SU922868A1 - Постоянное запоминающее устройство 1 - Google Patents
Постоянное запоминающее устройство 1 Download PDFInfo
- Publication number
- SU922868A1 SU922868A1 SU802890851A SU2890851A SU922868A1 SU 922868 A1 SU922868 A1 SU 922868A1 SU 802890851 A SU802890851 A SU 802890851A SU 2890851 A SU2890851 A SU 2890851A SU 922868 A1 SU922868 A1 SU 922868A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- matrix
- inputs
- memory elements
- output
- input
- Prior art date
Links
Landscapes
- Error Detection And Correction (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ).
Известно ППЗУ, содержащее матрицу элементов памяти, дешифраторы адреса слова и разряда, селектор, вентили считывания, усилители считывания. В этих устройствах элементы памяти матрицы соединены с разрядными шинами плавкими перемычками или р-η переходами, которые разрушаются при записи информации в соответствии с кодом, . подлежащим хранению в ППЗУ. До занесения программируемого кода в матрицу в информационном поле содержатся толь· ко единицы. Работоспособность ППЗУ нарушается при наличии "дефектного нуля" в информационном поле матрицы, когда никаким способом не удается записать на место дефектного элемента единицу. Эти устройства обеспечи2
вают обращение к любому одному элементу памяти матрицы 1 .·
Наиболее близким техническим решением к изобретению является постоян5 ное запоминающее устройство, содержащее дешифратор адреса слова, соединенный, с адресными шинами матрицы элементов памяти, селектор, первые и вторые входы которого соединены соответствен10 но с выходами дешифратора адреса разряда и с разрядными шинами матрицы элементов памяти, а выход - с первым входом сумматора по модулю два, второй вход которого соединен с выходом
15 блока исправления ошибок, выход сумматора по модулю два подключен к первому входу вентиля считывания, вторым входом соединенного с шиной сигнала разрешения считывания, выход вентиля
20 считывания соединен с входом усили- . теля считывания, первые, второй, третий и четвертые входы блока исправления ошибок соединены соответственно
922868
лектора соединен с первым входом сумматора 9 по модулю два, второй вход которого подключен к выходу 10 блока 11 исправления ошибок. Первые 12, второй 13 и третий 14 входы блока исправления ошибок подключены соответственно к первым, второму и третьему выходам элементов 15 памяти (дополнительных). Четвертые 16 и пятые 17 входы блока исправления ошибок соединены соответственно с входами дешифраторов адреса разряда и слова. Выход 18 сумматора по модулю два соединен с первым входом вентиля 19 считывания, второй вход которого подключен к шине 20 разрешения считывания и управляющим входам других элементов 15 памяти. Выход вентиля считывания соединен с входом усилителя 21 считывания. , Выход 22 усилителя считывания является выходом устройства.
Блок 11 исправления ошибок для осуществления исправления двух'дефект·, ных элементов 3 памяти в матричном накопителе и элементах 15 памяти содержит сумматоры 23 по модулю два, первый 24 и второй 25 элементы ИЛИНЕ, элементы И 26 и ИЛИ 27.
Устройство в режиме исправления двух дефектных элементов памяти в матрице работает следующим образом.
При записи информации (при изготовлении) в к элементы 3 памяти матричного накопителя и в элементы 15 памяти заносится информация для хранения следующим образом.
В матрицу записывается слово
Ч = ΰ + с (и, ύ),
где и = (и и ^,... ,и 0,...0) слово длины η — первые к = и—г символов представляет собой программируемую в матричный накопитель информацию и, а последние г - символов - нули (г = 1о§ (к + 2)). С (υ, ά) - одна из строк матрицы Сг, -которая используется при записи информации и имеет следующий вид.
с первыми, вторым, третьим выходами дополнительных элементов памяти и входами дешифратора адреса разряда(2].
Однако это устройство-требует’ большого числа элементов памяти из-за 5 коррекции'"дефектных нулей" в каждом слове матрицы. Коррекция "дефектных нулей" в каждом слове матрицы является неоправданной из-за малой вероятности поражения всех строк матрицы ю дефектами.
Цель изобретения - упрощение устройства.
Поставленная цель достигается тем, что в постоянном запоминающем устрой-,5 стве, содержащем дешифратор адреса слова, выходы которого соединены с управляющими входами одних из элементов памяти матричного накопителя, выходы одних из элементов памяти мат- д» ричного накопителя соединены с одними из входов селектора, другие входы которого подключены к выходам дешифратора адреса разряда, выход селектора соединен с первым входом сумма- ?5 тора по модулю два, второй вход которого соединен с выходом блока направления ошибок, выход сумматора по модулю два подключен к первому входу вентиля считывания, второй вход кото-30 рого подкпючен к шине разрешения считывания, выход вентиля считывания соединен с входом усилителя считывания, выходы других элементов памяти матричного накопителя соединены соот- 35 ветственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами блока исправления ошибок, пятый и шестой входы которого подключены к выходам дешифратора адреса разряда, управляющие входы других|0 элементов памяти матричного накопителя подключены к шине разрешения считывания, а седьмой и восьмой входы блока исправления ошибок соединены с соответствующими входами дешифратора адреса слова.
На фиг. 1 представлена блок-схема постоянного запоминающего устройства; на фиг. 2 и 3 - схемы выполнения блока исправления ошибок.
Постоянное запоминающее устройство содержит дешифратор 1 адреса слова, адресные шины 2 элементов 3 памяти матричного накопителя, разрядные шины 4 которого соединены с одними из 55 входов селектора 5, другие входы которого подключены к выходам 6 дешифратора 7 адреса разряда, выход 8 се45
50
100000 | 0 0 0' | |||
010000 | 0 1 0 | |||
001000 | 0 0 1 | 1 А Ί | ||
000100 | 1 1 0 | |||
000010 | 1 0 1 | 11 | ... 1 00..0 | |
000001 | 0 1 1 | 11 | ...1 11..1 | |
111111 | 0 0 0 | |||
111111 | 111. |
5 922868 6
где 1 - единичная матрица, А - матрица, содержащая двоичные числа, за исключением чисел 00... Ои 11 .. 1, к = 6, г = 5, и = 9.
Матрица Сг обладает тем свойством, 5 что в подматрице из любых двух ее столбцов содержится каждая строка из 2* различных строк длины Ц = 2 (ц кратность дефекта), т. е. всегда содержится комбинация вида 00, 01, Ю
10, 11.
Нужная строка С (и, ά) определяется следующим образом. Составляется подматрица С (с размером η х 2) матрицы С^. Ϊ-й столбец матрицы Сяв- 15 ляется столбцом С номером, равным номеру ί-й слева дефектной позиции. Определяется ш- матрица - строка с двумя элементами, ί - элемент соответствует ΐ - слева дефектной позиции 20 и равен нулю, если эта позиция в и и состояние дефектного разряда ά совпадают и равен единице в противном случае. Затем находится номер строки подматрицы С^, например при подсчете 25 строк сверху, где ω- матрица строка покрывает (совпадает) одну любую из строк подматрицы С^. Номер этой строки в подматрице соответствует номеру строки в матрице С^, которая и зо задает функцию С (и, ά) согласования записываемой в матрицу информации с данными дефектами.
Пример 1. Пусть в матричном накопителе элементов памяти имеется один неисправный элемент (в к-разрядах), который находится в нулевом состоянии, а все остальные разряды в единичном состоянии. Пусть неисправным разрядом будет второй слева 40 разряд (считаем, что матрица элементов памяти растянута в цепочку длиной к разрядов), и его состояние не совпадает с программируемой в элемент информацией, т. е. мы никаким образом 45 в этот разряд не можем занести единичный символ. Тогда
0
1
0
0
0 , 0
1
и>= [13.
50
55
Видно, что покрывает (совпадает ) во 2-й, 7-й, 3-й строках. Любую из этих строк в С с можно использовать в качестве функции С (и, <1) согласования программируемой в матрицу информации с состоянием дефекта, при этом в первых дополнительных разрядах слова будет храниться код адреса стро ки С 2»
Пример 2. Пусть в матрице элементов памяти имеется два неисправ ных элемента (находятся в нулевом состоянии), один из которых находится в матрице элементов 3 памяти (1 разряд), а второй - в первом элементе 15 памяти (в дополнительном разряде). Пусть программируемая информация в матрицу имеет вид и = 10 . 1011. Тогда и = (1 0 1 0 1 1 000).
0 0 о о 0 1 0 1 о о 1 о
ω= [10) ;
Отсюда видно, что и; покрывает (совпадает) в 7~й строке и С^. В матрицу Программируется слово Ч = (10101 1 000) +(111111 000)= 010 100 ООО, т. е. программируемая информация совпадает с состоянием дефектных разрядов, а в г — элементах 15 памяти хранится код, покрывающий строки из С^.
В режиме считывания в соответствии с кодом адреса опрашиваемого разряда происходит возбуждение шин 2 и 4 дешифраторов 1 и 7- При этом на выходе 8 селектора 5 выделяется информация, хранимая в этом разряде элементов памяти 3 матричного накопителя, а на выходе 10 блока 11 исправления ошибок информация', соответствующая данному разряду из строки матрицы С.<±, определяемой ло коду адреса, снимаемого с выходов 12 Г — элементов 15 памяти. Тогда, если в разрядах 12 и 13 записаны числа 00 .. 0, 1 1..1, то на выходе 10 элемента ИЛИ 27 блока 11 исправления ошибок всегда имеется единичный сигнал, так как эти комбинации всегда выделяются или элемен1
7 922868
том ИЛИ-НЕ 24, или элементом И 26 независимо от опрашиваемого разряда.
В этом случае сигналы, снимаемые с выхода 8 селектора 5,инвертируются на противоположные на сумматоре 9 5
по модулю два и через вентиль 19 считывания, усилитель 21 считывания поступают на выход 22 устройства. Сигналы на выходе 22 устройства считываются правильными, так как инвертирова- »о ние производится дважды при записи (при изготовлении) и при считывании (при эксплуатации). Для исправных элементов памяти эти инвертирования не изменяют правильного выходного сигна- 55 ла. Для дефектных элементов памяти инвертирование информации при записи позволяет согласовать состояние дефектного разряда с программируемой информацией, а инвертирование при счи^о тывании-восстановитъ правильно сигналы с дефектных позиций. (Для примера 2, считываемое слово на выходе 8 селектора 5 имеет вид Ч = 010100, ООО, слово на выходе 10 блока 11 исправле- 25 ния ошибок с (и, с1) = 1 1 1 11 1 000, а на выходе 22 устройства и = 101011, т. е. соответствует информации подлежащей хранению).
Если с выходов 12 элементов 15 па-30 мяти снимаются числа, отличные от 00.
0. 11..1, то инвертированию при считывании (как и при записи) подвергается только один разряд, код адреса которого совпадает с кодом адреса, снимаемый с выходов 12 элементов 15 памяти, (проверка на совпадение осуществляется на сумматорах 23 по модулю два и элементе ИЛИ-НЕ 25 блока 11 исправления ошибок). Код адреса элемента памяти формируется из двух
адресов: кодов адреса разряда и слова.
Блок исправления ошибок для осуществления исправления трех дефектных элементов памяти в матрицу 3 содержит 45 первые 28, вторые 29, третий 30 и четвертый сумматоры по модулю два, элементы ИЛИ-НЕ 32 и И;НЕ 33.
Устройство в режиме исправления трех дефектных элементов памяти в матрице работает следующим образом: при записи информации.(при изготовлении) в к элементы 3 памяти матрицы и в г элементы 15 памяти заносится информация, как и при исправлении двух де фектных элементов памяти. Однако при нахождении функции согласования с (и, 8.) используется матрица С^, име35
<0
55
ющая следующий вид
10 0 0 | 0 0 | 0 1 ' | 0 , ' | ||
0 10 0 | 1 0 | 0 1 | 0 1 | ||
0 0 10 | 0 1 | 0 1 | 1 А | ||
0 0 0 1 | 1 1 | 0 1 | 0 1 | ||
10 0 0 | 1 1 | 1 0 | 1 0 | ||
0 10 0 | 0 1 | 1 0 | 1 0 | ||
0 0 10 | 1 0 | 1 0 | 1 А | ||
0 0 0 1 | 0 0 | 1 0 | 1 0 | ||
0 111 | 0 0 | 0 0 | 0 0 | ||
10 11 | 1 0 | 0 0 | 0 0 | ||
110 1 | 0 1 | 0 0 | Та | ||
1110 | 1 1 | 0 0 | о θ | ||
0 111 | 1 1 | 1 1 | 1 1 | ||
10 11 | 0 1 | 1 1 | 1 1 | ||
110 1 | 1 0 | 1 1 | 1 А | • . | |
1110 | 0 0 | 1 1 | 1 1 | ||
1 |
где 1 - единичная матрица, 1 - матрица инверсная к единичной матрице 1,
А - матрица размером (г-2) х к, все строки которой различны, А - матрица инверсная к матрице А, к = 4, г = 4, и = 8. Матрица С3 обладает тем свойством, что в подматрице из любых трех ее столбцов содержится каждая строка из 2^.различных строк длины О = 5 (ц — кратность дефекта), т. е. всегда содержатся комбинации вида:
000, 001, 010, 100, 110, 101, 011,
111.
Для маркировки строк матрицы С3 выбираются г = Еод к + 2 разрядные двоичные числа, которые и являются дополнительными разрядами.
Работа устройства в режиме считывания при коррекции трех дефектных элементов памяти отличается от вышеописанной тем, что с выхода 13 элемента 15 памяти снимается нулевой или единичный сигнал, благодаря чему на выходе первых сумматоров 28 по модулю два формируются числа из матрицы А. Тогда, в том случае, если сигналы, снимаемые с второго 13 и третьего 14 элементов 15 памяти не совпадаютк то на выходе элемента И-НЕ 33 будет нулевой сигнал, а на выходе элемента ИЛИНЕ 32 (а следовательно, и на выходе четвертого сумматора 31) будут формироваться сигналы, соответствующие инверсии единичной матрицы. При этом аналогичным образом, как и при исправлении двух дефектных элементов памяти в слове, непосредственная проверка показывает правильность хранения информации в устройстве.
9 322
Таким образом, предлагаемое устройство выполняет те же функции, что и известное, но требует для своей реализации меньшего числа дополнительных элементов памяти. Например, при 5 емкости к = 4096 для коррекции двух и трех дефектных элементов памяти необходимо соответственно 7 х 64 = 448 и 8 х 64 = 512 дополнительных элементов памяти при организации матрицы 10 64 х 64. Тогда как в предлагаемом устройстве необходимо только 14 и 16 дополнительных элементов памяти соответственно.
15
<
Claims (1)
- Формула изобретенияПостоянное запоминающее устройство. содержащее дешифратор адреса ело- 20 ва, выходы которого соединены с управляющими входами одних из элементов памяти матричного накопителя,выходы одних из элементов памяти матричного накопителя соединены с одними из 25 входов селектора, другие входы которого подключены к выходам дешифратора адреса разряда, выход селектора соединен с первым входом сумматора по модулю два, второй868 10 вход которого соединен с выходом блока исправления ошибок, выход сумматора по модулю два подключен к первому входу вентиля считывания, второй вход которого подключен к шине разрешения считывания, выход вентиля считывания соединен с входом усилителя считывания, выходы других элементов памяти матричного накопителя соединены соответственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами блока исправления ошибок, пятый и шестой входы которого подключены к выходам дешифратора адре са разряда, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, управляющие входы других элементов памяти матричного накопителя подключены к шине разрешения считывания, седьмой и восьмой входы блока исправления ошибок соединены с соответствующими входами дешифратора адреса слова.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802890851A SU922868A1 (ru) | 1980-03-07 | 1980-03-07 | Постоянное запоминающее устройство 1 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802890851A SU922868A1 (ru) | 1980-03-07 | 1980-03-07 | Постоянное запоминающее устройство 1 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU922868A1 true SU922868A1 (ru) | 1982-04-23 |
Family
ID=20881344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802890851A SU922868A1 (ru) | 1980-03-07 | 1980-03-07 | Постоянное запоминающее устройство 1 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU922868A1 (ru) |
-
1980
- 1980-03-07 SU SU802890851A patent/SU922868A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6233717B1 (en) | Multi-bit memory device having error check and correction circuit and method for checking and correcting data errors therein | |
US5621682A (en) | Memory system | |
US6279133B1 (en) | Method and apparatus for significantly improving the reliability of multilevel memory architecture | |
US7096406B2 (en) | Memory controller for multilevel cell memory | |
US4688219A (en) | Semiconductor memory device having redundant memory and parity capabilities | |
EP0381405B1 (en) | Semiconductor memory device having mask rom structure | |
KR950009736A (ko) | 패리티에 의해 에러를 수정할수 있는 반도체 기억장치 | |
US8201055B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US20070220400A1 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2776839B2 (ja) | 半導体メモリ | |
US3898443A (en) | Memory fault correction system | |
US7529142B2 (en) | Data processing device with a WOM memory | |
KR100272153B1 (ko) | 3치기억 반도체기억시스템 | |
SU922868A1 (ru) | Постоянное запоминающее устройство 1 | |
CN112017724B (zh) | 存储系统和在存储系统中纠正错误的方法 | |
US6958949B2 (en) | Decoding structure for a memory device with a control code | |
JPH0554697A (ja) | 半導体メモリ | |
CN112786099B (zh) | 存储装置和其多个实体单元纠错方法 | |
SU1111206A1 (ru) | Оперативное запоминающее устройство с коррекцией информации | |
US6055665A (en) | Method for recovering failed memory devices | |
SU1418816A1 (ru) | Посто нное запоминающее устройство | |
SU1043743A1 (ru) | Запоминающее устройство с автономным контролем | |
SU556501A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
SU1417041A1 (ru) | Резервированное запоминающее устройство | |
SU907587A1 (ru) | Запоминающее устройство с коррекцией информации |