(54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО(54) ANALOG STORAGE DEVICE
Изобретение относитс к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в системах автоматического регулировани дл интегрировани по времени дискретных сигналов, поступающих с трехпозицисжньк регул торов, а также шште/ьного запоминани результатов интегрировани . По основному авт. св. № 711635 известно аналоговое запоминающее устрой ство, используемое в системах автоматического регулирсжани дл интегрировани по времени дискретных сигналов, поступающих с трех позиционных регуп тфов, и длительного запоминани результат интегрировани . Это устройство выполнено ,на повторителе напр жени с. большим обратным сопротив;ЕНием управл ющего перехода и накопительном элементе, например , высокостабильном коноенсаторе, одна обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала, а между шинами питани введены ключи, пассивные элементы соединенные с шинами питани по мосте вой схеме, в диагонахь которого включены последовательно соединенные заржшый блок, нелинейные элементы и разр шый блок, вход которого соединен с выходом первсго пассивного элемента, друга обкладка конденсатора соединена с выходом первого негашейного элемента , входом второго нелинейного элемента и входом повторител напр жени , а вход второго зар дного блока подключен к управл ющему выходу второго пассивного элемента С Однако дл обеспечени длительного запоминани результатов Ш1тегр1фовани нелинейные элементы в устройстве оол сны быть с самыми миннмат ными обратными токами, так как они в режиме запоминани наход тс под обратным напр жением, причем это напр жение посто нно мен етс в зависимости от величины напр жени на обкшдках накопительного элемента, а эна чит и мен ютс обратные токи через непп нейнью элементы. Эти токи вли ют на вепкч ту потенциала на обкладках накопител ного элемента, т.е. ав вли ют на длитель386 нос-ть (ппом ) крЕкеп.н информации, и чем болз-.ше будут зти токи, тем больше будет скорость изменени потенциала на обклаоках накопительного элемента, значит меньше будет врем хранени информации, Иел1з изобретени - увеличение времени хранени информации. Постйвленна цель достигаетс тем, что Б аналоговое запоминающее устройство введены шза эмиттерных повторител , причем вход первого эмиттерного повторител подключен к вьпсоду повторител напр жени , а выход подключен к зар дному блоку , вход второго эмиттерного повторител -подключен к нагрузочному элементу, а выход пооключен к разр дному блоку, и нелинейный элемент, вход которого подключен к выходу повторител напр ншни , а выход - ко входу второго эмиттерного повторител . На чертеже представлена принципиальна , схема аналогового запоминающего устройства. Аналоговое запоминающее устройство содержит ключи 1 и 2, пассивные элементы 3 и 4, нелинейные элементы 5 и 6, разр дный блок 7, зар дный блок 8, накопительный элемент 9, повторитель 1О напр жени , нагрузочный элемент 11, нелинейный эпемент 12, эмиттерные повторители 13 и 14. Нелинейный элемент 12 введен дл того, чтобы снизить начальное напр жение на выходе устройства и сделать его равным или несколько меньше напр жени на обкладках накопительного элемента. Эмит- терные повторители 13 и 14 выполнены на транзисторах разной проводимости вмес то с подключенными к ним пассивными эгегментами 3 и 4, причем эмиттерный повторитель 14 на транзисторе обратной проводимости повтор ет выходное напр же ние на нагрузке, которое на незначительну величину меньше напр жегш на обкладках накопительного элемента, а эмиттерный повторитель 13 на транзисторе пр мой 0 проводимости повтор ет напр жение стокисток повторител 1О напр жени . За счет этого вьфавниваютс потенциалы входа и выхода нелинейных элементов 5 и 6, т.е. практически уменьшаютс в несколько раз обратные напр жени на этих элементах в режиме запоминани , а поэтому уменьшаютс обратные токи через эти элементы . Это позвол ет увеличить врем храени информации в два раза по сравнению с звестным устройством. Погрешность запоинани предлагаемого устройства состав ет 0,23 В/ч во всем диапазоне изменеи выходаого напр жени . Использование изобретени позвол ет увеличить врем хранени информации, а также примен ть в качестве нелинейньрс элементов вместо дорогосто щих полевых транзисторов, включенных по диооной схеме , более дешевые точечные кремниевые диоды. ла изобретени Аналоговое запоминающее устройство по авт. св. . 711635, отличающеес тем, что, с целью увеличени времени хранени информации, в устройст во введены два эмиттерных повторител , причем вход первого эмиттерного пситорител подключен к вькоду повторител напр жени , а выход подключен к зар дному блоку, вход втфого эмиттерного повторител подключен к нагрузочному элементу, а выход подключен к разр дному блоку, и нелинейный элемент, вход которого подключен к выходу повторител напр жени , а выход - ко входу второго эмиттерного повторител . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 711635, кл. G 11 С 27/ОО.The invention relates to automation and computer technology and can be used in automatic control systems for integrating time signals from three-position controllers, as well as for storing the integration results. According to the main author. St. No. 711635, there is known an analog memory device used in automatic control systems for integrating time signals of discrete signals from three positional registers, and for long-term memorization of the result of integration. This device is implemented on a voltage follower with. large reverse resistance; ENEM of the control junction and a cumulative element, for example, a highly stable capacitor, one lining of which is connected to the zero potential bus, and keys are inserted between the power buses, passive elements connected to the power buses by a bridge circuit, which are connected in series with diagonals a dead block, non-linear elements and a broken block, the input of which is connected to the output of the first passive element, the other capacitor plate is connected to the output of the first non-closure element one, the input of the second nonlinear element and the input of the voltage follower, and the input of the second charging unit are connected to the control output of the second passive element C However, to ensure long-term storage of the results of the device, the nonlinear elements in the device should be with the lowest inverse currents, since they are in memory mode under reverse voltage, and this voltage constantly changes depending on the magnitude of the voltage on the accumulator element, and this change s Knepp currents through linear elements. These currents affect the potential of the capacitive cell plates, i.e. AV affect the length 386 nose-t (pp) of the information crack, and the greater the current will be, the greater will be the rate of change of potential on the accumulator cell, then the storage time of the information will be less information. The goal is achieved by the fact that the analog memory device is entered using the emitter follower input, the input of the first emitter follower is connected to the voltage follower output, and the output is connected to the charging unit, the input of the second emitter follower is connected to the load element, and the output is connected to the discharge element This unit and the nonlinear element whose input is connected to the output of the repeater, for example, and the output to the input of the second emitter follower. The drawing shows a schematic diagram of an analog storage device. The analog storage device contains keys 1 and 2, passive elements 3 and 4, nonlinear elements 5 and 6, bit unit 7, charge unit 8, accumulative element 9, voltage follower 1O, load element 11, nonlinear element 12, emitter followers 13 and 14. Nonlinear element 12 is introduced in order to reduce the initial voltage at the output of the device and to make it equal to or slightly less than the voltage on the plates of the storage element. The emitter repeaters 13 and 14 are made on transistors of different conductivity together with the passive segments 3 and 4 connected to them, and the emitter follower 14 on the reverse conduction transistor repeats the output voltage on the load, which is an insignificant value less than the voltage on the plates of the storage element, and the emitter follower 13 on the forward-conducting 0 transistor repeats the voltage of the drain repeater 1O of the voltage. Due to this, the input and output potentials of nonlinear elements 5 and 6, i.e. the reverse voltage across these elements in memory mode is practically reduced several times, and therefore the reverse currents through these elements are reduced. This allows the storage time of information to be doubled compared with the known device. The uncertainty in the value of the proposed device is 0.23 V / h over the entire range of output voltage variation. The use of the invention allows to increase the storage time of information, as well as to use as a non-linear element instead of expensive field-effect transistors included in the dioon scheme, cheaper point-like silicon diodes. la invention Analog memory device auth. St. . 711635, characterized in that, in order to increase the storage time of the information, two emitter repeaters are introduced into the device, the input of the first emitter capacitor is connected to the voltage repeater and the output is connected to the charging unit, the input of the photo emitter follower is connected to the load element , and the output is connected to the discharge unit, and the nonlinear element, whose input is connected to the output of the voltage follower, and the output to the input of the second emitter follower. Sources of information taken into account in the examination 1. USSR author's certificate 711635, cl. G 11 C 27 / OO.