การถอดและเคลื่อนย้ายชิพกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) เกิดขึ้นได้สอดคล้องกับการประดิษฐ์ใน สามเฟส ในเฟสแรกนั้นมีการถอดชิพกึ่งตัวนำ (1) บางส่วนออกจากฟอยล์ (3) ด้วยเครื่องมือเชิงกล โดยไม่ เกี่ยวข้องกับตัวหนีบชิพ (11) ส่วนในเฟสที่สองนั้นชิพกึ่งตัวนำ (1) ถูกถอดออกจากฟอยล์ (3) ต่อไปที่มีชิพ กึ่งตัวนำ (1) ถูกจับไว้โดยตัวหนีบชิพ (11) ในเฟสที่สามนั้นตัวหนีบชิพ (11) ถูกยกขึ้นและเคลื่อนออกไป The disassembly and removal of the semiconductor chip (1) from the foil (3) takes place in accordance with the fabrication in three phases.In the first phase, some of the semiconductor chip (1) is removed from the foil (3) with the tool. Mechanical, independent of the chip clipper (11), in the second phase, the semiconductor chip (1) is removed from the foil (3), the next where the semiconductor chip (1) is held by the chip clipper (11) ) In the third phase, the chip clamp (11) is lifted and moved.
Claims (1)
1. วิธีการสำหรับการถอดและการเคลื่อนย้ายชิพกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) ที่ซึ่งตัวขับดัน ชิพให้หลุดออกรองรับการถอดของชิพกึ่งตัวนำ (1) ออกจากฟอยล์ (3) และตัวหนีบชิพ (11) เอาชิพกึ่งตัวนำ (1) ขึ้น ด้วยตัวขับดันชิพให้หลุดออก (2) ที่มีพื้นผิวรองรับ (13) ที่ซึ่งฟอยล์ (3) วางพักอยู่บนนั้น ซึ่ง ประกอบด้วยเฟสแรกโดยไม่เกี่ยวข้องกับตัวหนีบชิพ (11) ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน การจัดให้มีชิพกึ:1. Method for removing and transporting the semiconductor chip (1) from the foil (3) where the The chip detach supports the removal of the semiconductor chip (1) from the foil (3) and the chip clipper (11). Remove the semiconductor chip (1) with the chip disassembly driver (2) with the surface. Support (13) where the foil (3) rests on it, which consists of the first phase, independent of the chip clamp (11), which consists of a step. Chip arrangement:
TH901005001A2009-11-09
Method for removing and transporting semiconductor chips from foil.
TH62690B
(en)
A solution for a printed circuit burn process for the selective removal of silicon above a silicon-germanium alloy from a silicon-germenium/silicon layer during semiconductor device fabrication