SU853513A1

SU853513A1 - Способ определени диэлектрическихСВОйСТВ МАТЕРиАлА

Info

Publication number: SU853513A1
Application number: SU792811453A
Authority: SU
Inventors: Мирон Исакович Гроссман; Николай Иванович Васильченко; Виктор Григорьевич Наливаев; Валентин Николаевич Николаенко; Виталий Георгиевич Панов
Original assignee: Предприятие П/Я В-8695
Priority date: 1979-08-17
Filing date: 1979-08-17
Publication date: 1981-08-07

Description

I

Изобретение относитс к области измерительной техники и может быть -J использовано при разработке устройств дл бесконтактного измерени , в частности дл измерени диэлектрической проницаемости.

Известен способ измерени диэлектрических параметров веществ, при реализации которого в межэлектродное пространство конденсатора помещают вещество и измер ют емкость этого конденсатора П.

Недостатком этого способа вл етс невысока точность измерени . ,5

Наиболее близким к изобретению вл етс способ определени диэлектрических свойств материала путем помещени над его поверхностью двух электродов, по крайней мере на один jo из которых подает.с потенциал, и измерени электрических параметров в цепи, подключенной ко второму электроду 2 .

Недостаточна точность измерени обусловлена тем, что при реализации способа необходимо производить измерени в двух положени х, т.е. результирующа погрешность, по крайней мере, вдвое больше, чем при одиом измерении . Кроне того, результат измерени усредн етс по плснцади пластин конденсатора .

изобретени вл етс повышение точности измереиий.

Эта цель достигаетс тем, что по способу определени диэлектрических свойств материала путем помещени над его поверхностью двух электродов, по крайней мере иа один из которых подаетс потенциал, и измерени электрических параметров в цепи, подключенной к второму электроду, поддерживают уровень потенциала иа одном из электродов посто нным, измер ют потенциал второго электрода в изолированном состо нии, перемеща электроды по

38

нормали к поверхности, определ ют минимальное значение потенциала на втором электроде и по соотношению этого потенциала и потенциала на первом электроде суд т о диэлектрических свойствах материала. Кроме того, с целью вы влени локальных неоднородностей диэлектрических свойств после получени минимального значени потенциала второго элистрода перемещают элекгроды параллельно поверхности, определ ют изменение потенциала указанного электрода в процессе перемещени и по этому изменению суд т о неоднородности свойств вдоль поверхности материала.

На чертеже представлена схема устройства дл реализаций способа.

Оно состоит из вли ющего электрода I, измерительного электрода 2 источника 3 дл задани потенциала на вли ющем электроде, усилител 4 и измерительного прибора 5.

Способ реализуетс следующим образом .

Датчик с охладител ми подводитс к поверхности исследуемого материала 6 таким образом, чтобы электроды находились на одинаковом растолкни от поверхности. На электроде I задаетс и поддерживаетс посто нный потенциал . В процессе перемещени электродов к поверхности определ етс минимальное значение потенциала. Проведенные расчеты и эксперименты свидетельствуют о том, что минимальное значение зависит от диэлектрической проницаемости материала и, зна это минимальное значение дл материалов с известньми свойствами и дл исследуемого материала, можно однозначно определить, в частности, .диэлектрическую проницаемость. При этом погрешность измерений может быть снижена по сравнению с прототипом в несколько раз. Это в совокупности с возможностью оценки неоднородности свойств материала опре134

дел ет более высокую эффективность способа.

Claims

1. Способ определени диэлектрических свойств материала путем помещени над его поверхностью двух электродов, по крайней мере на один из которых подаетс потенциал, и измерени электрических параметров в цепи, подключенной к второму электрду , отличающийс тем, что, с целью повьшени точности,поддерживают уровень потенциала на одном из электродов посто нньм,измер ют потенциал второго электрода в изолированном состо нии, перемеща электроды по нормали к поверхности , определ ют минимальное значение потенциала на втором электроде и по соотношению этого потенциала и потенциала на первом электроде суд т о диэлектрических свойствах материала.

2. Спос

Способ по П.1, отлича ющ и|й с

тем, что, с целью вы влени локальных неоднородностей диэлектрических свойств, после получени минимального значени потенциала второго электрода перемещают электроды параллельно поверхности, определ ют изменение потенциала указанного электрода в процессе перемещени и по этому изменению суд т о неоднородности свойств вдол поверхности материала.

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

1.Матисс И.Т. Электроемкостные преобразователи дл неразрушающего контрол . Рига, Зина5гне, 1977.

2.Авторское свидетельство СССР № 216807, кл. 2la-, 71, 1966 (прототип ) .