SU843325A1

SU843325A1 - Probng head

Info

Publication number: SU843325A1
Application number: SU792771833A
Authority: SU
Inventors: Виктор Ильич Афанасьев; Вячеслав Николаевич Борщев; Нестор Павлович Гилецкий
Original assignee: Предприятие П/Я Р-6668
Priority date: 1979-05-29
Filing date: 1979-05-29
Publication date: 1981-06-30

Description

(54) ЗОНДОВАЯ ГОЛОВКА(54) PROBE HEAD

1one

Изобретение относитс к измерению электрофизических параметров полупроводниковых материалов и может быть использовано в зондовых датчиках дл измерени удельного сопротивлени , например, германи и кремни контактными методами.The invention relates to the measurement of the electrophysical parameters of semiconductor materials and can be used in probe sensors for measuring the resistivity, for example, germanium and silicon by contact methods.

Известны зондовые головки, содержащие зонды, зондодержатели, механизм перемещени и регулировки давлени зондов 1.Probe heads are known, comprising probes, probe holders, a mechanism for moving and adjusting the pressure of the probes 1.

Эти зондовые головки позвол ют повысить измерени за счет плавной регулировки усили прижима зонда, но механизм регулировки давлени зонда очень сложный.These probe heads allow increased measurements due to the smooth adjustment of the probe pressing force, but the probe pressure adjustment mechanism is very complicated.

Наиболее близкой к предлагаемой, по технической сущности вл етс зондова головка, содержаща размещенные в корпусе зонд, в виде заостренного стержн , зондодержатель , токоподвод и штеккер с регулировочным винтом 2.Closest to the proposed technical essence is a probe head containing a probe placed in the housing, in the form of a pointed rod, a probe holder, a current lead and a plug with an adjusting screw 2.

Однако конструкцией известной, зондовой головки не предусмотрена возможность плавной регулировки усили прижима зонда к поверхности кристалла полупроводникового материала, кроме того, на участке токоподвода от штеккера к зонду имеетс три контактных перехода между различными металлами. Отсутствие плавной регулировки усили прижима зонда к поверхности полупроводника может привести к искажени м измер емых параметров полупроводников за счет неомичности контактов на границе металл-полупроводник при недостаточном прижиме зондов к поверхности пластины или к погрещности за счет изменени удельного сопротивлени в местах контактировани зондов при избыточном давлении их на поверхность кристалла. Наличие многих контактных переходов из различных металлов в токоподводе приводит к дополнительной погрешности при прохождении тока за счет термоэлектронных влений, а также снижает надежность токоподвода, что вли ет на точность измерени .However, the design of the known probe head does not provide for the possibility of smoothly adjusting the clamping force of the probe to the crystal surface of the semiconductor material; in addition, in the section of the current lead from the plug to the probe, there are three contact transitions between different metals. The lack of a smooth adjustment of the probe pressing force to the semiconductor surface can lead to distortions of the measured parameters of semiconductors due to the non-homogeneity of contacts at the metal-semiconductor interface with insufficient clamping of the probes to the plate surface or to error due to the change in the specific resistance on the surface of the crystal. The presence of many contact transitions from different metals in the current lead leads to an additional error in the passage of current due to thermal effects, and also reduces the reliability of the current lead, which affects the measurement accuracy.

Цель изобретени - повышение точности измерени .The purpose of the invention is to improve the measurement accuracy.

Указанна цель достигаетс тем, что в зондовой головке, преимущественно дл измерени электрофизических параметров полупроводниковых материалов, содержащей корпус, зонд с зондодержателем, токоподвод и штеккер с регулировочным винтом, зонд и токоподвод выполнены в виде единого Г-обThis goal is achieved by the fact that in the probe head, mainly for measuring the electrophysical parameters of semiconductor materials, including a housing, a probe with a probe holder, a current lead and a plug with an adjusting screw, the probe and the current lead are made in the form of a single G-about

Claims

Claim

The probe head, mainly for measuring the electrophysical parameters of semiconductor materials, comprising a housing, a probe with a probe holder, then25 copod and plug with an adjusting screw, characterized in that, in order to improve the measurement accuracy, the probe and current lead are made in the form of a single L-shaped rod, moreover the tocolezod is equipped with a spiral bend, in the cavity of which an axis is fixed, rigidly fixed to the housing, and the end of the current lead is placed in the slot of the screw.