(54) ЯЧЕЙКА ОДНОРОДНОЙ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ(54) UNIFORM COMPUTING CELL
СРЕДЫMEDIUM
Изобретение относитс к автоматике и вычислительной технике. Известно устройство, содержащее триггеры на транзисторах разного типа проводимости с коллекторно-базовыми св з ми 1. Известно также устройство, содержащее транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с первой шиной питани , база - со входом устройства и коллектором транзистора второго типа проводимости , эмиттер которого подключен ко второй шине питани , база - к коллектору транзисторапервого типа проводимости 2. Недостаток известных устройств - узкие функциональные возможности вследствие невозможности выполнени логических операций. Цель изобретени - расширение функциональных возможностей. Дл достижени поставленной цели в устройство, содержащее транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с первой шиной питани , база - со входом устройства, и коллектором транзис-. тора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен ко второй шине питани . база - к коллектору транзистора первого типа проводимости, введен многоколлекторный транзистор второго типа проводимости, эмиттер и база которого соответственно подключены к базе и коллектору транзистора второго типа проводимости, а коллекторы подключены к выходам устройства. На чертеже представлена принципиальна схема предлагаемого устройства. Устройство содержит транзистор 1 первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с первой шиной 2 питани , база - со входом 3 устройства и коллектором транзистора 4 второго типа проводимости, эмИттер которого подключен ко второй шине 5 питани , многоколлекторный транзистор 6 второго типа проводимости, эмиттер и база которого соответственно подключены к базе и коллектору транзистора второго типа проводимости , а коллекторы подключены к выходам 7 устройства. Предлагаемое устройство работает следующим образом. Пусть транзистор 1 первого типа проводимости выполнен в виде р-п-р-транзистора.This invention relates to automation and computing. A device containing triggers on transistors of different conductivity types with collector-base connections is known. It is also known a device comprising a transistor of the first conductivity type, the emitter of which is connected to the first power bus, the base to the device input and the collector of the transistor of the second conductivity type, emitter which is connected to the second power bus, the base is connected to the collector of the transistor of the first conductivity type 2. The disadvantage of the known devices is the narrow functionality due to the impossibility of logical operations. The purpose of the invention is to expand the functionality. To achieve this goal, a device containing a transistor of the first conductivity type, the emitter of which is connected to the first power bus, the base to the input of the device, and the transis-collector. torus of the second conductivity type, the emitter of which is connected to the second power bus. base - to the collector of the transistor of the first conductivity type; a multi-collector transistor of the second conductivity type is introduced, the emitter and base of which are respectively connected to the base and collector of the transistor of the second conductivity type, and the collectors are connected to the device outputs. The drawing shows a schematic diagram of the proposed device. The device contains a transistor 1 of the first conductivity type, the emitter of which is connected to the first power bus 2, the base is connected to the input 3 of the device and the collector of the transistor 4 of the second conductivity type, the emITiter of which is connected to the second power bus 5, a multi-collector transistor 6 of the second conductivity type, the emitter and the base which is respectively connected to the base and collector of the transistor of the second type of conductivity, and the collectors are connected to the outputs 7 of the device. The proposed device works as follows. Let the transistor 1 of the first conductivity type is made in the form of a pnp transistor.