SU817016A1 - Шихта дл изготовлени керамическихКОНдЕНСАТОРОВ - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к керамическим материалам, используемым в радиоэлектронной технике дл  изготовлени  электрических кодненсаторов посто нной емкости.

Известен материал 1 на основе спека BaTiO с добавками р да окислов , характеризующийс  следующим соотношением вход щих в него компонентов , вес.%:

BaTiOa

92

3,0 SnO В in О,

3,0

1,0 ТЮ,

1,0 СеО„

Существенными недостатками известного материала  вл ютс  недостаточно в йсока  его термостойкость и электрическа  прочность, а также недостаточный выход годных материала и изделий на его основе, что ограничивает применение данного материала в массовом производстве монолитных конденсаторрв.

Наиболее близкой к предлагаемой по технической сущности и достигаемому результату  вл етс  шихта 2- дл  изготовлени  керамических конденсаторов , включающа , вес.%:

BaTiO,81,3-87,175

12,0-15,0

,

0,5-1,1

ZnO . .0,3-0,6

. и мелкодисперсный А1 0,025-2,0.

Конденсаторы из этой шихты иМеют достаточно высокую электрическую прочность, но сравнительно низкую термостойкость.

0

Цель изобретени  - повышение термостойкости .

Поставленна  цель достигаетс  тем, что шихта дл  изготовлени  керамических конденсаторов, включгиоща  порошок 5 диэлектрика, содержащего и и мелкодисперсный алюминий в соотношении, вес.%: порошок диэлектрика 98,0-99,99; мелкодисперсный AI 0,01-2,0, порошок диэлектрика дополнительно содержит SnO, TiO , CeOji, при следующем соотношёйии компонентов , вес.%: BaTiO 90-94; 2,53 ,5,- SnO 2,5-3,5, TiO 0,5-1,5, CeO, 0,5-1,5.

5 в данном случае в процессе спекани  мелкодисперсный металлический АI переходит в , но не внедр етс  в кристаллическую решетку материала основы, а заполн ет его межкристал0 литные пространства, так как к началу

образовани  практически заканчиваетс  образование структуры основного материала. Полученна  смесь, межкристаллитные пространства которой заполнены обладает более высокими прочностными Свойствами и обеспечивает повышение выхода годных материала и изделий на ее основе.

Дл  получени  одного из вариантов описываемой шихты предварительно синтезированный спек смешивают с SnO, , ,ТГ02 и Се(, вз тых в необходимых соотношени х. В полученную смесь добвал ют мелкодисперсный А6 и измельчают до 5-7 тыс.. Затем шихту пластифицируют/ формуют в издели  и обжигают при 1130-1420 G в течение 1-5 ч.

Применение предлагаемой шихты материала в производстве конденсаторов позвол ет повысить выход годных, электрические и эксплуатационные характеристики .

конкретные примеры составов шихты и свойства получаемого из нее материала в сравненииС известным материалом приведены в таблице.

Порошок керамического диэлектрика 99,99

3,0

SnO 3,0

,

одисперс1 ,0 А1 0,01

TiO, 1,0

CeO

BaTiO 92

3,0

SnO

«2 3,0

одисперс1 ,0 А1 1,0

TiOo 1,0

CeO,

ВаТЮ 94

2,5

SnO

, 2,5

0,5

TiO,

-2. 0,5

CeOo Известный

2700 1,1 40 .4,9 4,2 186

2600 1,6 48 , 5,6 4,6 279

2300 2,1 45 6,9 7,2 306

Claims (2)

1. 0,72-1,13 - 4,9-6,3 - 98-137 Из приведенных данных видно, что получаемые из предлагаемой шихты керамические материгшы характеризуютс  повышенной термостойкостью. Формула изобретейи  Шихта дл  изготовлени  керамических конденсаторов, включающа  порошок диэлектрика, содержащего BaTfO, Bii.Oj и мелкодисперсный А1 в соотношении , вес.%; порошок диэлектр1 ка 98,0-99,99; мелкодисперсный АI 0,012 ,0, отличающа с  тем, что, с целью повышени  термостойкости , порошок диэлектрика дополнительно содержит SnO, Т iOj . следующем соотношении компонентов, вес.%:ВаТ О, 90-94; 2,5-3,5; SnO 2,5-3,5; TiOg 0,5-1,5; CeOg 0,5-1,5. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Стандарт предпри ти  СТП СЭО.054.001.
2. 2. Авторское свидетельство СССР $87043, кл. С 04 В 35/00, 1978,