SU863716A1 - Устройство дл нанесени покрытий - Google Patents
Устройство дл нанесени покрытий Download PDFInfo
- Publication number
- SU863716A1 SU863716A1 SU792807440A SU2807440A SU863716A1 SU 863716 A1 SU863716 A1 SU 863716A1 SU 792807440 A SU792807440 A SU 792807440A SU 2807440 A SU2807440 A SU 2807440A SU 863716 A1 SU863716 A1 SU 863716A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- coating device
- coating
- horn
- chamber
- vacuum chamber
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к технике нанесени покрытий .и может быть использовано в технологии производства микросхем и печатных плат.
Известно устройство дл нанесени покрытий на поверхности путем термического размножени металлоорганических соединений 1.
Недостатки известного устройства - необходимость поддержани высокой температуры поверхности при нанесении покрытий (около ) и легирование осаждаемого сло металла карбидами и окислами, образующимис в ходе процесса.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемым результатам к предлагаемому вл етс устройство, содерж ЭДее вакуумную камеру с размещенными в ней подложкодержателем и источником пара с отверсти ми на его рабочей поверхности 2.
Недостаток устройства - изменение услови роста сло материала на поверхности за счет увеличени температуры подложки, котора нагреваетс потоком газа-носител и паров наносимого материала, имеющим высокую температуру.
Цель изобретени - повышение качества пленки.
Цель достигаетс тем, что в устройстве дл нанесени покрытий, содержащем вакуумную камеру с размещенными в ней подложкодержателем и источником пара с отверсти ми на его рабочей поверхности, источник пара выполнен в виде жестко соединенных
to радиопрозрачной камеры и рупорнопараболической антенны СВЧ диапазона.
На чертеже изображено устройство дл нанесени покрыти , общий вид.
Устройство дл нанесени покрытий 15 состоит из рупорно-параболической антенны 1, герметично соединенной с ней радиопрозрачной камеры 2 с отверсти ми 3 в стенке, обращенной к поверхности 4, на которую производитс нанесение материала, и отверстием 5 дл ввода паров материала в нее по магистрали 6. Устройство помещено в вакуумную камеру 7. СВЧ энерги подводитс к рупорно-пара25 болической антенне по волноводному тракту 8 от генератора 9.
Устройство работает следующим образом.
От генератора 8 по волноводному 30 тракту 8 энерги кансшизируетс к
рупорно-параболической антенне 1, котора излучает электромагнитные волны через радиопрозрачную камеру 2 в зону образовани плазмы 10. Туда же по магистрали б через отверстие 5 в камере 2 и отверсти 3 посту пают пары элементоорганического соединени (ЭОС). В зоне образовани плазмы 10 происходит разложение ЭОС с образованием паров наносимого материала, которые и оседают на поверхности 4 в виде пленки.
Дл получени резисторов на основе пленок вольфрама в гибридно-пленочной технологии на подложках из ситалла, керамики и стекол получают слои вольфрама путем разложени карбонила вольфрама. Процесс проводитс при давлении газовой смеси в -вакуумной камере Р Торр..В качестве источника СВЧ энергии использован магнетрон, генерирующий на частоте 10 кГц мощность 50 Вт.
Использование предлагаемого устройства позвол ет наносить пленки и покрыти без нагрева рабочей поверхности (при комнатной температуре ). Кроме того, повышаетс адгези наносимого сло к рабочей поверхности (на 30-40%), а сами пленки обладают высокой равномерностью по толщине.
Claims (2)
1.За вка Японии № 48-22886, кл. 12 А 26, 1973.
2. За вка ФРГ № 1621325, кл. С 23 С 13/00, 1975. (прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792807440A SU863716A1 (ru) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | Устройство дл нанесени покрытий |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792807440A SU863716A1 (ru) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | Устройство дл нанесени покрытий |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU863716A1 true SU863716A1 (ru) | 1981-09-15 |
Family
ID=20845374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792807440A SU863716A1 (ru) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | Устройство дл нанесени покрытий |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU863716A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2502185A1 (fr) * | 1981-03-17 | 1982-09-24 | Clarion Co Ltd | Dispositif de depot d'une couche mince |
US5741364A (en) * | 1988-09-14 | 1998-04-21 | Fujitsu Limited | Thin film formation apparatus |
-
1979
- 1979-08-08 SU SU792807440A patent/SU863716A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2502185A1 (fr) * | 1981-03-17 | 1982-09-24 | Clarion Co Ltd | Dispositif de depot d'une couche mince |
US5741364A (en) * | 1988-09-14 | 1998-04-21 | Fujitsu Limited | Thin film formation apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5250328A (en) | Process and apparatus for plasma CVD coating or plasma treating substrates | |
US5017404A (en) | Plasma CVD process using a plurality of overlapping plasma columns | |
US5062508A (en) | Cvd coating process for producing coatings and apparatus for carrying out the process | |
JP4217883B2 (ja) | 高周波型プラズマ強化化学気相堆積反応装置、及びそれを用いる方法 | |
CA1269061A (en) | Process for the production of diamond-like carbon coatings | |
KR100821811B1 (ko) | 기판상에 막을 증착하는 장치 및 방법과 막 증착을 위한 동력 공급 장치 | |
US4236994A (en) | Apparatus for depositing materials on substrates | |
GB2077770A (en) | Gasless iron plating | |
JPS60181274A (ja) | 基板に被着を行なう装置および方法 | |
SU863716A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий | |
KR850001974B1 (ko) | 광화학적 증착방법 및 장치 | |
JP3016795B2 (ja) | 銀皮膜の固着性析出方法、銀皮膜及びこれから構成される導電性、反射性または装飾的皮膜 | |
JPH0419701B2 (ru) | ||
US5631050A (en) | Process of depositing thin film coatings | |
EP0095384A3 (en) | Vacuum deposition apparatus | |
JP2778955B2 (ja) | 連続多段イオンプレーテイング装置 | |
JPH0797690A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPH09165674A (ja) | 真空被覆装置 | |
SU901352A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий | |
JPS5773174A (en) | Manufacturing apparatus for coating film | |
JP3648777B2 (ja) | マイクロ波プラズマcvd装置 | |
JPH0580555B2 (ru) | ||
JPS6091629A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
JP2872773B2 (ja) | 化合物の高速蒸着方法及び装置 | |
RU2000851C1 (ru) | Устройство дл формировани поли-п-ксилиленовых покрытий |