TH110594A - - Google Patents

Info

Publication number
TH110594A
TH110594A TH801005823A TH0801005823A TH110594A TH 110594 A TH110594 A TH 110594A TH 801005823 A TH801005823 A TH 801005823A TH 0801005823 A TH0801005823 A TH 0801005823A TH 110594 A TH110594 A TH 110594A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
silica
radiation
low
substrate
cured
Prior art date
Application number
TH801005823A
Other languages
English (en)
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์ นายณัฐพล อร่ามเมือง
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์ นายณัฐพล อร่ามเมือง filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์ นายณัฐพล อร่ามเมือง
Publication of TH110594A publication Critical patent/TH110594A/th

Links

Abstract

DC60 (12/11/51) สารเคลือบบนพื้นฐานซิลิกาที่มีดัชนีต่ำอาจถูกทำขึ้นโดยการก่อรูปสารตั้งต้นซิลิกาที่มี องค์ประกอบที่สามารถบ่มได้ด้วยการแผ่รังสีที่รวมถึงโมโนเมอร์ที่สามารถบ่มได้ด้วยการแผ่รังสี และ/ หรือ ซิลิกาที่เป็นคอลลอยด์ สารตั้งต้นซิลิกาอาจถูกสะสมบนซับสเทรท (เช่น ซับสเทรทแก้ว หรือ แผ่นบางของซิลิคอน) เพื่อก่อรูปชั้นสารเคลือบ จากนั้นชั้นสารเคลือบอาจถูกบ่มผ่านการเปิดออกสู่ การแผ่รังสีแม่เหล็กไฟฟ้า เช่น การแผ่รังสี UV จากนั้น ชั้นสารเคลือบที่ถูกบ่มอาจถูกเผาโดยใช้ อุณหภูมิตั้งแต่ประมาณ 550 ถึง 700 องศาเซลเซียส ในการก่อรูปสารเคลือบบนพื้นฐานซิลิกาที่มีดัชนีต่ำ สาร เคลือบบนพื้นฐานซิลิกาที่มีดัชนีต่ำอาจถูกใช้เป็นฟิล์มต้านการสะท้อน (AR) บนซับสเทรทแก้ว ด้านหน้าของอุปกรณ์ที่สร้างแรงดันไฟฟ้าจากแสง (เช่น โซลาร์เซล) ในตัวอย่างที่แน่นอน สารเคลือบบนพื้นฐานซิลิกาที่มีดัชนีต่ำอาจถูกทำขึ้นโดยการก่อรูปสารตั้งต้นซิลิกาที่มี องค์ประกอบที่สามารถบ่มได้ด้วยการแผ่รังสีที่รวมถึงโมโนเมอร์ที่สามารถบ่มได้ด้วยการแผ่รังสี และ/ หรือ ซิลิกาที่เป็นคอลลอยด์ สารตั้งต้นซิลิกาอาจถูกสะสมบนซับสเทรท (เช่น ซับสเทรทแก้ว หรือ แผ่นบางของซิลิคอน) เพื่อก่อรูปชั้นสารเคลือบ จากนั้นชั้นสารเคลือบอาจถูกบ่มผ่านการเปิดออกสู่ การแผ่รังสีแม่เหล็กไฟฟ้า เช่น การแผ่รังสี UV จากนั้น ชั้นสารเคลือบที่ถูกบ่มอาจถูกเผาโดยใช้ อุณหภูมิตั้งแต่ประมาณ 550 ถึง 700 ํซ ในการก่อรูปสารเคลือบบนพื้นฐานซิลิกาที่มีดัชนีต่ำ สาร เคลือบบนพื้นฐานซิลิกาที่มีดัชนีต่ำอาจถูกใช้เป็นฟิล์มต้านการสะท้อน (AR) บนซับสเทรทแก้ว ด้านหน้าของอุปกรณ์ที่สร้างแรงดันไฟฟ้าจากแสง (เช่น โซลาร์เซล) ในตัวอย่างที่แน่นอน

Claims (1)

1. วิธีการของการทำสารเคลือบบนพื้นฐานซิลิกาที่มีดัชนีต่ำ วิธีการซึ่งประกอบด้วย การก่อรูปสารตั้งต้นซิลิกาที่ประกอบด้วย (a) องค์ประกอบที่สามารถบ่มได้ด้วยการแผ่รังสีที่ ประกอบด้วยโมโนเมอร์ที่สามารถบ่มได้ด้วยการแผ่รังสี และสารเริ่มต้นทางแสง และ (b) ซิลิกาโซลที่ ประกอบด้วยไซเลน และ/หรือ ซิลิกาที่เป็นคอลลอยด์; การสะสมของสารตั้งต้นซิลิกาบนซับสเทรทเพื่อก่อรูปชั้นสารเคลือบ; การบ่มชั้นสารเคลือบโดยใช้อย่างน้อยหนึ่งการเปิดออกไปสู่การแผ่รังสีแม่เหล็กไฟฟ้า และ หลัแท็ก :
TH801005823A 2008-11-12 TH110594A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH110594A true TH110594A (th) 2011-09-19

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009017532A3 (en) Method of making an antireflective silica coating, resulting product, and photovoltaic device comprising same
JP6813553B2 (ja) 光線透過率を高める塗料組成物及びそれからなるコーティング層
CN102341359B (zh) 狭缝模具涂布方法
EP2347896A4 (en) LOW BREAKING INDEX FILM AND METHOD FOR THE PRODUCTION, ANTI-REFLECTIONS AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, COATING LIQUID FOR LOW BREAKING INDEX, SUBSTRATE WITH MICROPARTICELLAMINATED THIN LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND OPTICAL ELEMENT
US20110041913A1 (en) Use of Hydrophobic Solvent-Based Pigment Preparations in Electronic Displays
AR081052A1 (es) Revestimientos antirreflejo y metodos de hacerlos
US20110111203A1 (en) Substrate with a sol-gel layer and method for producing a composite material
RU2017122067A (ru) Антибликовая сенсорная дисплейная панель и другие изделия с покрытием, а также способы их создания
CN104927416B (zh) 硅镁铝溶胶和掺杂核壳二氧化硅微球镀膜液及制备应用
DE102011003677A1 (de) Verbundstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
EP3289394B1 (en) Optical functional film and method for producing the same
WO2012018199A3 (ko) 점진적으로 굴절률이 변하는 실리콘 다층 무반사막 및 그 제조방법 및 이를 구비하는 태양전지 및 그 제조방법
RU2012147263A (ru) Улучшение адгезии органических покрытий на стекле
WO2011158119A3 (ja) シリコンオキシナイトライド膜の形成方法およびそれにより製造されたシリコンオキシナイトライド膜付き基板
JP2019049717A (ja) 光学位相差部材、光学位相差部材を備える複合光学部材、及び光学位相差部材の製造方法
BRPI0909306A2 (pt) matriz de revestimentos de nanopartículas de óxido metálico carregado depositado por deposição por combustão
CN103613283A (zh) 一种SiO2-TiO2无机增透膜的制备方法
CN103757706B (zh) 一种非线性光学晶体表面增透保护膜的制备方法
TW200633845A (en) Manufacturing method of fine structure using organic/inorganic hybrid material and nano-imprinting technique and fine structure
JP6347597B2 (ja) シリカ系被膜形成用組成物及びこれを用いたシリカ系被膜の製造方法
ATE541065T1 (de) Verfahren zur herstellung von dünnschichten und vorrichtungen
US20120305071A1 (en) Substrate having a metal film for producing photovoltaic cells
TH110594A (th)
JP2017062371A (ja) 反射防止膜を有する光学部材及びその反射防止膜の製造方法
CN103805057B (zh) 白色涂料组合物及包含其所形成的涂层的装置