SU511630A1 - Ячейка пам ти дл посто нного запоминающего устройства - Google Patents

Description

(54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮиЕГО

УСТРОЙСТВА нии; на фиг. 3 « передаточна  хиракгери- стика МДП транэистора CD встроенным KaHSfiON ; Ни фиг, 4 стокозатворнй  ха рактеристика МДП -траНчЭнсторй со встроен ньш каналом. Ячейка пам ти ПЗУ подключаетеи к шина 1, 2 опроса м считывани , к и;инв 3 нулевого потенциала, к щпые 4 напр . женин смещени    содержит двухэлектрод йый газоразр дный прибор 5 с холоднык5 катодом б и акодо 7, первый МДП-тран эистор 8 со встроенным р- канйлом, второй МДП-транэнстор 9 со встроенным р-какал и конденсатор 10. Катод г зоразрадного (Прибора соединен с ш ной 4 напр1шенк  смешений - Е . Стоки первого и второго см транзисторов и перва  обкладка ко денсато рй подключень к аноду газоразр дного прИ бора. Затвор, исток первого транзистора 8 и втора  обкладка ковдексатора нодсо™ единены х шйне 3 г упевого потекшзала; Исток второго транзистора 8 noflKjiK 4eH к ш-ине 2 -cHHTbiBaHSili, а затвор « к ujime 1 . опроса. Вепйчинз напр жени  смешени  /Е / наход-итсэ между вепич намн напр жени  Uflj., и напрйжени  горенн  , пробо  vnp подключена к выходу отдельной ТТЛ-мш-:™ росхемы, вхой шей в дешифратор, и в исходном состо ни  ка «ей -высокий . уро вень аапрйжений U , равный ,SB Шина 2 считьш.анк  находитсн под потенциалом , б.тйзким к кулю, такой потенциал всегда МЭЯчНО обеоючить выбором входной цепи усилител  считывани . Дл   чейки пам ти шкиа счит| 1ванй  представл ет со--бой нагрузку в виде большой емкссти, за- шунтирова глой сопротивотением усилите.чй считывани . Емкость шины счи« тыванкй представл ет собой сумму емко- ;гей трекзистора 9  чеек памсти, соеди- в&иных с шиной, и монтажных емкостей МФж.щу шиной 0 другими проводн 1камй. В статике затвор МДП-транзистора 9 смещен относительно истока, находйшегосн под левым потенциалом, пoлoжитeльны з напр жением U 3,5-4,5 В. Передаточнай характеристика транзистора 9 . 4ЖГ. З) формируетс  так, чтобы пороговое напр м ение при котором открываетс  не превышало и транзистор. мин , тра гзкстор 9 закрыт. МДП-тр.ан анстор 8 с соединенными истоком   зат вором имеет вольтамперную хл актернстк- ,иу с 1трот женнь м участком насьнйек; : САН Нйсышешю тока начинаетс  пра разности -1 отенииалов между стоком и истскгл;, Jp-Ч Б «улевом состойнии ток через гизо азр дный прибор и транзистор 8 не течет, напр жение на. стокак трв зисторов авно нулю. В нулевое состо ние  чейке ам ти- уетанаБЛз1вает ::й отключением или онижением напр жешш смещеки . При том проис одт стирание . в матри« ПЗУ. ..... В состо нйэ единицы пам ти устанав шваетс  импульсом света мйниа- тюрной импульсной Л0МПЫ. Свет им тул:зсной лампы через прозрачную кодовую площадку информационного фототрафарета попадает на катсд к вызывает интенсивную фотоэмиссию электронов. Электроны образуют массу ла- вин, sneitTpH4ecKoe поле между анодом и катодом иекажветс  аа счет образовавшегос  облака ионов и создаетс  условие су шествовани  самосто тельного тлеющего разр да. На фиг. 2 показано ьаанмное положение вольтамперной характеристики (а) двухэлектродного г.1азорйзр .аного прибора и характеристики (б) МДП транзистора в двухполюсном включении. Перва  устойчи ва  рабоча  точка (в) соответствует tty левому состо нию  чейки пам ти, а втора  устойчнва  рабоча  точка (г) - сссто нию единицы. Если в первой рабочей точке  чейка пам ти ве рассеивает мощности, то во рабочей точке через триггер протекает ток, равный току (насыщени  транзистора 8 Втора  рабоча  точка (г) распслагаетс  на участке нормального тлеюшего разр да характерист1пш (а), где намерение тока через газоразр дный . прибор практиче ски не вызывает изменени  напр жени  ь:а нем, равного U.. . Ток нась8(.:1ени  трак зистора 8 болы1 е тока, при котором начинаетс  область нормвлтьного тлеющего раз- р да, т. е. рабоча  точка (г) рнсполагаетсь не ка участке отрниательвого сопротивлен .,ш характеристики (б), где зозможен са мопроизвольный сброс триггера ге- нера йи. В единичном состо нкл  чейки пам ти напр жение ка стоках трайзистороЕ и конденсаторе равно минус Е ™ U,. « см Когда иа шйну опроса поступает отри««атепьйый ймпульс и напр жение кн ней мен етс  с высокого уровн  if до низкого уровй  и О, 4В, канал транзистора 9 становитс  провод щим. В нулевом состо  ВИИ  чейки пам ти ток через транзистор 9 не течет, так как погекциалы истока и стока рав ы нулю. Через проходную ем кость межгу затвором и ис--оком тр.эизи стора 9 передаетс  сигнал помехи нул . ПосЛ) окончани  импудьса опроса напр «жеиие на шине счктыванк  воестанавливаетс , поскот ку по переднему и заднему (JIfOHTy импульса через проходную емкость на ишну считываний передаютс  равные, но противоположные по знаку эвр ды. Если при опросе шины опроса  чейка па м ти находитс  в состо нии единицы, ч рез транзистс 9 течет ток, и потенциал шины считывани  понижаетс . Пони жение noTefruHsna шины считывани  на 0,&-ЗмВ (} ксируетс  усилителем считыва ни  как сигнал считанной единицы Ковде сатор 10 сглаживает пульсации напр жен на стоках транзисторов при опросах  чейк инертности газоразр дного прибора ток через транзистор 7 протекает, в основном, за счет разр да конденсатора 10. Емкость конденсатора выбираетс  в диапазоне единиц пикофарад, позтощг он может изготавливатьс  вместе с транзисторами на кристалле кремни . Благодар  не/шнейной вольтамперной характеристике МДП транзистора ток через триггер п актически не измен ет при . изменении напр жени  cмeщe ш  широких пределах от J floU+Uh+uU гV где ли - изменение напр жени  на конденсаторе за врем  опроса  чейки. Ток насыщени  транзистора 8 можно подобрат из услови  получени  минимальной мошно сти рассе ни , его величина равна 10. 50 мкА и определ етс  минимальным током участка нормального тлеющего разр  да вольтамперной характеристики газораз р дного прибора. Если вместо транзистор 8 Использовать резистор, минимальный ток триггера будет около 150 мкА. Ввиду использовани  МДП-транзйсторов с встроенным р-каналом, опрос  чейки пам ти можно осуществл ть сигналами микросхем ТТЛ-типа, а благодар  однопол рности считываемых сигналов можно использовать простые усилителисчитывани , выполненные по интегральной технологии. Так как конденсатор 10 накапливает энергию в промежутках между импульса ми опроса, инерщюнность газоразр дного прибора не сказываетс  на быстродействий. Действительно; скачкообразного прираше- НИН тока газоразр дного прибора на вели-; ч ну тока транзистора 9 при наличии кон« деисатора не нужно. При увеличении частоты опроса  чейки средний ток газоразр д. ного прибора возрастает, и конденсатор быстрей восстанавливает зар д в проме {утках между имиульса И опроса. Форм у л а изобретен н   Ячейки tiaMHTu дл  посто нного запоминающего устройства, содержаиа  двух- электродный газоразр двый прибор, катод которого соединен с шивой напр жени  смешени , о т л и ч а ю щ а   с   тем;, что,,- с целью угтучшени  зксплуатацкон- ных характеристик, она содер ;-спт два МДП-транзистора со встроенгты ; каналом и конденсатор, причем стоки первого и второго МДП грги1311Стсров и перва  обкладка кондеюатора подключены к газоразр дного прибора, исток, загвор первого МДП трангп Стора и вторп  обкладка конденсатора подключены к шнне щлевого по тенциала, исток второго .МДП-транзнстора к шине считьшани , а затвор к ; шине оп1эоса.

н

ж

в

д

Ucu-O,5

-

.0

Фиг. 1

{,

сриг.2

Ua

few LS

и

kT,

и

мкА

us.J

nop MUH

.