SU902072A1

SU902072A1 - Способ изготовлени интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах

Info

Publication number: SU902072A1
Application number: SU802939578A
Authority: SU
Inventors: Лев Сергеевич Ломов; Вадим Иванович Новиков; Роберт Дмитриевич Иванов; Григорий Тимофеевич Сбежнев; Геннадий Константинович Чиркин
Original assignee: Предприятие П/Я А-1631
Priority date: 1980-06-09
Filing date: 1980-06-09
Publication date: 1982-01-30

Description

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

1

Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен способ изготовлени интегральных схем (ИС) на ЦМД, основанный на последовательном нанесении пленочных слоев диэлектрика и проводника, а также резиста , проведении литографии по Слою проводника , травлении сло проводника через маску резиста, сн тии остатков резиста, нанесении последующих пленочных слоев диэлектрика и магнитом гкого материала, а также резиста, проведении литографии по слою магнитом гкого материала, травлении магнитом гкого материала, сн тии остатков резиста и вскрытии окон под контактные площадки 1.

Известный способ требует как минимум двух щаблонов при изготовлении схем (на каждую литографию) и высокой точности на совмещение щаблонов, что усложн ет технологический процесс изготовлени ИС на ЦМД.

Наиболее близок к предлагаемому способ изготовлени ИС на ЦМД, который основан на нанесении на доменосодержащую пленку пленочных слоев, проводников и диэлектриков , сло резиста, экспонировании сло резиста с переменной интенсивностью

, засветки по площади интегральной схемы, формировании маски резиста различной толщины , электроосаждении металла в сквозных , окнах резиста, дотравливании резиста в несквозных окнах, электроосаждении магнитом гкого материала во всех сквозных окнах резиста, сн тии резиста и вытравливании подсло 2.

В этом способе используетс лищь одна маска резиста, но применение операций электроосаждени металла усложн ет техноло j гический процесс.

Цель изобретени - повыщение технологичности изготовлени ИС на ЦМД.

Поставленна цель достигаетс тем, что в способе изготовлени ИС на ЦМД, основанном на нанесении на доменосодержащую

20 пленку пленочных слоев проводников и диэлектриков , а также сло резиста, экспонировании сло резиста с переменной интенсивностью засветки по площади ИС, формировании маски резиста различной толщины и

травлении пленочных слоев, все плёночные слои нанос т последовательно слой за слоем , например, катодным распылением, при формировании маски резиста устанавливают толщину резиста и глубину экспонировани резиста пропорционально глубине травлени пленочных слоев под маской резиста и провод т сквозное травление всех п теночных слоев, не защищенных маской резиста.

На фиг. 1-8 показана последовательность технологических операций по изготовлению ИС на ЦМД, осуществл емых в соответствии с предлагаемым способом.

На фиг. 1 показан профиль исходной доменосодержащей пленки; на фиг. 2 - то же после нанесени всех пленочных рабочих слоев; на фиг. 3 - то же, после нанесени резиста; на фиг. 4 - экспонирование резиста с различной интенсивностью по площади ИС; на фиг. 5 - профиль после про влени резиста с различной степенью засветки; на фиг. 6 - то же, после проведени операции травлени на половинную глубину; на фиг. 7 то же, после полного травлени слоев; на фиг. 8 - окончательный профиль после сн ти резиста.

Предлагаемый способ заключаетс в следующем .

На поверхность доменосодержащей эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки 1, выращенной на подложке 2 гадолиний-галлиевого граната (фиг. I), нанос тс последовательно слои разделительного диэлектрика 3, проводника 4, изолирующего диэлектрика 5, магнитом гкого материала 6 (фиг. 2), затем резиста 7 (фиг. 3), например, негативного электронного. Затем производитс засветка электронного резиста электронным лучом 8 различной интенсивности Ji и Зг, причем 3 П2 (фиг. 4). В местах, где произошла засветка электронным лучом с интенсивностью Ji, при про влении в слое резиста 7 образуетс сквозное окно 9, а там, где засветка с интенсивностью Ij - несквозное 10 с недоэкспонированным слоем 11 (фиг. 5). Далее проводитс операци травлени пленочных слоев, например, ионоплазменное . При этом отравливаетс также и слой резиста. Интенсивность экспонировани 3 выбираетс таким образом, чтобы непроэкспонированный слой 11 при проведении травлении сошел, образу сквозное окно 12 не раньше, чем протравитс слой 6 магнитом гкого материала (фиг. 6). Далее травление провод т до тех пор, пока не протравитс слои 4 проводника в сквозном окне 9, при этом в сквозном окне 12 глубина травлени достигает поверхности сло 4 проводника, протравив насквозь слой 5 изолирующего диэлектрика (фиг. 7). Толщина сло 7 резиста выбираетс таким образом, чтобы после всего

цикла травлени на поверхности оставалс

минимальный остаточный слой 13 резиста

(фиг. 7), который затем удал етс (фиг. 8).

Предлагаемый способ изготовлени ИС

на ЦМД включает в себ одну операцию по формированию маски резиста и одну Операцию травлени пленочных слоев. Это существенно упрощает технологический процесс изготовлени ИС, так как сокращаетс количество проводимых операций. За счет сокращени числа операций снижаетс также трудоемкость изготовлени ИС на- ЦМД, а также повышаетс качество изготавливаемых приборов и увеличиваетс процесс выхода годных.

Claims

1. ШЕЕ Trans-Magn., V.MAG-13, 1977, № 5, р. 1370.

2. Патент Великобритании № 1507947, кл. Н 3 В, опублик. 1978 (прототип).