SU712785A1

SU712785A1 - Устройство дл измерени температурной зависимости удельного сопротивлени полупроводниковых пластин

Info

Publication number: SU712785A1
Application number: SU782628756A
Authority: SU
Inventors: Иван Петрович Молодян; Григорий Лиостинович Ляху; Геннадий Сергеевич Коротченков
Original assignee: Кишиневский Политехнический Институт Им. С.Лазо
Priority date: 1978-06-13
Filing date: 1978-06-13
Publication date: 1980-01-30

Description

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин произвольной формы.

Известно устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов [1]. Устройство содержит два контакта, припаянных к торцам образца, два потенциальных зонда, установленных на боковой поверхности образца, быстродействующий потенциометр, переключатель, источник тока и амперметр.

Недостатком этого устройства является его непригодность для измерения удельного сопротивления образцов произвольной формы.

Известно также устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин [2], содержащее источник переменного тока постоянной частоты f_lt соединенный с первым и вторым зондами, усилитель, вход которого соединен с третьим и четвертым зондами, термодатчик, размещенный на полупроводниковой пластине, соединенный с входом двухкоординатного регистрирующего прибора.

Недостатком этого устройства является его непригодность для измерений на пластинах произвольной формы.

Другой недостаток устройства связан с необходимостью точного измерения расстояний между зондами на поверхности пластины. Неточность измерения этого расстоя5 ния понижает точность измерения удельного сопротивления исследуемого полупроводника.

Целью изобретения является повышение точности измерений в динамическом режиЮ ме на пластинах произвольной формы.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство дополнительно введен второй источник переменного тока частоты f₂, второй усилитель, причем оба усилителя се15 лективные, выход второго источника тока соединен с первым и четвертым зондами, вход второго усилителя соединен с вторым и третьим зондами, выходы усилителей через синхронные детекторы и калибратор 20 подключены к входу двухкоординатного регистрирующего прибора.

На чертеже представлена схема устройства для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупро25 водниковых пластин.

Устройство содержит зонды 1—4, размещенные на поверхности исследуемой полупроводниковой пластины, источник переменного тока 5 частоты fi, источник пере30 менного тока 6 частоты f₂. Селективные усилители 7 и 8, настроенные, соответственtint· -.

• •л.:» ·'*/»’ * '♦•ntj»· < &►· ** л . * . Λ·’ ‘τ

712785' но, на частоту генераторов 5 и 6, синхронные детекторы 9 и 10, калибратор 11 и регистрирующее устройство 12.

Генератор 5, селективный усилитель 7 и синхронный детектор 9 образуют первый канал измерения, а генератор 6, селективный усилитель 8 и детектор 10 — второй канал измерения.

Выход генератора 5 соединен с зондами 1 и 2 образца, к противолежащей паре зондов 3, 4 подсоединен вход селективного усилителя 7, а выход последнего через синхронный детектор 9 подключен ко входу калибратора 11.

Выход генератора 6 соединен с зондами 1 и 4, к противолежащей паре зондов 2 и 3 подсоединен вход селективного усилителя 8, причем выход последнего через синхронный детектор 10 подключен ко входу калибратора И.

Выход калибратора И соединен с регистрирующим устройством 12, на второй вход которого подают сигнал с термодатчика, размещенного на исследуемой плас тине.

Устройство работает следующим образом.

ток

ЛпроНа образец через зонды 1, 2 от генератора сигналов 5 с амплитудой J Одновременно через пускается ток такой с частотой f₂. Падения дах 4, 3 и 3, 2 усиливаются усилителями 7 и 8, настроенными соответственно на частоту fi и f₂- Затем усиленные пропускается и частотой зонды 1, 4 же амплитуды J напряжений на зонселективными сигналы детектируются синхронными детекторами 9 и 10 и подаются на калибратор 11, в котором учитывается толщина исследуемой пластины. Калибратор 11 также усредняет сигналы, поступающие с детекторов 9 и 10 и, при необходимости, учитывается функция поправок на геометрию образца. С калибратора 11 сигнал подается на регистрирующее устройство 12, например на двухкоординатный самописец, куда поступает и сигнал с термодатчика (датчик температуры образца).

Предлагаемое устройство позволяет автоматизировать проводимые в динамическом режиме измерения температурной зависимости удельного сопротивления образ5 цов полупроводниковых материалов произвольной формы, что дает возможность исключить ряд технологических и измерительных операций по приданию образцам правильной формы и измерению геометриЮ веских размеров; все это, в конечном счете, приводит к повышению точности измерений, сокращению времени на подготовку образца, сокращению расходов материальных средств.

Claims

Формула изобретения

Устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления 20 полупроводниковых пластин, содержащее источник переменного тока постоянной частоты fi, соединенный с первым и вторым зондами, усилитель, вход которого соединен с третьим и четвертым зондами, термодат25 чик, размещенный на полупроводниковой пластине, соединенный с входом двухкоординатного регистрирующего прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений в динамическом ре30 жиме на пластинах произвольной формы, в устройство дополнительно введен второй источник переменного тока частоты f₂, второй усилитель, причем оба усилителя селективные, выход второго источника тока 35 соединен с первым и четвертым зондами, вход второго усилителя соединен с вторым и третьим зондами, выходы усилителей через синхронные детекторы и калибратор подключены к входу двухкоординатного ре40 гистрирующего прибора.