SU801153A1 - Способ дефектоскопии диэлектри-чЕСКиХ СлОЕВ - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к электронной технике, в частности к производству полупроводниковых приборов. При производстве полупроводниковых прибюров и интегральных схем предъ вл ютс  высокие требовани  к качеству маскирук дих и функциональных диэлектр ческих слоев, так как макродефекты этих слоев (поры, трещины, включени ) оказывают значительное вли ние на разброс параметров, надежность и выход годных полупроводниковых приборов . Известен способ контрол  дефектности диэлектрических пленок на токолровод щих материалах, заключающийс  в том, что диэлектрическую пленку на токопровод щей подложке привод т в контакт с раствором электролита, про извод т электролитическое осаждение металла на дефектах диэлектической пленки, селективно трав т ее и регистрируют по виду осажденного метал ла конфигурацию и распределение дефе тов в пленке l. Недостатком данного способа  вл етс  больша  продолжительность процесса дефектоскопии во времени и раз рушение исследуемой пленки в процесс проведени  дефектоскопии. Известен способ дефектоскопии диэлектрических слоев на токопровод щей подложке, заключающийс  в пропускании тока через систему подложка - диэлектрический слой - фотоматериал , помещенные в электролит с последующим получением изображени  дефектов в диэлектрическом слое на фотоматериале, При проведении процесса на подложку подают отрицательный потенциал, а в качестве электролита используют воду. При прохождении тока через систему, ионы серебра в фотоматериале восстанавливаютс  над порами и другими электропровод щими дефектами 2 , Недостатком способа  вл етс  необходимость проведени  процесса в темном помещении при неактиничном освещении , с последующей фотохимической обработкой фоторегистрирующего сло  по стандартной технологии. Цель изобретени  - сокращение времени процесса дефектоскопии и возможность проведени  его при актиничном освещении. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в качестве электролита используют про вители фотоматериалов с величиной окислительно-восстановительного по

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Способ дефектоскопии диэлектрических слоев на токопроводящей подложке, заключающийся в пропускании тока через систему подложка - диэлектрический слой - фотоматериал, помещенные в электролите с последующим получением изображения дефектов в диэлектрическом слое на фотоматериале, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса дефектоскопии и возможности проведения его при актиничном освещении, в качестве электролита используют проявители фотоматериалов с величиной окислительно-восстановительного потенциала не более 0,2 В и не менее -0,2 В по отношению к нормальному водородному электроду.