SU776665A1 - Устройство дл двухсторонней очистки плоских изделий - Google Patents

Устройство дл двухсторонней очистки плоских изделий Download PDF

Info

Publication number
SU776665A1
SU776665A1 SU772503076A SU2503076A SU776665A1 SU 776665 A1 SU776665 A1 SU 776665A1 SU 772503076 A SU772503076 A SU 772503076A SU 2503076 A SU2503076 A SU 2503076A SU 776665 A1 SU776665 A1 SU 776665A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
washing
coating
elements
porous material
double
Prior art date
Application number
SU772503076A
Other languages
English (en)
Inventor
Иван Васильевич Кириченко
Владимир Алексеевич Маковкин
Василий Тихонович Комиссаров
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6707
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6707 filed Critical Предприятие П/Я Р-6707
Priority to SU772503076A priority Critical patent/SU776665A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU776665A1 publication Critical patent/SU776665A1/ru

Links

Description

Устройство содержит моечные элементы 1 и 2 с отверсти ми 3 и покрыти ми 4 из пористого материала, механизм вращени  моечных элементов, имеющий приводы 5, систему подъема 6 (например пневмоцилиндр с рычагом), обеспечивающую подъем и опускание моечного элемента 1, средство дл  размещени  изделий между моечными элементами 1 и 2 - кассету 7, систему подачи 8 моющего раствора, соединенную посредством полых валов 9 и 10 с моечными элементами 1 и 2. Моечный элемент 1 выполнен в виде полого диска, нижний - в виде полого кольца, а покрытие 4 размещено на моечных элементах с зазором. Покрытие 4 нат гивают на моечные элементы 1 и 2 посредством колец 11-14. Кольца 11 и 13 с нат нутым покрытием из пористого материала установлены в проточках, выполненных на боковой поверхности моечных элементов и креп тс  на последних, например, с помощью винтов.
Кассета 7 установлена на центрирующей втулке 15. Диаметр отверстий 3 и их количество на моечных элементах 1 и 2 определ етс  диаметром полых валов 9 и 10 (подвод щих трубопроводов), причем дл  создани  избыточного давлени  в полост х моечных элементов и, следовательно, обеспечени  равномерного нат жени  пористого материала покрыти  4 необходимо, чтобы суммарна  площадь отверстий 3 не превышала площади сечени  подвод щего трубопровода .
Устройство работает следующим образом .
Посредством системы подъема 6 верхний моечный элемент 1 поднимают и на нижний моечный элемент 2 с помощью центрирующей втулки 15 устанавливают кассету 7 с полупроводниковыми пластинами 16, например, кремниевыми, прошедшими операцию химико-механической полировки суспензией. Моечный элемент 1 опускают так, чтобы между покрытием 4 из пористого материала верхнего моечного элемента и пластинами 16 оставалс  небольшой зазор , равный примерно двум толщинам зазора , образованного покрытием 4 и основанием моечного элемента 1 с отверсти ми 3, что составл ет около 2 мм. Включают систему подачи 8 моющего раствора к моечным элементам, котора  закачивает раствор через полые валы 9 и 10 в полости диска i и кольца 2, откуда раствор поступает через отверсти  3 в полости, образованные покрытием 4 и основани ми диска 1 и кольца 2. При этом покрыти  4 нат гиваютс  и образуютс  гидравлические подущки , прижимающие пластины 16 с двух сторон с равной силой. Включают приводы 5, посредством которых диск 1 и кольцо 2 вращаютс  в противоположные стороны с равной скоростью, при этом кассета 7 с
пластинами 16 остаетс  неподвижной в силу того, что силы, действующие на кассету с пластинами с противоположных сторон, равны как по величине, так и по направлеПИЮ . Микроструйки моющего раствора пробиваютс  через поры покрыти  4, очищают с обеих сторон поверхность пластин и унос т загр знени  из зоны очистки. По окончании процесса очистки приводы вращени  5 и систему 8 подачи моющего раствора отключают, диск 1 поднимают носредством системы подъема 6, кольцо 2 вместе с кассетой 7 и пластинами 16 извлекают из устройства. Далее цикл повтор етс .
Покрытие выбираетс  таким, чтобы моющий раствор проходил через нее под давлением . Хорошие результаты в отношении качества очистки получены на замше галантерейной искусственной, а также на батисте .
Предлагаемое устройство позвол ет значительно повысить эффективность очистки путем совмещени  в единой конструкции
механического и гидравлического способов очистки. При движении покрыти  из пористого материала по поверхности пластины загр знени  истираютс  и сразу же унос тс  микроструйками моющего раствора
(например, деионизованной воды), пробивающимис  под давлением сквозь пористость покрыти . Это исключает загр знение покрыти  и соответственно вторичное загр знение полупроводниковой пластины.
Необходимое давление, создаваемое на пластину со стороны гидравлической подушки и определ емое теплом и степенью загр знени  пластины, позвол ет создать близкие к идеальным услови  дл  быстрой
и полной очистки любых пластин. Выполнение нижнего моечного элемента в виде нолого кольца и применение центрирующей втулки дл  установки кассеты с обрабатываемыми пластинами позвол ет использовать нижний моечный элемент в качестве транспортного столика и обеспечить возможность его быстрого съема, что в конечном итоге способствует повышению производительности устройства.

Claims (2)

1. Устройство двусторонней очистки плоских изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержащее параллельно расположенные один над другим моечные элементы, имеющие на обращенных одна к другой сторонах отверсти  и покрытие из пористого материала, механизм вращени  моечных элементов и средство дл  размещени  изделий между моечными элементами, верхний из которых выполнен в виде полого диска, отличающеес  тем, что, с целью повышени  эффективности очистки, нижний моечный элемент выполнен в виде полого кольца, в котором установлено средство дл  размещени  деталей, а покрытие из пористого материала размещено на моечных элементах с зазором.
2. Устройство по п. I, отличающеес   тем, что моечные элементы име;от концентрично и с зазором установленные два
ггг
776665
кольца дл  зажима между ними покрыти  из пористого материала.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе
1.Патент США № 3946454 кл. 15-77, 1976.
2.Авторское свидетельство СССР № 630013 кл. В 08В 3/02, 1974 (прототип).
SU772503076A 1977-07-05 1977-07-05 Устройство дл двухсторонней очистки плоских изделий SU776665A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772503076A SU776665A1 (ru) 1977-07-05 1977-07-05 Устройство дл двухсторонней очистки плоских изделий

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772503076A SU776665A1 (ru) 1977-07-05 1977-07-05 Устройство дл двухсторонней очистки плоских изделий

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU776665A1 true SU776665A1 (ru) 1980-11-07

Family

ID=20716134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772503076A SU776665A1 (ru) 1977-07-05 1977-07-05 Устройство дл двухсторонней очистки плоских изделий

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU776665A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5176159A (en) * 1990-09-29 1993-01-05 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Lens case for contact lens cleaning device
CN110252698B (zh) * 2019-07-23 2020-09-01 绍兴文理学院 一种适用于清洗麻将凉席的清理器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5176159A (en) * 1990-09-29 1993-01-05 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Lens case for contact lens cleaning device
CN110252698B (zh) * 2019-07-23 2020-09-01 绍兴文理学院 一种适用于清洗麻将凉席的清理器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6036587A (en) Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
US6056632A (en) Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head
JP3937368B2 (ja) 柔軟なキャリアプレートを有する半導体ウェハポリシング装置
US6261958B1 (en) Method for performing chemical-mechanical polishing
US6095898A (en) Process and device for polishing semiconductor wafers
JP2000354959A (ja) 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド
KR830005718A (ko) 마무리 된 웨이퍼들의 평탄성을 개량하는 방법 및 장치
TW201127553A (en) Method and apparatus for conformable polishing
TW201828399A (zh) 用於處理腔室載具的靜電夾力量測工具
SU776665A1 (ru) Устройство дл двухсторонней очистки плоских изделий
TW544373B (en) Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system
KR970052967A (ko) 웨이퍼 연마장치
EP0835723A1 (en) A carrier head with a layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
KR100579431B1 (ko) 연마방법 및 연마장치
WO2011043567A2 (ko) 웨이퍼 지지 부재, 그 제조방법 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 유닛.
US20070032174A1 (en) Polishing apparatus
JP2000084833A (ja) 研磨盤および研磨パッドの取り換え方法
JPH0479790B2 (ru)
JPH10193253A (ja) ウェーハ研磨装置
JP3969851B2 (ja) 研磨装置及び研磨方法
JP2019072796A (ja) 片面研磨装置へのウェーハ貼付装置、および片面研磨装置へのウェーハ貼付方法
JPS58211852A (ja) 面板研摩治具
JP3711416B2 (ja) 半導体ウェーハのケミカルラップ装置
JPS6251226A (ja) 研磨方法
JP2000061816A (ja) 研磨圧変調cmp装置