SU907587A1 - Information-correcting storage device - Google Patents

Information-correcting storage device Download PDF

Info

Publication number
SU907587A1
SU907587A1 SU802941627A SU2941627A SU907587A1 SU 907587 A1 SU907587 A1 SU 907587A1 SU 802941627 A SU802941627 A SU 802941627A SU 2941627 A SU2941627 A SU 2941627A SU 907587 A1 SU907587 A1 SU 907587A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
outputs
inputs
elements
accumulator
register
Prior art date
Application number
SU802941627A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Иванович Безручко
Равиль Зигангаряевич Фаткулин
Виктор Константинович Цепляев
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1439
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1439 filed Critical Предприятие П/Я А-1439
Priority to SU802941627A priority Critical patent/SU907587A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU907587A1 publication Critical patent/SU907587A1/en

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к запоминающим устройствам.This invention relates to memory devices.

Известно запоминающее устройство с коррекцией информации, содержащее регистр числа , регистр адреса, дешифратор, многоразр дный накопитель и -блок коррекции информавди 1}.A memory device with information correction is known, which contains a number register, an address register, a decoder, a multi-bit drive, and an information block 1 block.

Недостатком этого устройства  вл етс  сложность блока коррекции информации.A disadvantage of this device is the complexity of the information correction block.

Наиболее близким к предлагаемому техническим решением  вл етс  запоминающее устройство с коррекцией информации, содержащее блок хранени  кодов неисправных адресов и регистр адреса, который через дещифратор подключен к многоразр дному накопи-, телю на ферритовых сердечниках, состо щему из основного и дополнительного полей, входы/выходы которых подключены к регистру числа 2.The closest to the proposed technical solution is a memory device with information correction, which contains a block for storing codes for faulty addresses and an address register, which is connected via a descrambler to a multi-digit ferrite core storage core consisting of main and additional fields, inputs / outputs which are connected to the register number 2.

Недоста тком этого устройства  вл етс  низка  надежность, обусловленна  его сложностью и необходимостью иметь полиоразр дное дополнительное поле накопител  дл  полНОЙ перекоммутации дефектного слова независимо от количества дефектов в слове.The disadvantage of this device is low reliability, due to its complexity and the need to have a polydischarge additional drive field to completely re-switch a defective word, regardless of the number of defects in a word.

Цель изобретени  - повыщение надежности устройства.The purpose of the invention is to increase the reliability of the device.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в запоминающее устройство с коррекцией информации, содержащее основной накопитель, регистр адреса, дешифратор адреса, регистр .числа и первый дополнительный накопитель, входы которого подключены к входам регистto ра адреса и  вл ютс  входами устройства, причем входы дешифратора адреса соединены с выходами регистра адреса, а Bbixoj i с адресными входами основного накопител , .выходы регистра числа подключены к одним The goal is achieved in that a memory device with information correction containing a main drive, an address register, an address decoder, a number register, and a first additional drive whose inputs are connected to the inputs of the address register and are inputs to the device, where the addresses of the address decoder are connected with the outputs of the register of the address, and Bbixoj i with the address inputs of the main storage device, the outputs of the register of the number are connected to one

15 из И1{формационных входов основного накопител , введены второй дополнительный накопитель , группы элементов И и элементы ИЛИ, причем входы второго дополнительного накопител  соединены с выводами .первого 15 of the I1 {formational inputs of the main accumulator, the second additional accumulator, the groups of AND elements and the OR elements are introduced, and the inputs of the second additional accumulator are connected to the terminals of the first

Claims (2)

20 дополнительного накопител , пр мые выходы второго дополнительного накопител  подключены соответственно к первым входам элементов И первой группы, а инверсные выхо390 ды - к первым входам элементов И второй и третьей грулп, вторые входы элементов И первой группы соединены соответственно с одними из выходов основного накопител , а вторые входы элементов И второй грунпы - с другими выходами основного накопител , выходы элементов И первой и второй групп подключены соответствешю ко входам элементов ИЛИ, выходы которых соединены соответственно со входами регистра числа, вторые входь элементов И третьей группы подключены соответственно к выходам регистра числа, а выходы - к соответствующим входам элементов И четвертой группы, выходы KOTOjHjx соединены соответственно с другими информационными входами осисданого накопител . На чертеже изображена функциональна  схема предлагаемого устройства. Устройство содержит регистр адреса, дешифратор 2 адреса, основной накопитель 3, первый дополнительный накопитель 4, предназ наченный дл  хранени  кодов адресов неисправных слов, второй дополнительный накопитель 5, предназначенный дл  номеров неиснравных разр дов, регистр 6 тсла, перва  7, втора  8, треть  9 и четверта  10 группы эле ментов И и элементы ИЛИ 11, На чертеже обозначены также корректирующие разр ды 12 основного накопител . Входы шкопител  5 соединены с выходами накопител д 4. Пр мые выходы накопител  5 подаслючены соответственно к первым входам злеме1{тов И 7, а инверсные выходы - к первым входам элементов И 8 и 9. Вторые входы элементов И 7 соединены соответственно с одними из выходов накопител  3, а вторые входы элементов И 8 - с другил выходами накопител  3. Выходы элементов И 7 и 8 подключены соответствен ю ко входам элементов ИЛИ П, выходы которых соединены соответственно со входами регистра 6. Вторые входы элементов И 9 пода:лючены соответственно к выходам регистра 6 , а выходы - к соответствующим входам элементов И 10, выходы которых соеданены соответственно с другими информационными входами накопител  3. Дополнительные накопители 4 и 5 могут быть выполнены на программируемых полупр водниковых микросхемах. Количество корректирующих разр дов 12 соответствует максимальному количеству дефектов в слове, записанном в основной накопитель 3, а емкость каждого из корректирующих разр дов 12 рав на количеству дефектных элементов в соответствующих разр дах слова. Устройство работает следующим образом. Запись числа выполн етс  путем передачи информации из регистра 6 на одни из информационных входов основного накопител  3. При отсутствии дефектных элементов в накопителе 3 сигналы с пр мых выходов накопител  5 разрешают работу элементов И 7, в результате чего выбранное по адресу, заданному в регистре 1, число передаетс  с одних из выходов накопител  3 на регистр 6. При наличии дефектных элементов в одном или нескольких разр дах слова накопител  3, адрес которого хранитс  в накопителе 4, а номера неисправных разр дов - в накопителе 5, сигналы с инверсных выходов накопител  5 разрешают работу соответствующих элементов И В и 9. В результате одновременно со словом , считываемым из накопител  3, из его корректирующих разр дов 12 выбираетс  информаци , котора  должна содержатьс  в дефектных элементах этого слова. Таким путем корректируетс  считываемое слово. При этом считывание информации из дефектных разр дов накопител  3 блокируетс  при помощи соответствующих элементов И 7. Запись информации в корректирующие разр ды 12 накопител  3 с выходов регистра 6 осуществл етс  через элементы И 9 и 10. Технико-экономическое преимущество предлагаемого устройства заключаетс  в его более высокой по сравнению с известным надежности . Формула изобретени  Запоминающее устройство с коррекцией информации, содержащее основной накопитель, регистр адреса, дещифратор адреса, регистр числа и первый дополнительный накопитель, входы которого подключены к входам регистра адреса и  вл ютс  входами устройства , причем входы дешифратора адреса соединены с выходами регистра адреса, а выходь - с адресными входами основного накопител ; выходы регистра числа подключены к одним из ипформационных входов основного накопител , отличающеес   тем что, с целью повыщени  надежности устройств.., оно содержит второй дополнительный накопитель, группы элементов И и элементы ИЛИ, причем входы второго дополнительного накопител  соединены с выходами первого дополнительного накопител , пр мые выходы второго дополнительного накопител  подключены соответственно к первым входам элементов И первой группьг. а инверсные выходы - к первым входам элементов И второй и треть й групп, вторые входы элементов И первой группы соединены соответственно с одними из выходов основного нако ител . а вторые входь элементов И второй группы - с другими выходами основного накопител , выходы элементов И первой и второй групп подключены соответственно ко входам элементов ИЛИ, выходы которых соединены соответственно со входами регистра числа, вторые входы элементов И третьей группы подключены соответственно к выходам регистра числа, а выходы - к соответствующим входам элементов И четвертой группы, выходы которых соединеш  соответственно с другими информационными входами основного накопител .20 additional accumulators, direct outputs of the second additional accumulator are connected respectively to the first inputs of elements AND of the first group, and inverse outputs 3809 to the first inputs of elements AND of the second and third groups, the second inputs of elements AND of the first group are connected respectively to one of the outputs of the main accumulator, and the second inputs of the elements AND the second soil are with the other outputs of the main accumulator, the outputs of the elements AND of the first and second groups are connected to the corresponding inputs of the elements OR, the outputs of which are connected according to venno from the register number input, a second input of the AND of the third group are connected respectively to the outputs of the register, and outputs - to the corresponding inputs of the AND of the fourth group, KOTOjHjx outputs respectively connected to other information inputs osisdanogo accumulator. The drawing shows a functional diagram of the proposed device. The device contains an address register, an address decoder 2, a main drive 3, a first additional drive 4 intended for storing address codes of faulty words, a second additional drive 5 intended for numbers of un-equal digits, register 6 tsla, first 7, second 8, third 9 and the fourth 10 of the AND group of elements and the OR 11 elements. The drawing also indicates corrective digits 12 of the main accumulator. The inputs of the scooper 5 are connected to the outputs of the accumulator d 4. The direct outputs of the accumulator 5 are connected to the first inputs of the input 1 and 7, respectively, and the inverse outputs to the first inputs of the elements 8 and 9. The second inputs of the elements 7 7 are connected respectively to one of the outputs drive 3, and the second inputs of elements AND 8 - with each other outputs of storage device 3. The outputs of elements AND 7 and 8 are connected respectively to the inputs of the elements OR P, the outputs of which are connected respectively to the inputs of register 6. The second inputs of elements AND 9 are output: exits reg tra 6, and outputs - to the corresponding inputs of AND gates 10, whose outputs are respectively soedaneny with other data inputs of the accumulator 3. Additional drives 4 and 5 may be formed on programmable chips semitraile Vodnikova. The number of correction bits 12 corresponds to the maximum number of defects in a word recorded in the main accumulator 3, and the capacity of each of the correction bits 12 is equal to the number of defective elements in the corresponding word bits. The device works as follows. Writing a number is performed by transferring information from register 6 to one of the information inputs of the main accumulator 3. In the absence of defective elements in accumulator 3, signals from the direct outputs of accumulator 5 allow operation of the And 7 elements, with the result that the address selected in the register 1 , the number is transferred from one of the outputs of accumulator 3 to register 6. If there are defective elements in one or several bits of the word, accumulator 3, whose address is stored in accumulator 4, and the numbers of faulty bits are in accumulator 5, signals with the inverse outputs of the accumulator 5 allow the operation of the corresponding elements B and 9. As a result, simultaneously with the word read from the accumulator 3, from its corrective bits 12, information is selected that should be contained in the defective elements of this word. In this way, the readable word is corrected. In this case, information is read from defective bits of accumulator 3 is blocked with the help of the corresponding elements AND 7. Recording information in the correction bits 12 of storage 3 with the outputs of register 6 is carried out through elements 9 and 10. The technical and economic advantage of the proposed device lies in its more high compared with the known reliability. Claims A memory device with information correction containing a main drive, an address register, an address decryptor, a number register, and a first additional drive whose inputs are connected to the inputs of the address register and are inputs to the device, the addresses of the address decoder being connected to the outputs of the address register, and the output - with address inputs of the main drive; the number register outputs are connected to one of the informational inputs of the main storage device, characterized in that, in order to increase the reliability of the devices .., it contains the second additional storage device, the groups of AND elements and the OR elements, and the inputs of the second additional storage device are connected to the outputs of the first additional storage device, My outputs of the second additional storage device are connected respectively to the first inputs of the elements AND the first group. and the inverse outputs to the first inputs of the elements of the second and third groups, the second inputs of the elements of the first group and are connected respectively to one of the outputs of the main terminal. and the second inputs of the AND elements of the second group are with other outputs of the main storage unit, the outputs of the AND elements of the first and second groups are connected respectively to the inputs of the OR elements, the outputs of which are connected respectively to the number register inputs, the second inputs of the AND elements of the third group are connected respectively to the number register outputs, and the outputs to the corresponding inputs of the elements of the fourth group, the outputs of which are connected respectively with the other information inputs of the main storage unit. Источники информации, прин тые во внимание при жспертнзе , 1. Авторское свидетельство СССР № 492935,Sources of information taken into account when zspertnz, 1. USSR Author's certificate number 492935, кл. G 11 С 29/00, 1976.cl. G 11 C 29/00, 1976. 2. Чахо н Л. М. Емкость дополнительного пол  накопител  оперативного запоминаницего устройства с блокировкой неисправных адре сов.- Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, вып. 6, 1969 (прототип).2. Chakho L.M. Capacity of an additional floor of a storage device of an operational memory device with blocking faulty addresses. - Issues of radio electronics, ser. EVT, vol. 6, 1969 (prototype).
SU802941627A 1980-06-18 1980-06-18 Information-correcting storage device SU907587A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802941627A SU907587A1 (en) 1980-06-18 1980-06-18 Information-correcting storage device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802941627A SU907587A1 (en) 1980-06-18 1980-06-18 Information-correcting storage device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU907587A1 true SU907587A1 (en) 1982-02-23

Family

ID=20902530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802941627A SU907587A1 (en) 1980-06-18 1980-06-18 Information-correcting storage device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU907587A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6965523B2 (en) Multilevel memory device with memory cells storing non-power of two voltage levels
US4748594A (en) Integrated circuit device having a memory and majority logic
US3675218A (en) Independent read-write monolithic memory array
EP0154379A2 (en) Improved array arrangement for EEPROMS
US5528534A (en) High-density read-only memory employing multiple bit-line interconnection
JPH0357048A (en) Semiconductor memory
SU907587A1 (en) Information-correcting storage device
US6587373B2 (en) Multilevel cell memory architecture
CA1223077A (en) Arrangement for supervising the functions of a memory device
US4077029A (en) Associative memory
SU504247A1 (en) Permanent storage device
SU1462418A1 (en) Storage
SU860136A1 (en) Permanent memory
SU942159A1 (en) Storage device
SU957273A1 (en) Storage device with data correction
SU822290A1 (en) Semiconductor storage
SU972599A1 (en) Storage with interlocking faulty cells
SU1101897A1 (en) Read-only memory
SU849304A1 (en) Fixed storage with information correction
SU894798A1 (en) Rapid-access storage with error detection and correction
SU922868A1 (en) Fixed storage
SU907582A1 (en) Associative storage device
SU1161994A1 (en) Storage with self-check
SU959159A1 (en) On-line storage
SU1274004A1 (en) Storage with self-checking