SU896382A1

SU896382A1 - Resistance strain gauge

Info

Publication number: SU896382A1
Application number: SU802917132A
Authority: SU
Inventors: Славомир Степанович Варшава; Ева Иосиповна Ференс
Original assignee: Львовский Ордена Ленина Политехнический Институт
Priority date: 1980-04-25
Filing date: 1980-04-25
Publication date: 1982-01-07

Description

(54) ТЕНЗОРЕЗИСТ-ОР(54) Tenzorez-OR

1one

Изобретение относитс к измерительной технике, а более конкретно к тензоизмерительньм устройствам .The invention relates to a measurement technique, and more specifically to a strain measuring device.

Известен тензорезистор, содержащий чувствительный злемент и выводы 1 .Known strain gauge, containing sensitive element and conclusions 1.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс тензорезистор, содержащий чувствительный элемент из нитевидного полупроводникового монокристалла с точечными контактами и выводами, соединенными с его концами 2.Closest to the proposed technical essence is a strain gauge containing a sensitive element of a filamentary semiconductor single crystal with point contacts and leads connected to its ends 2.

Однако из-за краевых эс фектов минимальна длина базы тензорезистора ограничена размером 1 мм, что не позвол ет использовать тензорезисторы дл измерений локальных деформаций С в определенной точке), или же при их применении точность измерений ухудшаетс , так как тензорезистор фиксирует усредненную по базе деформацию, что при измерени х неоднородных деформаций может дать значительную погрешность.However, due to edge effects, the minimum base length of the strain gauge is limited to 1 mm, which does not allow the use of strain gauges for measuring local deformations C at a certain point), or when they are used, the accuracy of measurements deteriorates because the strain gauge deforms that when measuring inhomogeneous deformations can give a significant error.

Цель изобретени - повышение точности измерений тензорезистора.The purpose of the invention is to improve the measurement accuracy of the strain gauge.

Эта цель достигаетс за счет того, что тензорезистор снабжен дополнительным точечным контактом с выводами, соединенными с чувствительным .элементом в средней части последнего.This goal is achieved due to the fact that the strain gauge is provided with an additional point contact with the leads connected to a sensitive element in the middle part of the latter.

10ten

На чертеже показана схема тензорезистора .The drawing shows a diagram of the strain gauge.

Тензорезистор содержит чувствительный элемент I из нитевидного по15 лупроводникового монокристалла с точечными контактами 2 и 3 и выводами 4 и 5, соединенными с его концами, и дополнительным точечным контактом 6 с выводами 7 и 8, соединенными с The strain gauge contains a sensing element I of a filamentary semiconductor single crystal with point contacts 2 and 3 and pins 4 and 5 connected to its ends, and an additional point contact 6 with terminals 7 and 8 connected to

30 чувствительным элементом в средней части последнего.30 sensitive element in the middle of the latter.

Claims

The operation of the strain gauge is carried out as follows. Through output A, pin 2, sensing element 1 and pin 7, there is a stabilized direct current ((.. Since the resistance of pin 6 is a function of the deformation at a given point, the voltage drop across pin 6, measured with a millivoltmeter included in the circuit includes pin 5, pin 3, sensing element 1, pin 6, pin 8, determines the deformation at the point of contact. The proposed strain gage significantly improves accuracy by reducing the measurement base, since deformations are measured in the JCOHTAKxa point region, except Moreover, the strain gauge has a good temperature stability in the temperature range of 20-90 C. 24 Claims A strain gauge containing a sensitive element of a filamentary semiconductor single crystal with point contacts and leads connected to its ends, is characterized in that provided with an additional point contact with leads connected to the sensitive element in the middle of the latter. Sources of information taken into account in the examination 1. Instruments and experimental equipment, 1977, No. 5, p. 216.

2. Sandulov A.V. Abstracts of the IV conference on semiconductor tensometry, Lviv, LOLPI 1969, p. 15.

-P

g

at