SU1015244A1

SU1015244A1 - Strain gauge transducer sensing element

Info

Publication number: SU1015244A1
Application number: SU803224938A
Authority: SU
Inventors: Петр Михайлович Старик; Зиновий Владимирович Панкевич; Дмитрий Михайлович Заячук; Василий Иванович Гарасим
Original assignee: Черновицкий Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет
Priority date: 1980-10-02
Filing date: 1980-10-02
Publication date: 1983-04-30

Abstract

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ТЕНЮДАТЧИКА, В1топненнь1й в виде паралпелепвпеда из полупроводникового материала монокристаллической структуры , отличающий с. тем, что ,с целью псюьоиени чувствительности, полупроводниковый материал зостоит из твердого раствора х Р соотно;шеннн компоненгов 0,1 Х 0,45 с концентрацией носителей тока где X - относительное содержание базовой компоненты.A SENSITIVE ELEMENT OF A TRENDER, V1 Topnennyy in the form of a paralpeleppered from a semiconductor material of single-crystal structure, distinguishing with. the fact that, with the aim of sensitivity, the semiconductor material consists of a solid solution x P proportionally; Shannn components X 0.1 X 0.45 with a concentration of current carriers where X is the relative content of the base component.

Description

ел ate

nfibnfib

Изобретение относитс к измерительной технике, а именно к тензометрии, и может быть использовано дл измерени деформаций и механических напр жений деталей и конструкций.The invention relates to a measurement technique, namely strain gauge, and can be used to measure deformations and mechanical stresses of parts and structures.

Известен чувствительный элемент тензодатчика , выполненный в ввде пластины полупроводникового материала, например германи C lОсновным недостатком такого элемента вл етс мала точность измерений при повышенных температурах вследствие существенного изменени удельного сопротивлени материеша при изменени х температуры.A strain gauge sensing element is known that has been made in the input of a plate of a semiconductor material, such as germanium. The main disadvantage of such an element is the low measurement accuracy at elevated temperatures due to a significant change in the resistivity of the material with changes in temperature.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс чувствитеЛьный элемент тензодатчика, выпс ненный в виде параллелепипеда из полупроводникового материала монокристаллической структуры, изготовленнь1й на основе ,, где X - относительное содержание базовой компоненты, при соотношении компонентов О,,4 с ковдентрацией носителей 2.1О - 7.1О .The closest to the proposed technical entity is a sensitive element of the strain gauge, made in the form of a parallelepiped of semiconductor material of single crystal structure, made on the basis of, where X is the relative content of the base component, with a ratio of components O ,, 4 7.1O.

Недостатком известного тензочувстввггельного элемента вл етс низка чувствительность и термостабииъность.A disadvantage of the known strain sensing element is the low sensitivity and thermal stability.

Цель изобретени - повьпиение чувствительности .The purpose of the invention is the behavior of sensitivity.

Поставленна цель достигаетс тем, что чувствительный элемент тензодатчикаThe goal is achieved by the fact that the sensitive element of the strain gauge

выполнен в виде тгараллепехтипеда из полупроводникового материала монокристал- лической структуры, а полупроводниковый материал состоит из твердого раствора Pb-j-jjSpjfTe при соотношении компонентов 0,1 ,45 с концентрацией носит&пей тока , где X - относительное содержание базовой компоненты.The semiconductor material consists of a Pb-j-jjSpjfTe solid solution with a ratio of 0.1, 45 components with a concentration of & current, where X is the relative content of the base component.

Чувствительный элемент тензодатчика может быть изготовлен из известных способов, в виде параллелепипеда из полупроводникового материала мсхнокристаллической структуры с выводами в виде медных проводников, при этом монокристалл полупроводника состоит из твердого paf твораРЪ , J Зn Jeпpи соотнс пении компонентов 0, 1 - концентрацией носителей тока , . где X - относЕГгелг,кое содержание базовой компоненты.The sensitive element of the strain gauge can be made of well-known methods, in the form of a parallelepiped of semiconductor material of an all-crystal structure with conclusions in the form of copper conductors, while the single crystal of the semiconductor consists of a solid paf of the PF, J Зn Spine ratio of the components singing 0, 1 - the concentration of current carriers. where X is relative EGG, some of the contents of the base component.

Применение предлагаемого тензочувствнтельного элемента из данного материала позвол ет существенно повысить чувствительность тензоаатчикрв, так как удельна тензочувствительность у полупроводника выше, чем у известных материалов; кроме того, увеличиваетс термостабильность тензочувствительного элемента . При изготовлении такого тензочувствительного элемента не используютс драгоценные материалы.The use of the proposed strain-sensing element made of this material allows one to significantly increase the sensitivity of the strain-gage sensors, since the specific strain-sensitivity of a semiconductor is higher than that of known materials; in addition, the thermal stability of the strain-sensing element is increased. In the manufacture of such a stress-sensitive element is not used precious materials.

Claims

A SENSITIVE element of a strain gauge made in the form of a parallelepiped of a semiconductor material of a single crystal structure, distinguishing C-I in that, in order to increase sensitivity, the semiconductor material. Consists of a solid solution of ^5η _χ Τ е _at _ _. .

: component ratio 0.1 · $ Χί 0.45 with a current carrier concentration of 104; -10% μΆ where X is the relative content of the base component.