลายแหลม ง) การวางนอนอย่างน้อยชั้นหนึ่งของวัสดุซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนออกภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้าลงเหนือวัสดุเป็นฉนวนดังกล่าวในขั้นตอน (ค) และการเติมให้เต็มอย่างน้อยส่วนหนึ่งของยอดของปลายแหลมดังกล่าว และ จ) การเอาวัสดุข้างใต้ปลายแหลมออกเพื่อเเปิดให้เป็นอย่างน้อยส่วนหนึ่งของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวและที่โดยเหตุนี้ขึ้นรูปอย่างน้อยโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามหนึ่งตัวดังกล่าว53. The procedure for making at least one layered field-emitting cathode structure involves the following steps: a) forming at least one layer of conductive material over the base layer, with each such conductive layer separated by an insulating material; b) forming at least one hole that at least penetrates the such conductive layers; c) laying at least one layer of insulating material horizontally over the such conductive layers and filling at least part of the hole sufficiently to form a sharp point; d) laying at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field horizontally over the insulating material in step (c) and filling at least part of the top of such a sharp point; and e) removing the material beneath the sharp point to expose at least part of the such electron-emitting material and thus forming at least one such layered field-emitting cathode structure.
54.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag,Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf และโลหะผสมของมัน หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยส่วนประกอบเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า54. The procedure for constructing the field-emission cathode structure of claim 53, herein referred to as the electron-emission material, shall be selected from a group consisting of Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf and their alloys, or a solid solution consisting of two or more of these components.
55.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแซปไฟร์, แก้วหรือออกไซด์ของ Si, Al,Mg และ Ce55. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, herein referred to as the insulating material, shall be selected from a group consisting of sapphire, glass, or oxides of Si, Al, Mg, and Ce.
56.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือบนแล้ว และสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน56. The procedure for constructing the field-emission cathode structure of claim 53, here referred to as the electron-emission material, shall be selected from a group consisting of doped semiconductors and undoped semiconductors.
57.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งขนิดหนึ่งซึ่งปิดคลุมพื้นผิวของผนังของที่เรียกว่าวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่อยู่ชิดกับที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนที่เผยออกจะได้รับการกำจัดออกไป57. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, herein at least one part of the so-called insulating material which covers the surface of the wall of at least one conductive material adjacent to the so-called exposed electron emission material shall be removed.
58.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในวัสดุฐานของจะก่อรูปขึ้นโดยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการขูด, การเจาะ, การกัดสลักด้วยน้ำยา, การเซาะด้วยไอออน, การตัดออกหรือการหล่อแบบ58. The process of forming the field-discharge cathode structure of claim 53, herein referred to as the hole in the base material, shall be formed by a selection of processes which include scraping, drilling, reagent etching, ion etching, cutting, or casting.
59.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองจะผ่านการกัดสลักด้วยน้ำยา,โดยการใช้กลวิธีของการกัดสลักที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการกัดสลักแบบแอนิโซโทรบิก, การกัดสลักด้วยลำไอออนการกัดสลักแบบไอโซโทรบิก,การกัดสลักด้วยไอออนรีแอกทีฟ, การกัดสลักด้วยพลาสมา หรือ การกัดสลักแบบเปียก59. The procedure for the field-discharge cathode structure of claim 53, herein referred to as the hole in the so-called substrate material, shall be performed by liquid etching, using an etching method selected from a group of which include anisotrobic etching, ion beam etching, isotrobic etching, ion reactive etching, plasma etching, or wet etching.
60.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุฉนวน60. The procedure for constructing the field-discharge cathode structure of claim 53, herein referred to as the primary material, is an insulating material.
61.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ61. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, here referred to as the primary material, is a semiconductor.
62.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกเป็นวัสดุนำไฟฟ้า62. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, herein referred to as the primary material, is a conductive material.
63.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นหลายชั้น 64.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นหลายชั้น63. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, herein referred to as the primary material, consists of multiple layers. 64. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, herein referred to as the primary material, consists of multiple layers.
64.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกประกอบด้วยชั้นปลดปล่อย64. The procedure for constructing the field discharge cathode structure of claim 53, herein referred to as the primary material, consists of a discharge layer.
65.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนเป็นวัสดุที่ทำเป็นชั้นเดียว65. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, here referred to as the electron-emitting material, is a single-layer material.
66.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะทำเป็นชั้นหลายชั้น66. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, here referred to as the electron-emitting material, is to be made in multiple layers.
67.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกใต้ปลายแหลมจะกำจัดออกไปด้วยกรรมวิธีคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการละลาย, การกัดสลักด้วยน้ำยา, การระเหย, การหลอมเหลวหรือการขัดออก67. The process of removing the field-discharge cathode structure of claim 53, herein referred to as the primary material under the tip, shall be selectively removed by a group of processes which include dissolution, reagent etching, evaporation, melting or abrasion.
68.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้วัสดุฐานรองทั้งหมดที่อยู่ใต้ชั้นของวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะได้รับการกำจัดออกไปโดยสิ้นเชิง68. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53, where all substrate material beneath the electron-emitting layer is completely removed.
69.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 68, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกทั้งหมดที่อยู่ใต้วัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะได้รับการกำจัดออกไปโดยสิ้นเชิง69. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 68, herein the so-called first-grade material beneath the electron-emitting material is completely eliminated.
70.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองมีรูปโครงร่าง ที่ซึ่งขนาดของรูเป็นค่าคงที่ตามความลึก70. The procedure for constructing the field-discharge cathode structure of claim 53, herein called the hole in the so-called substrate material, is a framework in which the size of the hole is constant at its depth.
71.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ารูในที่เรียกว่าวัสดุฐานรองมีรูปโครงร่าง ที่ซึ่งขนาดของรูแปรผันตามความลึก71. The procedure for constructing the field-discharge cathode structure of claim 53, herein referred to as the hole in the so-called substrate material, is a structure in which the size of the hole varies with depth.
72.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ชั้นขวางกั้นจะก่อรูปขึ้นก่อนการพอกพูนของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน72. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53 involves the formation of a barrier layer prior to the accumulation of the so-called electron-emitting material.
73.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 72, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นขวางกั้นจะกำจัดออกไปแบบเลือกได้73. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 72, here referred to as the barrier layer, is selectively eliminated.
74.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะเคลือบด้วยวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน74. The procedure for constructing the field-emission cathode structure of claim 53, here referred to as the apex, involves coating it with an electron-emission material.
75.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะสับให้คมแบบเลือกได้ด้วยกรรมวิธีที่คัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยการกัดสลักด้วยน้ำยาแบบไอโซโทรปีกช้าๆ หรือการออกซิเดชัน75. The procedure for sharpening the field discharge cathode structure of claim 53, herein referred to as the apex, is selectively sharpened by a selection of methods from which there are either slow isotropic etching or oxidation.
76.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้จะก่อขึ้นรูปชั้นรองรับไว้บนส่วนหลังของโครงสร้างดังกล่าว76. The procedure for constructing the field discharge cathode structure of claim 53 herein shall involve forming a support layer on the back of such structure.
77.กรรมวิธีของการทำโครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 53, ในที่นี้จะก่อขึ้นรูปชั้นปลดปล่อยก่อนการพอกพูนของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน77. The procedure for constructing the field-emitting cathode structure of claim 53 involves forming a pre-accumulation layer of what is called the electron emission material.
78.โครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามประกอบด้วยชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และมียอดแหลมสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดที่ก่อรูปขึ้นด้วยกรรมวิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a)การจัดให้มีรูไว้ในวัสดุฐานรองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งรู, (b)ทำการพอกพูนอย่างน้อยที่สุดวัสดุอันดับแรกและทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของรูดังกล่าวให้เพียงพอต่อการขึ้นรูปปลายแหลม, (c)ทำการพอกพูนที่เรียกว่าชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าปลายแหลมเพื่อก่อรูปเป็นที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนมีพื้นผิวด้านบนกับพื้นผิวด้านล่าง,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านบนมีปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านล่างมียอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอด,โดยที่ยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะอยู่ตรงกันข้ามกันที่เรียกว่าปลายแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,และในที่นี้ส่วนของพื้นผิวของที่เรียกยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งจะเว้าเข้าและในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะใช้สำหรับการปล่อยที่เรียกว่าอิเล็กตรอน,และ (d)การกำจัดที่เรียกว่าวัสดุฐานรองอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งกับที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งออกไปเพื่อเปิดเผยที่เรียกว่ายอดแหลมของที่เรียกว่าวัสดุอิเล็กตรอนอย่าสงน้อยที่สุดส่วนหนึ่งและโดยลักษณะนี้เป็นการก่อรูปที่เรียกว่าโครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งโครงสร้าง78. The structure of a field-emitting cathode consists of at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field, and at least one emission peak formed by a process consisting of the following steps: (a) providing at least one hole in the substrate material; (b) depositing at least one primary material and filling at least a portion of the hole sufficiently to form the peak; (c) depositing at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field, and filling at least a portion of the so-called peak to form at least one so-called electron emission layer, where the so-called electron emission layer has a top surface and a bottom surface, where the so-called top surface has at least one second peak, where the so-called bottom surface has at least one peak, where at least one peak is opposite to the so-called peak, and where at least one part of the surface of the so-called peak is concave, and where at least one peak is used for the emission of electrons, and (d) The removal of at least a portion of the so-called base material and at least a portion of the so-called first material to expose at least a portion of the so-called apex of the so-called electron material and by this means forming at least one so-called field-emission cathode structure.
79.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น79. The field-emitting cathode structure of claim 78, here referred to as the electron emission layer, is a multi-layered structure.
80.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, โดยที่ยอดแหลมของที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น80. The field-emission cathode structure of claim 78, where at least one of the apexes of the so-called electron emission layer is a multilayered structure.
81.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นรองรับ.81. The field-emitting cathode structure of claim 78, here referred to as the electron emission layer, is further comprised of a support layer.
82.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78,ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดไว้บนด้านที่เป็นยอดแหลมของชั้นปล่อยอิเล็กตรอน ซึ่งจะแยกออกจากที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนด้วยวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดโดยที่เรียกว่ายอดแหลมที่เป็นตัวปล่อยจะเผยออกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอด82. The cathode field emission structure of claim 78 shall also consist of at least one conductive material placed on the apex of the electron emission layer, which is separated from the so-called electron emission layer by at least one insulating material, with at least one so-called emission apex exposed.
83.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 82,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น83. The field-emitting cathode structure of claim 82, here referred to as the electron emission layer, is a multi-layered structure.
84.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 82,ในที่นี้ ยอดแหลมของที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น84. The field-emission cathode structure of claim 82, where at least one apex of the so-called electron emission layer is a multilayered structure.
85.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 82,ในที่นี้เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นรองรับ85. The field-emitting cathode structure of claim 82, here referred to as the electron emission layer, is further comprised of a support layer.
86.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78,ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยวัสดุนำไฟฟ้ากลุ่มหนึ่งบนด้านที่เป็นยอดแหลมของชั้นปล่อยอิเล็กตรอน, ชั้นของวัสดุนำไฟฟ้าแต่ละชั้นจะแยกออกจากกันและกัน และแยกออกจากที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนด้วยวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดโดยที่ที่เรียกว่ายอดแหลมที่เป็นตัวปล่อยจะเผยออกอย่างน้อยที่หนึ่งยอด86. The cathode field emission structure of claim 78, further comprises a group of conductive material on the apex of the electron emission layer, each layer of conductive material separated from the other and from the so-called electron emission layer by at least one insulating material, where at least one so-called emission apex is exposed.
87.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 86, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น87. The field-emission cathode structure of claim 86, here called the electron emission layer, is a multi-layered structure.
88.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 86, ในที่นี้ยอดแหลมของที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น88. The field-emission cathode structure of claim 86, where the apex of the so-called electron emission layer has at least one apex, is a multilayered structure.
89.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 86, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นรองรับ89. The field-emission cathode structure of claim 86, here called the electron emission shell, is further composed of a support shell.
90.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นขวางกั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นบนด้านที่เป็นยอดแหลมของชั้นปล่อยอิเล็กตรอน,ซึ่งจะกำจัดออกไปแบบเลือกได้เพื่อเปิดเผยที่เรียกว่ายอดแหลม90. The field-emitting cathode structure of claim 78 also includes at least one barrier layer on the apex of the electron emission layer, which is selectively removed to reveal the so-called apex.
91.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 90, ในที่นี้เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น91. The field-emitting cathode structure of claim 90, here referred to as the electron emission layer, is a multilayered structure.
92.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 90, ในที่นี้ยอดแหลมของที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดเป็นโครงสร้างที่มีหลายชั้น92. The field-emission cathode structure of claim 90, where the apex of the so-called electron emission layer has at least one apex, is a multilayered structure.
93.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 90, ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนยังประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้นรองรับ93. The field-emission cathode structure of claim 90, here called the electron emission layer, is further composed of a support layer.
94.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้เรียกว่ายอดแหลมมีชั้นผิวเคลือบที่เป็นวัสดุปล่อยอิเล็กตรอน94. The field-emitting cathode structure of claim 78, herein referred to as the apex with an electron-emitting material coating.
95.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะลับให้คม,95. The cathode structure of the field release of claim 78, here referred to as the sharp apex, is sharpened.
96.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะใช้เป็นแหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน96. The field-emitting cathode structure of claim 78, here referred to as the apex, is used as an electron source.
97.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะแยกออกไฟฟ้าจากยอดแหลมอื่น97. The cathode field-emitting structure of claim 78, where at least one apex is electrically isolated from the others.
98.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับส่วนประกอบอิเล็กทรอ นิกส์อื่น98. The field-emitting cathode structure of claim 78, where at least one of the apexes is electrically connected to another electronic component.
99.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมจะใช้ในอุปกรณ์แสดงผลเชิงอิเล็กทรอนิกส์,99. The field-emitting cathode structure of claim 78, herein referred to as the apex, is used in electronic display devices.
100.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมที่มีรูปโครงร่าง เป็นแบบจุดหรือเป็นแบบใบมีด100. The cathode field emission structure of claim 78, herein referred to as the apex, is either a point or a blade-like structure.
101.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย mo,w,Ta,Re,Pt,Au,Ag,Al,Cu,Nb,Ni,Cr,Ti,Zr,Hf และ โลหะผสมของวัสดุเหล่านี้ หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยธาตุเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า101. The field-emitting cathode structure of claim 78, here referred to as the electron-emitting material, is selected from a group consisting of Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf and alloys of these materials, or solutions of solids containing two or more of these elements.
102.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อนอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือป่นแล้ว และสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน102. The field-emitting cathode structure of claim 78, here referred to as the electron-emitting material, is selected from a group of doped semiconductors and undoped semiconductors.
103.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุอันดับแรกอย่างน้อยที่สุดเป็นวัสดุที่มีหลายชั้น103. The field-emitting cathode structure of claim 78, here referred to as the first-order material, is at least a multilayered material.
104.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 103, ในที่นี้ชั้นของที่เรียกว่าวัสดุที่มีหลายชั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นเป็นวัสดุขวางกั้น104. The cathode emission structure of claim 103, here is a layer of so-called multilayered material, with at least one layer being a barrier material.
105.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะแยกออกทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทอันที่สอง105. The field-emitting cathode structure of claim 78, herein called the structure, has at least two cathodes and herein at least part of one cathode is electrically separated from part of the second cathode.
106.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 78, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างจะมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับส่วนหนึ่งของแคโทดอันที่สอง106. The field-emitting cathode structure of claim 78, herein called the structure shall have at least two cathodes and herein at least part of one cathode shall be electrically connected to part of the second cathode.
107.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามประกอบด้วยชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และมียอดแหลมสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดที่ก่อรูปขึ้นด้วยกระบวนการซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a)ทำการก่อขึ้นรูปชั้นของวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นไว้บนชั้นฐาน, (b)ทำการก่อขึ้นรูปรูอย่างน้อยที่สุดหนึ่งรูอย่างน้อยที่สุดทะลุผ่านที่เรียกว่าชั้นนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น, (c)ทำการพอกพูนวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดไว้บนที่เรียกว่าชั้นนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นและทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่ารูให้เพียงพอต่อการก่อขึ้นรูปปลายแหลม, (d)ทำการพอกพูนชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น ซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,บนที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของขั้นตอน(e),และทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าปลายแหลมเพื่อก่อขึ้นรูปที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอน อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนมีพื้นผิวด้านบนกับพื้นผิวด้านล่าง,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านบนมีปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะอยู่ตรงกันข้ามกันที่เรียกว่าปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,และในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของที่เรียกว่ายอดแหลมจะเว้าเข้าและในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะใช้สำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว,และ (e)การกำจัดที่เรียกว่าวัสดุที่อยู่ใต้ที่เรียกว่ายอดแหลมออกไปอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งเพื่อเปิดเผยที่เรียกว่ายอดแหลมของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งและโดยวิธีการนี้การก่อขึ้นรูปโครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งโครงสร้าง107. The structure of a field-emitting cathode consists of at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field, and has at least one electron-emitting apex formed by a process consisting of the following steps: (a) forming at least one layer of conductive material on the base layer; (b) forming at least one hole through which at least one conductive layer is called; (c) depositing at least one type of insulating material on the so-called conductive layer and filling at least a portion of the so-called hole sufficiently to form the apex; (d) depositing at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field, on at least one type of insulating material in step (e), and filling at least a portion of the so-called apex to form the so-called electron-emitting layer. At least one layer, herein called the electron emission layer, has a top surface and a bottom surface, herein called the top surface, has at least one second pointed tip, at least one apex opposite to the other, herein called the second pointed tip, at least one apex, and herein at least one part of the surface of the so-called pointed tip is concave, and herein at least one so-called pointed tip is used for such electron emission, and (e) the removal of at least one part of the material beneath the so-called pointed tip to expose at least one part of the so-called pointed tip of the so-called electron emission material and by this means the formation of at least one field emission cathode structure.
108.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย mo,w,Ta,Re,Pt,Au,Ag,Al,Cu,Nb,Ni,Cr,Ti,Zr,Hf และ โลหะผสมของวัสดุเหล่านี้ หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยธาตุเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า108. The field-emitting cathode structure of claim 107, here referred to as the electron-emitting material, is selected from a group consisting of Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf and alloys of these materials, or solutions of solids containing two or more of these elements.
109.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแซปไฟร์,แก้วหรือออกไซด์ของ Si,Al,Mg และ Ce109. The field-emitting cathode structure of claim 107, herein referred to as the insulating material, shall be selected from a group consisting of sapphire, glass, or oxides of Si, Al, Mg, and Ce.
110.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้วและสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน110. The field-emitting cathode structure of claim 107, here referred to as the electron-emitting material, is selected from a group of doped and undoped semiconductors.
111.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดเป็นวัสดุที่มีหลายชั้น111. The cathode field-emitting structure of claim 107, herein called at least one insulating material, is a multilayered material.
112.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 111, โดยที่ชั้นของที่เรียกว่าวัสดุที่มีหลายชั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นเป็นวัสดุขวางกั้น112. The cathode emission structure of the claim of clause 111, where a layer of so-called material is present, with at least one layer being a barrier material.
113.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างจะมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะแยกออกทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทดอันที่สอง113. The field-emitting cathode structure of claim 107, herein called the structure, shall have at least two cathodes and herein at least a portion of one cathode shall be electrically separated from a portion of the second cathode.
114.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างจะมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทดอันที่สอง114. The field-emitting cathode structure of claim 107, herein called the structure shall have at least two cathodes and herein at least part of one cathode shall be electrically connected from part of the second cathode.
115.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 107, โดยที่อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งปิดคลุมพื้นผิวของผนังของที่เรียกว่าวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่อยู่ชิดกันที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนที่เผยออกจะได้รับการกำจัดออกไป115. The field-emitting cathode structure of claim 107, where at least one part of the so-called insulating material which covers the surface of the wall of at least one adjacent so-called conductive material, the exposed electron-emitting material, is eliminated.
116.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามประกอบด้วยชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และมียอดแหลมสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดที่ก่อรูปขึ้นด้วยกระบวนการซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a)ทำการก่อขึ้นรูปชั้นของวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นไว้บนชั้นฐาน,โดยที่ชั้นของวัสดุนำไฟฟ้าดังกล่าวแต่ละชั้นจะแยกออกจากกันด้วยวัสดุฉนวน (b)ทำการก่อขึ้นรูปรูอย่างน้อยที่สุดหนึ่งรูอย่างน้อยที่สุดทะลุผ่านที่เรียกว่าชั้นนำไฟฟ้า, (c)ทำการพอกพูนวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดไว้บนที่เรียกว่าชั้นนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นและทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่ารูให้เพียงพอต่อการก่อขึ้นรูปปลายแหลม, (d)ทำการพอกพูนชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น ซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,บนที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของขั้นตอน(c),และทำการเติมอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าปลายแหลมเพื่อก่อขึ้นรูปที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนมีพื้นผิวด้านบนกับพื้นผิวด้านล่าง,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านบนมีปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะอยู่ตรงกันข้ามกันที่เรียกว่าปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,และในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของที่เรียกว่ายอดแหลมจะเว้าเข้าและในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะใช้สำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว,และ (e)การกำจัดที่เรียกว่าวัสดุที่อยู่ใต้ที่เรียกว่ายอดแหลมออกไปอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งเพื่อเปิดเผยที่เรียกว่ายอดแหลมของที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งและโดยวิธีการนี้การก่อขึ้นรูปโครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งโครงสร้าง116. The structure of a field-emitting cathode consists of at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field, and has at least one emission peak formed by a process consisting of the following steps: (a) forming at least one layer of conductive material on the base layer, with each such layer of conductive material separated by an insulating material; (b) forming at least one hole through which the so-called conductive material is formed; (c) depositing at least one type of insulating material on at least one layer of the so-called conductive material and filling at least part of the so-called hole sufficiently to form the peak; (d) depositing at least one layer of material. which can emit electrons under the influence of an electric field, on at least one so-called insulating material of a phase(c), and make at least one part of the so-called tip to form at least one so-called electron emission layer, here the so-called electron emission layer has a top surface with a bottom surface, where the so-called top surface has at least one second so-called tip opposite to the so-called second so-called tip, and here at least one part of the surface of the so-called tip is concave and here at least one so-called tip is used for such electron emission, and (e) remove at least one part of the so-called material beneath the so-called tip to expose at least one part of the so-called tip of the so-called electron emission material and by this means forming at least one field-emitting cathode structure.
117.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย mo,w,Ta,Re,Pt,Au,Ag,Al,Cu,Nb,Ni,Cr,Ti,Zr,Hf และ โลหะผสมของวัสดุเหล่านี้ หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยธาตุเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า117. The field-emitting cathode structure of claim 116, here referred to as the electron-emitting material, is selected from a group consisting of Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf and alloys of these materials, or solutions of solids containing two or more of these elements.
118.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแซปไฟร์,แก้วหรือออกไซด์ของ Si,Al,Mg และ Ce118. The field-emitting cathode structure of claim 116, herein referred to as the insulating material, shall be selected from a group consisting of sapphire, glass, or oxides of Si, Al, Mg, and Ce.
119.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้วและสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน119. The field-emission cathode structure of claim 116, here referred to as the electron-emission material, is selected from a group of doped and undoped semiconductors.
120.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดเป็นวัสดุที่มีหลายชั้น120. The cathode field-emitting structure of claim 116, herein called at least one insulating material, is a multilayered material.
121.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 120, ในที่ชั้นของที่เรียกว่าวัสดุที่มีหลายชั้นอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นเป็นวัสดุขวางกั้น121. The cathode emission structure of claim 120, in which a layer of so-called multilayered material, at least one layer of which is a barrier material, is formed.
122.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะแยกออกทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทอันที่สอง122. The field-emitting cathode structure of claim 116, herein called the structure, has at least two cathodes and herein at least part of one cathode is electrically separated from part of the second cathode.
123.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, ในที่นี้ที่เรียกว่าโครงสร้างจะมีแคโทดอย่างน้อยที่สุดสองแคโทดและในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของแคโทดอันหนึ่งจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้าจากส่วนหนึ่งของแคโทดอันที่สอง123. The field-emitting cathode structure of claim 116, herein called the structure, shall have at least two cathodes and herein at least a portion of one cathode shall be electrically connected from a portion of the second cathode.
124.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 116, โดยที่อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของที่เรียกว่าวัสดุฉนวนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งปิดคลุมพื้นผิวของผนังของที่เรียกว่าวัสดุนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่อยู่ชิดกันที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนที่เผยออกจะได้รับการกำจัดออกไป124. The field-emitting cathode structure of claim 116, where at least one part of the so-called insulating material which covers the surface of the wall of at least one adjacent so-called conductive material, the exposed electron-emitting material, is eliminated.
125.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามประกอบด้วยชั้นของวัสดุอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นซึ่งสามารถปล่อยอิเล็กตรอนภายใต้อิทธิพลของสนามไฟฟ้า,และมียอดแหลมสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอด,ในที่นี้ที่เรียกว่าชั้นปล่อยอิเล็กตรอนมีพื้นผิวด้านบนกับพื้นผิวด้านล่าง,ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านบนมีปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย ที่เรียกว่าพื้นผิวด้านล่างมียอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอด,โดยที่ยอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะอยู่ตรงกันข้ามกับที่เรียกว่าปลายแหลมที่สองอย่างน้อยที่สุดหนึ่งปลาย,และในที่นี้อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของที่เรียกว่ายอดแหลมจะเว้าเข้าและในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งยอดจะใช้สำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าว,และโดยลักษณะนี้เป็นการก่อขึ้นรูปที่เรียกว่าโครงสร้างของแคโทดปล่อยสนามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งโครงสร้าง125. The field-emission cathode structure consists of at least one layer of material capable of emitting electrons under the influence of an electric field, and having at least one apex for electron emission; here, the so-called electron emission layer has a top surface and a bottom surface; the so-called top surface has at least one second apex; the so-called bottom surface has at least one apex, where at least one apex is opposite to the so-called second apex; and here, at least a part of the surface of the so-called apex is concave; and here, at least one apex is used for such electron emission; and by this characteristic, at least one structure called the field-emission cathode structure is formed.
126.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 125, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย mo,w,Ta,Re,Pt,Au,Ag,Al,Cu,Nb,Ni,Cr,Ti,Zr,Hf และ โลหะผสมของวัสดุเหล่านี้ หรือสารละลายของของแข็งซึ่งประกอบด้วยธาตุเหล่านี้สองชนิดหรือมากกว่า126. The field-emitting cathode structure of claim 125, here referred to as the electron-emitting material, is selected from a group consisting of Mo, W, Ta, Re, Pt, Au, Ag, Al, Cu, Nb, Ni, Cr, Ti, Zr, Hf, and alloys of these materials, or solutions of solids containing two or more of these elements.
127.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 125, ในที่นี้ที่เรียกว่าวัสดุปล่อยอิเล็กตรอนจะคัดเลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำที่ผ่านการเจือปนแล้วและสารกึ่งตัวนำที่ยังไม่มีการเจือปน127. The field-emission cathode structure of claim 125, here referred to as the electron-emission material, is selected from a group of doped and undoped semiconductors.
128.โครงสร้างแคโทดปล่อยสนามของข้อถือสิทธิข้อที่ 125, ในที่นี้ที่เรียกว่ายอดแหลมที่มีรูปโครงร่าง เป็นแบบจุดหรือรูปโครงร่างแบบใบมีด128. The field-emitting cathode structure of claim 125, here referred to as the apex, is either a point or a blade-like structure.