TH10719B - กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกัน - Google Patents
กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกันInfo
- Publication number
- TH10719B TH10719B TH9401000205A TH9401000205A TH10719B TH 10719 B TH10719 B TH 10719B TH 9401000205 A TH9401000205 A TH 9401000205A TH 9401000205 A TH9401000205 A TH 9401000205A TH 10719 B TH10719 B TH 10719B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- palladium
- alumina
- dimethyl
- weight
- percent
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 8
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 title abstract 2
- 125000006182 dimethyl benzyl group Chemical group 0.000 title 1
- NZJUFYPVTJUQFD-UHFFFAOYSA-N dimethyl cyclohex-2-ene-1,1-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1(C(=O)OC)CCCC=C1 NZJUFYPVTJUQFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 34
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 18
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 14
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims abstract 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract 10
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N dimethyl benzenedicarboxylate Natural products COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- LYMMFQAKPGXADS-UHFFFAOYSA-N dimethyl benzene-1,2-dicarboxylate;dimethyl benzene-1,3-dicarboxylate;dimethyl benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OC)C=C1.COC(=O)C1=CC=CC(C(=O)OC)=C1.COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC LYMMFQAKPGXADS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- VNGOYPQMJFJDLV-UHFFFAOYSA-N dimethyl benzene-1,3-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC(C(=O)OC)=C1 VNGOYPQMJFJDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WOZVHXUHUFLZGK-UHFFFAOYSA-N dimethyl terephthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OC)C=C1 WOZVHXUHUFLZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- -1 dimethylbenzene dicarboxylate ester Chemical class 0.000 abstract 1
Abstract
สิ่งที่เปิดเผยไว้คือ กระบวนการสำหรับเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนได คาร์บอกซิเลท โดยการเติมไฮโดรเจนให้แก่ไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลทเอสเทอร์ ชนิดที่ตรงกัน ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาบนสารรองรับประเภทหนึ่ง ซึ่งประกอบด้วย พัลเลเดียม และโลหะชนิดที่สองจากหมู่ VIII ที่เลือกได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือของผสม ของโลหะเหล่านี้ ที่ฉาบอยู่บนสารรองรับที่เป็นอาลูมินา ซึ่งมีคุณสมบัติเฉพาะต่างๆ ร่วมกัน ใน แบบที่เป็นเอกลักษณ์แบบหนึ่ง การใช้สารเร่งปฏิกิริยาเหล่านี้ ทำให้สามารถดำเนินกระบวน การที่ความดันของกระบวนการต่ำลงมาก
Claims (8)
1. กระบวนการสำหรับเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งประกอบด้วย การสัมผัสไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลทกับไฮโดรเจน ที่อุณหภูมิ 140 ถึง 400 องศาเซลเซียส และที่ความดัน 10 ถึง 200 บาร์สัมบูรณ์ (1,000 ถึง 20,000 kPa) ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาบนสารรองรับ ที่ประกอบด้วยพัลเลเดียม และโลหะชนิดที่สองจาก หมู่ VIII ที่เลือกได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือของผสมของโลหะเหล่านี้ ที่ ฉาบอยู่บนสารรองรับที่เป็นอาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียม 0.1 ถึง 5.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของสารเร่งปฏิกิริยา (2) การกระจายของพัลเลเดียมเท่ากับอย่างน้อย 15 เปอร์เซ็นต์ (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของพัลเลเดียมอยู่บนอาลูมินา ที่ความลึก น้อยกว่า 200 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา (4) มีโลหะชนิดที่สองจากหมู่ VIII ที่เลือได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือ ของผสมของโลหะเหล่านี้ 0.001 ถึง 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นอัลฟา, เธตา, เดลตา, แกมมา, เอตา หรือ ของ ผสมของแบบเหล่านี้
2. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งประกอบด้วยการสัมผัส ไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจนที่อุณหภูมิ 140 ถึง 400 องศาเซลเซียส และที่ความดัน 10 ถึง 200 บาร์สัมบูรณ์ (1,000 ถึง 20,000 kPa) ในขณะที่มีสารเร่ง ปฏิกิริยาบนสารรองรับ ที่ประกอบด้วยพัลเลเดียม และโลหะชนิดที่สองจากหมู่ VIII ที่เลือก ได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือ ของผสมของโลหะเหล่านี้ที่ฉาบอยู่บนสารรองรับ ที่เป็นอาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียม 0.5 ถึง 2.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของสารเร่งปฏิกิริยา (2) การกระจายของพัลเลเดียม เท่ากับอย่างน้อย 30 เปอร์เซ็นต์ (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของพัลเลเดียม อยู่บนอาลูมินาที่ความลึก น้อยกว่า 100 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา (4) มีโลหะชนิดที่สองจากหมู่ VIII ที่เลือกได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือ ของผสมของโลหะเหล่านี้ 0.01 ถึง 0.5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นอัลฟา, เธตา, เดลตา หรือของผสมของแบบเหล่านี้
3. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งมีการสัมผัสสารละลาย ของไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับ ไฮโดรเจน
4. กระบวนการสำหรับเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งประกอบด้วยการสัมผัสไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลทกับไฮโดรเจน ที่อุณหภูมิ 140 ถึง 400 องศาเซลเซียส และที่ความดัน 50 ถึง 170 สัมบูรณ์ (1,000 ถึง 1,700 kPa) ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาบนสารรองรับที่ประกอบด้วยพัลเลเดียม และนิคเกิลที่ฉาบอยู่บน สารรองรับที่เป็นอาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียม 0.1 ถึง 0.5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (2) กระจายของพัลเลเดียมเท่ากับอย่างน้อย 20 เปอร์เซ็นต์ (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของพัลเลเดียมอยู่บนอาลูมินาตามลึกน้อยกว่า 200 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา (4) มีนิคเกิล 0.01 ถึง 0.5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นอัลฟา, เธตา, เดลตา, แกมมา, เอตา หรือ ของผสมของแบบเหล่านี้
5. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 4 ซึ่งประกอบด้วยการสัมผัส ไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน ที่อุณหภูมิ 140 ถึง 250 องศาเซลเซียส และที่ความดัน 50 ถึง 170 บาร์สัมบูรณ์ (5,000 ถึง 17,000 kPa) ในขณะที่มีสารเร่ง ปฏิกิริยาบนสารรองรับที่ประกอบด้วย พัลเลเดียม และ นิคเกิลที่ฉาบอยู่บนสารรองรับที่เป็น อาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียม 0.5 ถึง 2.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (2) การกระจายของพัลเลเดียมเท่ากับอย่างน้อย 30 เปอร์เซ็นต์ (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของพัลเลเดียม อยู่บนอาลูมินาที่ความลึก น้อยกว่า 100 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา (4) มีนิคเกิล 0.01 ถึง 0.5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของสารเร่งปฏิกิริยา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นอัลฟา, เธตา, เดลตาหรือของผสมของแบบเหล่านี้
6. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,4-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,4-เบน ซีนไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิล 1,4-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน
7. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,3-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,3-เบนซีน ไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิล 1,3-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลทกับไฮโดรเจน
8. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,2-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,2-เบนซีน ไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิล 1,2-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH16475A TH16475A (th) | 1995-08-29 |
| TH10719B true TH10719B (th) | 2001-07-17 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Larsen et al. | From fundamental studies of reactivity on single crystals to the design of catalysts | |
| US5246791A (en) | Fuel cell containing a reforming catalyst | |
| EP1110932A3 (de) | Verfahren zur Herstellung von C10-C30-Alkenen durch partielle Hydrierung von Alkinen an Festbett-Palladium-Trägerkatalysatoren | |
| US8889911B2 (en) | Activated base metal catalysts | |
| JPS58185527A (ja) | 水素添加用触媒 | |
| EP0780153A1 (en) | Diamond synthesis | |
| KR100414260B1 (en) | Selective acetylene hydrogenation | |
| ES2076027T3 (es) | Procedimiento para la preparacion de peroxido de hidrogeno a partir de los elementos. | |
| ES463125A1 (es) | Procedimiento de hidrodealquilacion de hidrocarburos alquil aromaticos. | |
| TW483882B (en) | Process for the production of 6-aminocapronitrile and/or hexamethylenediamine | |
| KR930013220A (ko) | 수소화물-형성 금속 기재상에서의 cvd 다이아몬드 성장 | |
| TH10719B (th) | กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกัน | |
| TH16475A (th) | กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกัน | |
| RU2010106082A (ru) | Способ получения промежуточного продукта для синтеза антагонистов мю-рецептора опиоидов | |
| US9643162B2 (en) | Activated base metal catalysts | |
| Hannevold et al. | Surface reconstruction on noble-metal catalysts during oxidation of ammonia | |
| DE68908639T2 (de) | Brennstoffzelle. | |
| KR970706204A (ko) | 암모니아 또는 상응하는 아민, 수소 및 산소로부터 히드록실아민을 제조하는 방법(method of producing hydroxylamines from ammonia or the associated aminis, hydrogen and oxygen) | |
| JPS5935898B2 (ja) | シクロペンテン及び樟脳の同時製造法 | |
| US3678114A (en) | Process for the preparation of triaminobenzene | |
| AU635863B2 (en) | Catalyst material and method for decomposition of chlorofluorocarbons | |
| CA1109698A (en) | Metallic substrate with intermetallic compound coating or cladding | |
| TH12236B (th) | การเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท | |
| TH16217A (th) | การเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท | |
| JPH0665107A (ja) | 含窒素化合物の水素化還元方法 |