SU985719A1

SU985719A1 - Semiconductor pressure pickup

Info

Publication number: SU985719A1
Application number: SU803008237A
Authority: SU
Inventors: Георгий Георгиевич Абашев; Владимир Иванович Лунегов; Василий Сергеевич Павлов; Валерий Семенович Русских; Михаил Андреевич Марценюк
Original assignee: Пермский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им.А.М.Горького
Priority date: 1980-11-17
Filing date: 1980-11-17
Publication date: 1982-12-30

Description

(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ(54) SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR

1one

Изобретение относитс к измерительной технике и может бьггь использовано при измерении давлений, усилий и т.д.The invention relates to a measurement technique and can be used to measure pressures, forces, etc.

Известны полупроводниковые датчики, содержащие чувствительный элемент из кремни 1.Known semiconductor sensors containing a sensitive silicon element 1.

Недостатком данных датчиков вл етс высока их термочувствительность, что снижает точность измерений.The disadvantage of these sensors is their high thermal sensitivity, which reduces the accuracy of measurements.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс датчик давлени , содержащий чувствительный элемент на основе чистых органических полупроводников: проста ион-радикальна соль 7, 7, 8, 8-тетрацианохинодиметанида с 1,1-диэтил-6,6-дихинолинием; комплексна соль 1,1-диэтю1фенатролинн и 7, 7,8,8-тетра1даанохииодаметанида; комплексна соль на основе 1,Г-диэтил-6-6-дихинолини и 7,7,8,8-тетращ1анохинодиметанида 2.The closest in technical essence to the present invention is a pressure sensor containing a sensitive element based on pure organic semiconductors: a simple radical ion salt of 7, 7, 8, 8-tetracyanoquinodimethane with 1,1-diethyl-6,6-dichinoline; the complex salt of 1,1-diethylphenatrolinn and 7, 7,8,8-tetra1-dananodioimidamethanide; complex salt on the basis of 1, G-diethyl-6-6-dichinolini and 7,7,8,8-tetrash1anoquinodimethanide 2.

Недостатком известного датчика вл етс низкое электрическое сопротивление за счет того, что материал чувствительного элемента при низком температурном коэффициенте сопротивлени имеет низкое удельное сопротивление и, вследствии этого,возникают трудности сопр жени датчиков со стандартной тензоаппаратурой.A disadvantage of the known sensor is low electrical resistance due to the fact that the material of the sensing element with a low temperature coefficient of resistance has a low resistivity and, consequently, difficulties arise in conjugating the sensors with standard strain gauges.

Цель изобретени - повышение чувствительности за счет увеличени удельного сопротивлени .The purpose of the invention is to increase the sensitivity by increasing the resistivity.

Указанна цель достигаетс тем, что в полупроводниковый датчик, содержащий чувствительный элемент на основе органического полупроводника N,N-димeтил-4,4-дипиpидилий 7,7,8,&-тетрацианохинодиметанида, в материал чзтствительного элемента введена S-метилтиурониева соль 7,7,8,8-тетрациа охинодиметана при следующем соотнощешш компонентов, вес.%: Ы.Ы-диметил-4,4-дипиридилий 7,7,8,8-тет|ицианохинодиметанид 60-70, 8-мет1{лти)грон й 7,7,8,8-тетрацианозошодиметащщ 30-40.This goal is achieved in that a semiconductor sensor containing a sensitive element based on organic semiconductor N, N-dimethyl-4,4-dipyridyly 7,7,8, & tetracyano-quinodimethanide, is introduced into the material of the real element S-methylthiuronium salt 7, 7,8,8-tetracium oxydimethan with the following ratio of components, wt.%: Y.Y.-dimethyl-4,4-dipyridyly 7,7,8,8-Tet | icanoquinodimethanide 60-70, 8-met1 {lti) gron 7,7,8,8-tetracyano-cosmic 30-40.

Claims

The sensing element of the semi-conductor sensor can be made, for example, in the form of a compressed tablet of the mixture indicated. Electrical contacts can be pressed into the stress-sensing element or carried out by spraying the metal onto the surface. Thus, the application of the proposed; A semiconductor sensor allows to increase the electrical resistance and the level of the output signal by increasing the electrical resistivity, keeping the value of the temperature coefficient of resistance low. Claims of the Invention A semiconductor pressure sensor containing a sensitive element based on organic semiconductor N, N-dimethyl -4,4-diistiridium 7,7,8,8-tetracyano-quinido dimethyl 94 thanide, characterized in that, in order to increase the sensitivity by increasing the resistivity , the S-methylthiuronium salt of 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethyl salt is introduced into the material of the sensitive element in the following ratio of components, wt.%: N, N-dimethyl-4,4-dipyridyly 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethanide 60- 70; S-methylthiuronium 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethanide 30-40, Sources of information taken into account during the examination 1. USSR Author's Certificate No. 297874, cl. G 01 K 7/16, 1963.

2. USSR author's certificate L 301583, cl. G 01 L 9/12, 1969 (prototype).