TH16475A - กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกัน - Google Patents

กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกัน

Info

Publication number
TH16475A
TH16475A TH9401000205A TH9401000205A TH16475A TH 16475 A TH16475 A TH 16475A TH 9401000205 A TH9401000205 A TH 9401000205A TH 9401000205 A TH9401000205 A TH 9401000205A TH 16475 A TH16475 A TH 16475A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
palladium
alumina
dimethyl
weight
percent
Prior art date
Application number
TH9401000205A
Other languages
English (en)
Other versions
TH10719B (th
Inventor
ลีรอย์ กัสทาฟลัน นายบรุ๊ค
คัว นายยอง-เจน
อลัน เทนเนนท์ นายเบรนท์
วอร์เรน ไพรส์ นายทิโมทิว
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH16475A publication Critical patent/TH16475A/th
Publication of TH10719B publication Critical patent/TH10719B/th

Links

Abstract

สิ่งที่เปิดเผยไว้คือ กระบวนการสำหรับเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนได คาร์บอกซิเลท โดยการเติมไฮโดรเจนให้แก่ไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลทเอสเทอร์ ชนิดที่ตรงกัน ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาบนสารรองรับประเภทหนึ่ง ซึ่งประกอบด้วย พัลเลเดียม และโลหะชนิดที่สองจากหมู่ VIII ที่เลือกได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือของผสม ของโลหะเหล่านี้ ที่ฉาบอยู่บนสารรองรับที่เป็นอาลูมินา ซึ่งมีคุณสมบัติเฉพาะต่างๆ ร่วมกัน ใน แบบที่เป็นเอกลักษณ์แบบหนึ่ง การใช้สารเร่งปฏิกิริยาเหล่านี้ ทำให้สามารถดำเนินกระบวน การที่ความดันของกระบวนการต่ำลงมาก

Claims (8)

1. กระบวนการสำหรับเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งประกอบด้วย การสัมผัสไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลทกับไฮโดรเจน ที่อุณหภูมิ 140 ถึง 400 องศาเซลเซียส และที่ความดัน 10 ถึง 200 บาร์สัมบูรณ์ (1,000 ถึง 20,000 kPa) ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาบนสารรองรับ ที่ประกอบด้วยพัลเลเดียม และโลหะชนิดที่สองจาก หมู่ VIII ที่เลือกได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือของผสมของโลหะเหล่านี้ ที่ ฉาบอยู่บนสารรองรับที่เป็นอาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียม 0.1 ถึง 5.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของสารเร่งปฏิกิริยา (2) การกระจายของพัลเลเดียมเท่ากับอย่างน้อย 15 เปอร์เซ็นต์ (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของพัลเลเดียมอยู่บนอาลูมินา ที่ความลึก น้อยกว่า 200 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา (4) มีโลหะชนิดที่สองจากหมู่ VIII ที่เลือได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือ ของผสมของโลหะเหล่านี้ 0.001 ถึง 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นอัลฟา, เธตา, เดลตา, แกมมา, เอตา หรือ ของ ผสมของแบบเหล่านี้
2. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งประกอบด้วยการสัมผัส ไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจนที่อุณหภูมิ 140 ถึง 400 องศาเซลเซียส และที่ความดัน 10 ถึง 200 บาร์สัมบูรณ์ (1,000 ถึง 20,000 kPa) ในขณะที่มีสารเร่ง ปฏิกิริยาบนสารรองรับ ที่ประกอบด้วยพัลเลเดียม และโลหะชนิดที่สองจากหมู่ VIII ที่เลือก ได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือ ของผสมของโลหะเหล่านี้ที่ฉาบอยู่บนสารรองรับ ที่เป็นอาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียม 0.5 ถึง 2.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของสารเร่งปฏิกิริยา (2) การกระจายของพัลเลเดียม เท่ากับอย่างน้อย 30 เปอร์เซ็นต์ (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของพัลเลเดียม อยู่บนอาลูมินาที่ความลึก น้อยกว่า 100 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา (4) มีโลหะชนิดที่สองจากหมู่ VIII ที่เลือกได้จากนิคเกิล, แพลตตินัม, รูธีเนียม หรือ ของผสมของโลหะเหล่านี้ 0.01 ถึง 0.5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นอัลฟา, เธตา, เดลตา หรือของผสมของแบบเหล่านี้
3. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งมีการสัมผัสสารละลาย ของไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับ ไฮโดรเจน
4. กระบวนการสำหรับเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งประกอบด้วยการสัมผัสไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลทกับไฮโดรเจน ที่อุณหภูมิ 140 ถึง 400 องศาเซลเซียส และที่ความดัน 50 ถึง 170 สัมบูรณ์ (1,000 ถึง 1,700 kPa) ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาบนสารรองรับที่ประกอบด้วยพัลเลเดียม และนิคเกิลที่ฉาบอยู่บน สารรองรับที่เป็นอาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียม 0.1 ถึง 0.5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (2) กระจายของพัลเลเดียมเท่ากับอย่างน้อย 20 เปอร์เซ็นต์ (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของพัลเลเดียมอยู่บนอาลูมินาตามลึกน้อยกว่า 200 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา (4) มีนิคเกิล 0.01 ถึง 0.5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นอัลฟา, เธตา, เดลตา, แกมมา, เอตา หรือ ของผสมของแบบเหล่านี้
5. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 4 ซึ่งประกอบด้วยการสัมผัส ไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน ที่อุณหภูมิ 140 ถึง 250 องศาเซลเซียส และที่ความดัน 50 ถึง 170 บาร์สัมบูรณ์ (5,000 ถึง 17,000 kPa) ในขณะที่มีสารเร่ง ปฏิกิริยาบนสารรองรับที่ประกอบด้วย พัลเลเดียม และ นิคเกิลที่ฉาบอยู่บนสารรองรับที่เป็น อาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียม 0.5 ถึง 2.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (2) การกระจายของพัลเลเดียมเท่ากับอย่างน้อย 30 เปอร์เซ็นต์ (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของพัลเลเดียม อยู่บนอาลูมินาที่ความลึก น้อยกว่า 100 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา (4) มีนิคเกิล 0.01 ถึง 0.5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ของสารเร่งปฏิกิริยา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นอัลฟา, เธตา, เดลตาหรือของผสมของแบบเหล่านี้
6. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,4-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,4-เบน ซีนไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิล 1,4-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน
7. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,3-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,3-เบนซีน ไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิล 1,3-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลทกับไฮโดรเจน
8. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,2-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,2-เบนซีน ไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิล 1,2-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน
TH9401000205A 1994-02-08 กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกัน TH10719B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH16475A true TH16475A (th) 1995-08-29
TH10719B TH10719B (th) 2001-07-17

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Larsen et al. From fundamental studies of reactivity on single crystals to the design of catalysts
EP1110932A3 (de) Verfahren zur Herstellung von C10-C30-Alkenen durch partielle Hydrierung von Alkinen an Festbett-Palladium-Trägerkatalysatoren
JPS58185527A (ja) 水素添加用触媒
KR100414260B1 (en) Selective acetylene hydrogenation
US8889911B2 (en) Activated base metal catalysts
ES463125A1 (es) Procedimiento de hidrodealquilacion de hidrocarburos alquil aromaticos.
TW483882B (en) Process for the production of 6-aminocapronitrile and/or hexamethylenediamine
ITMI951228A1 (it) Procedimento per la produzione di isomaltitolo
TH16475A (th) กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกัน
TH10719B (th) กระบวนการความดันต่ำสำหรับการเติมไฮโดรเจนของไดเมทธิลเบนซินไดคาร์บอกซิเลท ให้เป็น ไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ชนิดที่ตรงกัน
RU2010106082A (ru) Способ получения промежуточного продукта для синтеза антагонистов мю-рецептора опиоидов
EP2419232B1 (en) Hydrogenation process using ordered cobalt-aluminum and iron-aluminum intermetallic compounds as hydrogenation catalysts
US9643162B2 (en) Activated base metal catalysts
Karpiński Reactions of saturated hydrocarbons with hydrogen and deuterium on epitaxially oriented (111) Pd and Pd-Au alloy films
KR970706204A (ko) 암모니아 또는 상응하는 아민, 수소 및 산소로부터 히드록실아민을 제조하는 방법(method of producing hydroxylamines from ammonia or the associated aminis, hydrogen and oxygen)
US3260750A (en) Process for preparing hydrazobenzenes
JPS5935898B2 (ja) シクロペンテン及び樟脳の同時製造法
DE68908639T2 (de) Brennstoffzelle.
US3678114A (en) Process for the preparation of triaminobenzene
JPS5965049A (ja) ジアミンおよびその製造方法
CA1109698A (en) Metallic substrate with intermetallic compound coating or cladding
TH12236B (th) การเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท
US3423462A (en) Hydrogenation of nitrophenyl alkyl ketones
TH16217A (th) การเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท
Yada et al. Selectivities in Reductive Amination of 4-t-Butylcyclohexanone and Related Compounds Catalyzed by Platinum Group Metals