SU834629A1 - Способ измерени индукции магнит-НОгО пОл - Google Patents
Способ измерени индукции магнит-НОгО пОл Download PDFInfo
- Publication number
- SU834629A1 SU834629A1 SU792762258A SU2762258A SU834629A1 SU 834629 A1 SU834629 A1 SU 834629A1 SU 792762258 A SU792762258 A SU 792762258A SU 2762258 A SU2762258 A SU 2762258A SU 834629 A1 SU834629 A1 SU 834629A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- magnetic field
- electric
- field
- induction
- plate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКЦИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
1
Изобретение относитс к технике магнитных измерений и предназначено дл измерени магнитного пол , а также поверхностных параметров полупроводников.
Известен способ измерени индукции маг нитного- пол , включающий воздействие магнитным полем на носители зар да в однородной полупроводниковой пластине и воздействие на пластину Лили jff-лучей 1.
Недостатком данного способа вл етс использование радиоактивного излучени , которым облучают одну из сторон пластинки.
Известен также способ измерени индукции магнитного пол , включающий воздействие магнитным полем на движущиес носители зар да в однородной полупроводниковой пластине 2.
В известном способе на однородную полупроводниковую пластину действуют светом . В результате световой генерации на поверхности пластинки создаютс носители зар да, которые диффундируют в объем. Под действием силы Лоренца они отклон ютс в направлении, перпендикул рном движению . Вследствие этого на противоположных сторонах плас№нки возникает разность
потенциалов, по величине которой можно судить о ве тичине индукции магнитного пол . Недостатком известного способа вл етс то, что интенсивность освещени пластинки , от которой зависит величина фототока, в ней не стабильна. Интенсивность света лам пы накаливани зависит от точности поддержани тока и сопротивлени нити. Сопротивление нити мен етс со временем вследствие испарени материала нити и ее утончени , а также зависит от температуры окружающей среды, в результате чего снижаетс точность измерени .
Цель изобретени - повыщение точности измерени индукции магнитного пол .
Claims (2)
- Цель достигаетс тем, что в способе, включающем воздействие магнитным полем на движущиес носители зар да в однородной полудроводниковой пластине на указанную пластину дополнительно воздействуют электрическим полем, перпендикул рным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гран х пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей,, суд т об индукции магнитного пол . Способ измерени индукции магнитного пол осуществл етс следующим образом. Однородную полупроводниковую пластину помещают в измер емое магнитное поле . Затем с помощью двух полевых электродов на нее воздействуют электрическим полем , перпендикул рным измер емому магнитному полю. Посто нное напр жение, которое подают на полевые электроды, способствует интенсивному процессу захвата носителей зар да медленными поверхностными состо ни ми. После сн ти электрического полз захваченные носители в результате диффузийч . и дрейфа двигаютс от поверхностей плаб,тинь1. Под действием силы Лоренца носители отклон ютс в направлении, перпендикул рном их движению. Это вызывает по вление на боковых гран х пластины параллельных плоскости электрического и магнитных полей, разности потенциалов, про порциональной индукции магнитного пол . Формула изобретени Способ измерени индукции магнитного пол , включающий воздействие магнитным полем на движущиес носители зар да в однородной полупроводниковой пластине, огг личающийс тем, что, с целью повышени точности на указанную пластину допЬлнительно воздействуют электрическим полем, перпендикул рным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гран х пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей, суд т об индукции магнитного пол . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 291173, кл. G 01 R 33/02, 1971.
- 2.Шалимов К. В. Физика полупроводников . М., «Энерги , 1971, с. 305-307.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792762258A SU834629A1 (ru) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | Способ измерени индукции магнит-НОгО пОл |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792762258A SU834629A1 (ru) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | Способ измерени индукции магнит-НОгО пОл |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU834629A1 true SU834629A1 (ru) | 1981-05-30 |
Family
ID=20826047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792762258A SU834629A1 (ru) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | Способ измерени индукции магнит-НОгО пОл |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU834629A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2442975C2 (ru) * | 2009-05-14 | 2012-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации" | Способ определения полевых и температурных зависимостей величины адиабатического изменения температуры с помощью универсальной кривой |
-
1979
- 1979-05-04 SU SU792762258A patent/SU834629A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2442975C2 (ru) * | 2009-05-14 | 2012-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации" | Способ определения полевых и температурных зависимостей величины адиабатического изменения температуры с помощью универсальной кривой |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU834629A1 (ru) | Способ измерени индукции магнит-НОгО пОл | |
| US9103659B1 (en) | Method and system for junction depth identification for ultra shallow junctions | |
| Slapa et al. | The characterization of CdTe and HgI2 crystals and detectors by light spot scanning (LSS) | |
| SU799050A1 (ru) | Способ определени скорости поверх-НОСТНОй РЕКОМбиНАции | |
| Polla | Determination of carrier lifetime in Si by optical modulation | |
| SU537549A1 (ru) | Способ измерени дозы ионизирующего излучени | |
| JPH0342851A (ja) | 少数キヤリアの界面再結合速度決定方法 | |
| RU2025827C1 (ru) | Способ контроля параметров полупроводниковых материалов | |
| RU2079853C1 (ru) | Способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов | |
| Adamchuk et al. | Photocharging Technique for Barrier Determination on Semiconductor‐Insulator Interfaces | |
| SU638842A1 (ru) | Способ измерени деформаций металлических изделий | |
| Goodman | Improvements in method and apparatus for determining minority carrier diffusion length | |
| Mukhachev et al. | Technique for ionizing radiation dose measurement | |
| Millea et al. | Field effect on silicon | |
| SU1429060A1 (ru) | Способ измерени напр женности электрического пол в твердом диэлектрике | |
| JPS6243551A (ja) | 半導体の少数キヤリア寿命測定装置 | |
| SU997139A1 (ru) | Способ измерени отношени скоростей поверхностной рекомбинации | |
| SU689423A1 (ru) | Способ определени профил концентрациипРиМЕСи B пОлупРОВОдНиКАХ | |
| SU1419425A1 (ru) | Способ определени параметров примесей в полупроводниках | |
| Khusainov et al. | Energy resolution of large-area CdTe p–i–n detectors with charge loss correction | |
| SU1730687A1 (ru) | Способ определени длины свободного пробега электрона в сульфиде кадми | |
| SU867239A1 (ru) | Способ определени концентрации глубоких примесей в полупроводниках | |
| SU405057A1 (ru) | Способ определения параметров полупроводников | |
| SU697883A1 (ru) | Способ измерени коэффициента диффузии в монокристаллических образцах чистых металлов | |
| SU1250107A1 (ru) | Способ измерени параметров глубоких уровней в полупроводниках |