SU912778A1 - Method for chemically polishing strontium titanate single crystals - Google Patents
Method for chemically polishing strontium titanate single crystals Download PDFInfo
- Publication number
- SU912778A1 SU912778A1 SU792889169A SU2889169A SU912778A1 SU 912778 A1 SU912778 A1 SU 912778A1 SU 792889169 A SU792889169 A SU 792889169A SU 2889169 A SU2889169 A SU 2889169A SU 912778 A1 SU912778 A1 SU 912778A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- single crystals
- strontium titanate
- chemically polishing
- titanate single
- heated
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ(54) METHOD FOR CHEMICAL POLISHING OF SINGLE CRYSTALS
ТИТАHATА СТРОНЦИЯTITAHATA STRONTIUM
. .
Изобретение относитс к области электронной техники и может быть ис« пользовано, например, дл и;зд;отовпёни нелинейных конденсаторов, работающих прп криогенных температурах.The invention relates to the field of electronics and can be used, for example, for and for non-linear capacitors operating at cryogenic temperatures.
Известен способ обработки поверх нести монокристаллатитаната ctpouKtut с плоскостью ориентации (ЮО) раствором едкого кали при 410-7tO°C М.There is a method of processing on top of carrying ctpouKtut monocrystallitate with a plane of orientation (SO) with a solution of caustic potash at 410-7tO ° C M
Недостатком известного спосЬба в- л етс невозможнсють осуществлени полировки поверзшости, так как раствор ок 1зывает трав щее воздействие.A disadvantage of the known method is the impossibility of polishing the surface, since the solution is about herbal impact.
Наиболее близким к тфедлагаемому вл етс способ химической полировки моно1фисталлов титаната бари , включа юший обработку кристалла нагретым раоtэQp м ертзфшф нзй кнбпбтм м@щ ваннй t23The method of chemical polishing of monofilaments of barium titanate, including the processing of the crystal with heated RhoteQp and Backflash tcnbnbtbmm @ wi bath t23
М@в@@та кем §т@Г€ @ Ш€@@§ ei e@fea те, что @н римевим те ькв ак течечиM @ in @@ by whom § @ T € @ W € @@ § ei e @ fea those @ n we measure those leaks
ной обработки Кристалла и не позвол ет достигать высокой чистоты обработки поверхности .crystal processing and does not allow to achieve high surface finish.
Цель изобретени - повыщение чистоты 1обработки поверхности.,The purpose of the invention is to increase the purity of surface treatment.
Поставленна цель достигаетс тем, что химическую noniqaoBKy монокрис таллов тотаната стронци с плоскостью орие}ггаиии (ЮО) осуществл ют 70- . 87 вес.%-ным водным раствором орт« фосфорной кислоты, нагретым до 180200С , в течение 20-25 мин гр ращени 7ОгвО об/мин.This goal is achieved by the fact that the noniqaoBKy chemical monocrystals of strontium totanate with the ori} ggaiii (SO) plane are 70-. 87% by weight of an aqueous solution of ort " phosphoric acid heated to 180 ° C for 20-25 minutes during 7 rpm min.
toto
Пример. Провод т полировку поверхности монокристалла tHTaHaTa строи- дн c.juiocKocTbra орневтацив (10О) фосфорной кислотой разной концентрации при 18О-20О С, врем обработки 2О-25 мин.Example. The surface of the single crystal tHTaHaTa is polished with c.juiocKocTbra ornatacium (10O) with phosphoric acid of different concentrations at 18 ° -20 ° C, the processing time is 2O-25 minutes.
ISIS
лРезультаты пол1фовки хфедставлены вThe results of the training are set out in
т§бввд§,t§bvvd§,
Ksieefsease swifffy §%ilefRH neeepj ш@7Я , шй@рф(Щ1;вшым Ksieefsease swifffy §% ilefRH neeepj sh @ 7Ya, shy @ rf (S1; vshym
Ч@@1ШМ Mef@||@M и М@тед@М ), Последний показал, что травление поверхности кристалла щюведено полностью. Вид электронеграм мы соответствует электронограмме , котора получена с иоверхлости , имеющей атомарные гладкие участки.H @@ 1ShM Mef @ || @M and M @ ted @ M), The latter showed that the etching of the crystal surface is completely complete. The shape of the electrongram corresponds to that of an electronogram obtained from a surface that has atomic smooth regions.
Применение предлагаемого способа химической полировки обеспечивает высокую чистоту обработки поверхности, гфостоту технологического цикла, т.е. более высокую температуру травлени , высокую вос1фоиаводимость параметров. Кроме тогоThe application of the proposed method of chemical polishing provides high purity of the surface treatment, the photofastness of the technological cycle, i.e. higher etching temperature, high tolerance of parameters. Besides
формула изобретени , Способ химической полировки моно«кристаллов титаната стронци с плоскоетью ориентации (ЮО), включающий обработку поверхности нагретым раствором ортофосфорной кислоты Щ)Н вращении, ОТ личающийс тем, что, с целью повышени чистоты обработки поверхности , 1роцесс осуществл ют 7 087%-ным (вес.) водным раствором ортоколебаний температуры пор дка ыескол. ких градусов в гфоцессе обработки Крис- тагша не вли ют на результат попирукх щего травлени .Claims for the method of chemical polishing of mono "strontium titanate crystals with a flat network of orientation (SC), including surface treatment with a heated solution of orthophosphoric acid Sch) H rotation, characterized in that, in order to increase the purity of the surface treatment, the process is carried out 7,087% (weight) aqueous solution of temperature orthoscopic oscillations of the order of exp. These degrees in the Kritstag processing hPo process do not affect the result of pop-ups etching.
Нелинейные конденсаторы, созданные на основе монокристаллов титаната стронци , обработанных предлагаемым способом , существенно повысили диэлектрические характеристики и стабильность.Nonlinear capacitors, created on the basis of single crystals of strontium titanate, processed by the proposed method, significantly increased the dielectric characteristics and stability.
фосфорной кислоты, нагретым до 18О200°С в течение 2D-25 мин и при враще1ши со скоростью 70-80 об/мин.phosphoric acid heated to 18O200 ° C for 2D-25 min and rotated at a speed of 70-80 rpm.
Источники информации, грин тые во внимание при экспертизеSources of information, green in attention in the examination
1 .UH.,j.o AmerUdn Cerci ,ыс. soc., l«bb,.C02 , Хирщ П. Электронна , .-микроскопи тонких кристаллов. М.,Л1ир, 1968, с. 478 (прототип),1 .UH., J.o AmerUdn Cerci, ys. soc., l “bb, .C02, Hirsch P. Electron,.-microscopy of fine crystals. M., L1ir, 1968, p. 478 (prototype)
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792889169A SU912778A1 (en) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | Method for chemically polishing strontium titanate single crystals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792889169A SU912778A1 (en) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | Method for chemically polishing strontium titanate single crystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU912778A1 true SU912778A1 (en) | 1982-03-15 |
Family
ID=20880604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792889169A SU912778A1 (en) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | Method for chemically polishing strontium titanate single crystals |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU912778A1 (en) |
-
1979
- 1979-12-10 SU SU792889169A patent/SU912778A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Garces et al. | Identification of electron and hole traps in KH 2 PO 4 crystals | |
Takagi | Electron-Diffraction Study of the Structure of Supercooled Liquid Bismuth | |
ES446906A1 (en) | Method of preparing stable sterile crystalline cephalosporins for parenteral administration | |
SU912778A1 (en) | Method for chemically polishing strontium titanate single crystals | |
JPS51111476A (en) | Method of liquid phase epitaxial crystal growth | |
JPS5717125A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS6424098A (en) | Heat treatment of compound semiconductor single crystal | |
JPS57170518A (en) | Fabrication of semiconductor thin film | |
JPS5524923A (en) | Manufacture of transparent titanium oxide film | |
JPS5333055A (en) | Vapor phase growing apparatus of semiconductor crystals | |
Armstrong | Relation between secondary Dauphiné twinning and irradiation-coloring in quartz | |
JPS60182090A (en) | Manufacturing method of ion implantation bubble device | |
Serdobov et al. | Unstable intermediates. Part CXXXIV. Electron spin resonance studies of positive hole centres in γ-irradiated glycine | |
Schwab | Crystallite orientation in coating films. Part III.—Orientation of silver iodide upon silver bromide | |
JPH03217226A (en) | Method for synthesizing large-sized diamond single crystal | |
JPS61256997A (en) | Molecular beam epitaxial growth method | |
GB1255937A (en) | Method of treating zinc oxide crystal | |
SU1082777A1 (en) | Method for etching lithium tantalate crystals | |
JPS5219300A (en) | Method of poling ferromagnetic single crystals | |
SU564267A1 (en) | Method for treatment of zinc subgroup metal sulphates | |
JPS5240092A (en) | Structure of container for quarts crystal oscillator | |
JPS5717496A (en) | Liquid phase growing method for single crystal of compound semiconductor | |
JPS55110777A (en) | Plasma treating apparatus | |
JPS6393854A (en) | Production of thin lead chevrel phase compound film by substrate reaction method | |
Davydov et al. | Size Resonances in a Semiconductor Sphere |