SU922868A1 - Постоянное запоминающее устройство 1 - Google Patents

Постоянное запоминающее устройство 1 Download PDF

Info

Publication number
SU922868A1
SU922868A1 SU802890851A SU2890851A SU922868A1 SU 922868 A1 SU922868 A1 SU 922868A1 SU 802890851 A SU802890851 A SU 802890851A SU 2890851 A SU2890851 A SU 2890851A SU 922868 A1 SU922868 A1 SU 922868A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
matrix
inputs
memory elements
output
input
Prior art date
Application number
SU802890851A
Other languages
English (en)
Inventor
Valerij K Konopelko
Original Assignee
Mi Radiotekh Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mi Radiotekh Inst filed Critical Mi Radiotekh Inst
Priority to SU802890851A priority Critical patent/SU922868A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU922868A1 publication Critical patent/SU922868A1/ru

Links

Landscapes

  • Error Detection And Correction (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ).
Известно ППЗУ, содержащее матрицу элементов памяти, дешифраторы адреса слова и разряда, селектор, вентили считывания, усилители считывания. В этих устройствах элементы памяти матрицы соединены с разрядными шинами плавкими перемычками или р-η переходами, которые разрушаются при записи информации в соответствии с кодом, . подлежащим хранению в ППЗУ. До занесения программируемого кода в матрицу в информационном поле содержатся толь· ко единицы. Работоспособность ППЗУ нарушается при наличии "дефектного нуля" в информационном поле матрицы, когда никаким способом не удается записать на место дефектного элемента единицу. Эти устройства обеспечи2
вают обращение к любому одному элементу памяти матрицы 1 .·
Наиболее близким техническим решением к изобретению является постоян5 ное запоминающее устройство, содержащее дешифратор адреса слова, соединенный, с адресными шинами матрицы элементов памяти, селектор, первые и вторые входы которого соединены соответствен10 но с выходами дешифратора адреса разряда и с разрядными шинами матрицы элементов памяти, а выход - с первым входом сумматора по модулю два, второй вход которого соединен с выходом
15 блока исправления ошибок, выход сумматора по модулю два подключен к первому входу вентиля считывания, вторым входом соединенного с шиной сигнала разрешения считывания, выход вентиля
20 считывания соединен с входом усили- . теля считывания, первые, второй, третий и четвертые входы блока исправления ошибок соединены соответственно
922868
лектора соединен с первым входом сумматора 9 по модулю два, второй вход которого подключен к выходу 10 блока 11 исправления ошибок. Первые 12, второй 13 и третий 14 входы блока исправления ошибок подключены соответственно к первым, второму и третьему выходам элементов 15 памяти (дополнительных). Четвертые 16 и пятые 17 входы блока исправления ошибок соединены соответственно с входами дешифраторов адреса разряда и слова. Выход 18 сумматора по модулю два соединен с первым входом вентиля 19 считывания, второй вход которого подключен к шине 20 разрешения считывания и управляющим входам других элементов 15 памяти. Выход вентиля считывания соединен с входом усилителя 21 считывания. , Выход 22 усилителя считывания является выходом устройства.
Блок 11 исправления ошибок для осуществления исправления двух'дефект·, ных элементов 3 памяти в матричном накопителе и элементах 15 памяти содержит сумматоры 23 по модулю два, первый 24 и второй 25 элементы ИЛИНЕ, элементы И 26 и ИЛИ 27.
Устройство в режиме исправления двух дефектных элементов памяти в матрице работает следующим образом.
При записи информации (при изготовлении) в к элементы 3 памяти матричного накопителя и в элементы 15 памяти заносится информация для хранения следующим образом.
В матрицу записывается слово
Ч = ΰ + с (и, ύ),
где и = (и и ^,... ,и 0,...0) слово длины η — первые к = и—г символов представляет собой программируемую в матричный накопитель информацию и, а последние г - символов - нули (г = 1о§ (к + 2)). С (υ, ά) - одна из строк матрицы Сг, -которая используется при записи информации и имеет следующий вид.
с первыми, вторым, третьим выходами дополнительных элементов памяти и входами дешифратора адреса разряда(2].
Однако это устройство-требует’ большого числа элементов памяти из-за 5 коррекции'"дефектных нулей" в каждом слове матрицы. Коррекция "дефектных нулей" в каждом слове матрицы является неоправданной из-за малой вероятности поражения всех строк матрицы ю дефектами.
Цель изобретения - упрощение устройства.
Поставленная цель достигается тем, что в постоянном запоминающем устрой-,5 стве, содержащем дешифратор адреса слова, выходы которого соединены с управляющими входами одних из элементов памяти матричного накопителя, выходы одних из элементов памяти мат- д» ричного накопителя соединены с одними из входов селектора, другие входы которого подключены к выходам дешифратора адреса разряда, выход селектора соединен с первым входом сумма- ?5 тора по модулю два, второй вход которого соединен с выходом блока направления ошибок, выход сумматора по модулю два подключен к первому входу вентиля считывания, второй вход кото-30 рого подкпючен к шине разрешения считывания, выход вентиля считывания соединен с входом усилителя считывания, выходы других элементов памяти матричного накопителя соединены соот- 35 ветственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами блока исправления ошибок, пятый и шестой входы которого подключены к выходам дешифратора адреса разряда, управляющие входы других|0 элементов памяти матричного накопителя подключены к шине разрешения считывания, а седьмой и восьмой входы блока исправления ошибок соединены с соответствующими входами дешифратора адреса слова.
На фиг. 1 представлена блок-схема постоянного запоминающего устройства; на фиг. 2 и 3 - схемы выполнения блока исправления ошибок.
Постоянное запоминающее устройство содержит дешифратор 1 адреса слова, адресные шины 2 элементов 3 памяти матричного накопителя, разрядные шины 4 которого соединены с одними из 55 входов селектора 5, другие входы которого подключены к выходам 6 дешифратора 7 адреса разряда, выход 8 се45
50
100000 0 0 0'
010000 0 1 0
001000 0 0 1 1 А Ί
000100 1 1 0
000010 1 0 1 11 ... 1 00..0
000001 0 1 1 11 ...1 11..1
111111 0 0 0
111111 111.
5 922868 6
где 1 - единичная матрица, А - матрица, содержащая двоичные числа, за исключением чисел 00... Ои 11 .. 1, к = 6, г = 5, и = 9.
Матрица Сг обладает тем свойством, 5 что в подматрице из любых двух ее столбцов содержится каждая строка из 2* различных строк длины Ц = 2 (ц кратность дефекта), т. е. всегда содержится комбинация вида 00, 01, Ю
10, 11.
Нужная строка С (и, ά) определяется следующим образом. Составляется подматрица С (с размером η х 2) матрицы С^. Ϊ-й столбец матрицы Сяв- 15 ляется столбцом С номером, равным номеру ί-й слева дефектной позиции. Определяется ш- матрица - строка с двумя элементами, ί - элемент соответствует ΐ - слева дефектной позиции 20 и равен нулю, если эта позиция в и и состояние дефектного разряда ά совпадают и равен единице в противном случае. Затем находится номер строки подматрицы С^, например при подсчете 25 строк сверху, где ω- матрица строка покрывает (совпадает) одну любую из строк подматрицы С^. Номер этой строки в подматрице соответствует номеру строки в матрице С^, которая и зо задает функцию С (и, ά) согласования записываемой в матрицу информации с данными дефектами.
Пример 1. Пусть в матричном накопителе элементов памяти имеется один неисправный элемент (в к-разрядах), который находится в нулевом состоянии, а все остальные разряды в единичном состоянии. Пусть неисправным разрядом будет второй слева 40 разряд (считаем, что матрица элементов памяти растянута в цепочку длиной к разрядов), и его состояние не совпадает с программируемой в элемент информацией, т. е. мы никаким образом 45 в этот разряд не можем занести единичный символ. Тогда
0
1
0
0
0 , 0
1
и>= [13.
50
55
Видно, что покрывает (совпадает ) во 2-й, 7-й, 3-й строках. Любую из этих строк в С с можно использовать в качестве функции С (и, <1) согласования программируемой в матрицу информации с состоянием дефекта, при этом в первых дополнительных разрядах слова будет храниться код адреса стро ки С 2»
Пример 2. Пусть в матрице элементов памяти имеется два неисправ ных элемента (находятся в нулевом состоянии), один из которых находится в матрице элементов 3 памяти (1 разряд), а второй - в первом элементе 15 памяти (в дополнительном разряде). Пусть программируемая информация в матрицу имеет вид и = 10 . 1011. Тогда и = (1 0 1 0 1 1 000).
0 0 о о 0 1 0 1 о о 1 о
ω= [10) ;
Отсюда видно, что и; покрывает (совпадает) в 7~й строке и С^. В матрицу Программируется слово Ч = (10101 1 000) +(111111 000)= 010 100 ООО, т. е. программируемая информация совпадает с состоянием дефектных разрядов, а в г — элементах 15 памяти хранится код, покрывающий строки из С^.
В режиме считывания в соответствии с кодом адреса опрашиваемого разряда происходит возбуждение шин 2 и 4 дешифраторов 1 и 7- При этом на выходе 8 селектора 5 выделяется информация, хранимая в этом разряде элементов памяти 3 матричного накопителя, а на выходе 10 блока 11 исправления ошибок информация', соответствующая данному разряду из строки матрицы С.<±, определяемой ло коду адреса, снимаемого с выходов 12 Г — элементов 15 памяти. Тогда, если в разрядах 12 и 13 записаны числа 00 .. 0, 1 1..1, то на выходе 10 элемента ИЛИ 27 блока 11 исправления ошибок всегда имеется единичный сигнал, так как эти комбинации всегда выделяются или элемен1
7 922868
том ИЛИ-НЕ 24, или элементом И 26 независимо от опрашиваемого разряда.
В этом случае сигналы, снимаемые с выхода 8 селектора 5,инвертируются на противоположные на сумматоре 9 5
по модулю два и через вентиль 19 считывания, усилитель 21 считывания поступают на выход 22 устройства. Сигналы на выходе 22 устройства считываются правильными, так как инвертирова- »о ние производится дважды при записи (при изготовлении) и при считывании (при эксплуатации). Для исправных элементов памяти эти инвертирования не изменяют правильного выходного сигна- 55 ла. Для дефектных элементов памяти инвертирование информации при записи позволяет согласовать состояние дефектного разряда с программируемой информацией, а инвертирование при счи^о тывании-восстановитъ правильно сигналы с дефектных позиций. (Для примера 2, считываемое слово на выходе 8 селектора 5 имеет вид Ч = 010100, ООО, слово на выходе 10 блока 11 исправле- 25 ния ошибок с (и, с1) = 1 1 1 11 1 000, а на выходе 22 устройства и = 101011, т. е. соответствует информации подлежащей хранению).
Если с выходов 12 элементов 15 па-30 мяти снимаются числа, отличные от 00.
0. 11..1, то инвертированию при считывании (как и при записи) подвергается только один разряд, код адреса которого совпадает с кодом адреса, снимаемый с выходов 12 элементов 15 памяти, (проверка на совпадение осуществляется на сумматорах 23 по модулю два и элементе ИЛИ-НЕ 25 блока 11 исправления ошибок). Код адреса элемента памяти формируется из двух
адресов: кодов адреса разряда и слова.
Блок исправления ошибок для осуществления исправления трех дефектных элементов памяти в матрицу 3 содержит 45 первые 28, вторые 29, третий 30 и четвертый сумматоры по модулю два, элементы ИЛИ-НЕ 32 и И;НЕ 33.
Устройство в режиме исправления трех дефектных элементов памяти в матрице работает следующим образом: при записи информации.(при изготовлении) в к элементы 3 памяти матрицы и в г элементы 15 памяти заносится информация, как и при исправлении двух де фектных элементов памяти. Однако при нахождении функции согласования с (и, 8.) используется матрица С^, име35
<0
55
ющая следующий вид
10 0 0 0 0 0 1 ' 0 , '
0 10 0 1 0 0 1 0 1
0 0 10 0 1 0 1 1 А
0 0 0 1 1 1 0 1 0 1
10 0 0 1 1 1 0 1 0
0 10 0 0 1 1 0 1 0
0 0 10 1 0 1 0 1 А
0 0 0 1 0 0 1 0 1 0
0 111 0 0 0 0 0 0
10 11 1 0 0 0 0 0
110 1 0 1 0 0 Та
1110 1 1 0 0 о θ
0 111 1 1 1 1 1 1
10 11 0 1 1 1 1 1
110 1 1 0 1 1 1 А • .
1110 0 0 1 1 1 1
1
где 1 - единичная матрица, 1 - матрица инверсная к единичной матрице 1,
А - матрица размером (г-2) х к, все строки которой различны, А - матрица инверсная к матрице А, к = 4, г = 4, и = 8. Матрица С3 обладает тем свойством, что в подматрице из любых трех ее столбцов содержится каждая строка из 2^.различных строк длины О = 5 (ц — кратность дефекта), т. е. всегда содержатся комбинации вида:
000, 001, 010, 100, 110, 101, 011,
111.
Для маркировки строк матрицы С3 выбираются г = Еод к + 2 разрядные двоичные числа, которые и являются дополнительными разрядами.
Работа устройства в режиме считывания при коррекции трех дефектных элементов памяти отличается от вышеописанной тем, что с выхода 13 элемента 15 памяти снимается нулевой или единичный сигнал, благодаря чему на выходе первых сумматоров 28 по модулю два формируются числа из матрицы А. Тогда, в том случае, если сигналы, снимаемые с второго 13 и третьего 14 элементов 15 памяти не совпадаютк то на выходе элемента И-НЕ 33 будет нулевой сигнал, а на выходе элемента ИЛИНЕ 32 (а следовательно, и на выходе четвертого сумматора 31) будут формироваться сигналы, соответствующие инверсии единичной матрицы. При этом аналогичным образом, как и при исправлении двух дефектных элементов памяти в слове, непосредственная проверка показывает правильность хранения информации в устройстве.
9 322
Таким образом, предлагаемое устройство выполняет те же функции, что и известное, но требует для своей реализации меньшего числа дополнительных элементов памяти. Например, при 5 емкости к = 4096 для коррекции двух и трех дефектных элементов памяти необходимо соответственно 7 х 64 = 448 и 8 х 64 = 512 дополнительных элементов памяти при организации матрицы 10 64 х 64. Тогда как в предлагаемом устройстве необходимо только 14 и 16 дополнительных элементов памяти соответственно.
15
<

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Постоянное запоминающее устройство. содержащее дешифратор адреса ело- 20 ва, выходы которого соединены с управляющими входами одних из элементов памяти матричного накопителя,выходы одних из элементов памяти матричного накопителя соединены с одними из 25 входов селектора, другие входы которого подключены к выходам дешифратора адреса разряда, выход селектора соединен с первым входом сумматора по модулю два, второй
    868 10 вход которого соединен с выходом блока исправления ошибок, выход сумматора по модулю два подключен к первому входу вентиля считывания, второй вход которого подключен к шине разрешения считывания, выход вентиля считывания соединен с входом усилителя считывания, выходы других элементов памяти матричного накопителя соединены соответственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами блока исправления ошибок, пятый и шестой входы которого подключены к выходам дешифратора адре са разряда, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, управляющие входы других элементов памяти матричного накопителя подключены к шине разрешения считывания, седьмой и восьмой входы блока исправления ошибок соединены с соответствующими входами дешифратора адреса слова.
SU802890851A 1980-03-07 1980-03-07 Постоянное запоминающее устройство 1 SU922868A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802890851A SU922868A1 (ru) 1980-03-07 1980-03-07 Постоянное запоминающее устройство 1

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802890851A SU922868A1 (ru) 1980-03-07 1980-03-07 Постоянное запоминающее устройство 1

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU922868A1 true SU922868A1 (ru) 1982-04-23

Family

ID=20881344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802890851A SU922868A1 (ru) 1980-03-07 1980-03-07 Постоянное запоминающее устройство 1

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU922868A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6233717B1 (en) Multi-bit memory device having error check and correction circuit and method for checking and correcting data errors therein
US5621682A (en) Memory system
US6279133B1 (en) Method and apparatus for significantly improving the reliability of multilevel memory architecture
US7096406B2 (en) Memory controller for multilevel cell memory
US4688219A (en) Semiconductor memory device having redundant memory and parity capabilities
EP0381405B1 (en) Semiconductor memory device having mask rom structure
KR950009736A (ko) 패리티에 의해 에러를 수정할수 있는 반도체 기억장치
US8201055B2 (en) Semiconductor memory device
US20070220400A1 (en) Semiconductor memory device
JP2776839B2 (ja) 半導体メモリ
US3898443A (en) Memory fault correction system
US7529142B2 (en) Data processing device with a WOM memory
KR100272153B1 (ko) 3치기억 반도체기억시스템
SU922868A1 (ru) Постоянное запоминающее устройство 1
CN112017724B (zh) 存储系统和在存储系统中纠正错误的方法
US6958949B2 (en) Decoding structure for a memory device with a control code
JPH0554697A (ja) 半導体メモリ
CN112786099B (zh) 存储装置和其多个实体单元纠错方法
SU1111206A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство с коррекцией информации
US6055665A (en) Method for recovering failed memory devices
SU1418816A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство
SU1043743A1 (ru) Запоминающее устройство с автономным контролем
SU556501A1 (ru) Запоминающее устройство
SU1417041A1 (ru) Резервированное запоминающее устройство
SU907587A1 (ru) Запоминающее устройство с коррекцией информации