SU963098A1 - Оптоэлектронный элемент пам ти - Google Patents

Description

(54) ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относитс  к электронике, кибернетике и вычислительной технике и предназначено, в частности, дл  использ- зовани  в интегральных схемах пам ти.

Известны оптоэлектронные элементы пам ти, состо щие из  чеек пам ти, записи , опроса и считьтани  информации 1.

Сигналы записи информации подаютс  в форме световых импульсов, а сигналы опроса и сигналы на выходах элемента пам ти  вл ютс  электрическими. Это ограничивает функциональные возможности устройств на основе данных элементов, а также их быстродействие, так как операци  считывани  осуществл етс  последовательно .

Наиболее близок к предлагаемому оптоэлектронный элемент пам ти, содержащий первый и второй полевые транзисторы , истоки которых соединены с шиной нулевого потенциала, первый и второй фотодиоды, катоды которых подключены к шине нулевого потенциала, а аноды co-i единены соответственно с затворами пер-

2

вого и второго полевых транзисторов, стоки которых соединены соответственно с анодами второго и первого фотодиодов и первыми контактами первого и второго нагрузочных резисторов, другие контакты которых соединены с шиной питани . В ЗУ, созданных на основе указанного элемента пам ти, возможна одновременна  запись или стирание информации в любых  чейках .

Недостатком указанного ЗУ  свл етс  .низкое быстродействие из-за невозможности параллельного (одновременного) опроса большого числа  чеек, дающего возможность считьтани  произвольных фрагментов информации за один такт. Кроме того, дл  расширени  i функциональной возможности р да устройств представл ет инте;рес , когда информаци  выдаетс  в форме оптических сигналов.

Claims (2)

1. ; Цель изобретени  - повышение быстродействи  и расширение функциональных возможностей ЗУ на основе предлагаемого элемента пам ти. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в onтоэлектронный элемент пам ти, содержащий первый и второй полевые транзисторы, лстоки которых соединены с шиной нулевого потенднала, первый и второй фотодиоды, катоды которых подключены к источнику смещени , а аноды соединены соответственно с затворами первого и второго полевых транзисторов, стоки которых соединены соответственно с анодами второго и первого фотодиодов и первыми контактами первого и второго нагрузочных резисторов, другие контакты которых соединены с шиной питани , введены первый и второй двузатворные поле вые транзисторы, третий нагрузочный резистор , третий фотодиод и первый и второй светоизлучающие диоды. При этом истоки двузатворных полевых транзисторов соединены с шиной нулевого потенпиала и первым контеа том третьего резистора , другой контакт которого соединен с катодом третьего фотодиода, анод которого подключен к анодам первого и второго светоизлучающих диодов, катоды которых соединены соответственно со стоками первого и второго двузатворных полевых транзисторов, первые затворы которых соединены с катодом третьего фотодиода, а вторые затворы соединены соответственно со стоками первого и второго полевых транзисторов. На чертеже показана принципиальна  электрическа  схема оптоэлектронной  чейки пам ти (где Т и Т -первый и второй полевые транзисторы; Tj и Т первый и второй двузатворные полевые транзисторы; D , D. и Dj - первый, вто рой и третий фотодиоды; D4 и DC - первы и второй светодиоды {диоды Ганна), fi , KI и RT, - первый, второй и третий нагрузочные резисторы). Функ1шонирование оптоэлектронного элемента пам ти в режимах записи, хранени  и считывани  информахши происходит следующим образом. При записи 1 (О) световой импульс подаетс  на фотодиод D (Dj.), чт приводит к понижению потенциала  чейки записи и установлению триггера в устойчи вое состо ние, соответствующее ICO). После сн ти  светового импульса с фотодиода DV, (D J триггер сохран ет уста новленное состо ние. При этом транзистор Тз(Т4) оказываетс  открн1тым по затвору, а транзистор ) - закрыты по затвору. В режимах записи и хранени , 0ба двузатворных транзистораТ и 1закрыты по затворам соответственно. При считывании подача светового импульса на фотодиод D приводит к повьпде- Ш1Ю потенциала фотоизлучател  и к открыванию двузатворных транзисторов по затчворам . При этом двузатворный транзистор Т(Т) оказываетс  открытым по обоим затворам, что приводит к свечению диода Ганна D4(%), свидетельствующему о том, что в элементе пам ти записана 1 (О). При считътании разрушени  информации не происходит. Быстродействие оптоэлектронного элемента в любом режиме Предлагаемое изобретение  вл етс  оптоэлектронным элементом пам ти с оптическими записью, стиранием, считыванием и выдачей информации. На основе элементов данного типа возможно создание интегральной схемы пам ти, состо щей из большого числа таких элементов, объединенных друг с другом только по питани . Введение в элемент фоточувствительных  чеек опроса и излучателей света позвол ет реализовать функции оперативной пам ти с записью, считыванием и стиранием информации любыми фрагментами, включа  весь объем пам ти, за один такт. Возможность параллельного опроса и считывани  в данном ЗУ в от личие от интегральных схем пам ти, построенных на элементах прототипа, где опрос и считывание осуществл етс  последовательно , значительно увеличивает бь1стродействие и функциональные возможности предлагаемого устройства. Формула изобретени  Оптоэлектронный элемент пам ти, содержащий .первый и второй полевые транзисторы , истоки которых соединены с шиной нулевого потенциала, первый и второй фотодиоды, катоды которых подключены к источнику смещени , а аноды соединены соответственно с затворами первого и второго полевых транзисторов, стоки которых соединены соответственно с анодами второго и первого фотодиодов и первыми контактами первого и второго нагрузочных резисторов, контакты которых соединены с шиной питани , отличающийс  тем, что, с целью повыщени  быстродействи  .элемента па:м ти , в него введены первый и второй вузатворные полевые транзисторы, тре- тий нагрузочный резистор, третий фотодиод и первый и второй светоизлучаюшие диоды, причем истоки двузатворных полевБ1к транзисторов соединены с шиной ну (Левого потенциала и первым контактом {третьего резистора, другой контакт которого соединен с катодом третьего фото .диода, анод которого подключен к анодам первого и второго светоизлучаюшйх Диодов , катоды которых соединены соответственно со стоками первого и второго 5двузатворных полевых транзисторов, пер; вые затворы которых соединены с катодом третьего фотодиода, а вторые затворы со- 96 98« единены соответственно со стоками первого и второго полевых транзисторов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 6616О8, кл. Gil С 11/42, 1977.
2. 2.Латент США № 3624419, кл. ЗО7-279, опублик. 1972 ( прототип).