SU670872A1 - Накладной емкостной датчик - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике м предназначено дл  определени  влажности веществ по ИХ диэлектрическим хара ктеристикам. Оно может быть Иеполь30ва .но в приборах дл  определени  как влажности веществ, так и в качестве емкостного датчика сигнализатора уровн  веществ с малой диэлектрической проницаемостью , а также в устройствах неразрущающего контрол , диагностики и другах. Известен накладной .измерительный конденсатор , 1В котором высокопотенциальный (рабочий) и низкопотенциальный (общий) электроды установлены на изол ционном основании-подложке, причем низкопотенциальный электрод окружает высокопотенциальный . Известен также емкостной преобразователь , в котором дл  уменьщени  параЗ(Ит.ной емкости между электродами помещен слой из диэлектрика с нелинейной магнитной дроницаемостью, например феррита. Наиболее близким техническим рещением  вл етс  накладной емкостной датчик , включающий рабочие высокопотенциальный и н.изкопотенциальный электро ды, расположенные в одной плоскости и закреплонные неактивными поверхност ми на диэлектрическом основании, и дополнительный электрод эквипотенциальной защиты. Известные датчики имеют тот недостаток , что им присуща паразитна  емкость, обусловленна  диэлектрической проницаемостью изол ционной подлолчки-основани . Это начальна  (паразитна ) емкость известных емкостных датчиков снижает их чувствительность. Кроме того, нестабильность диэлектрических характеристик изол ционного материала подложки, например, св занна  с его старением, вли нием влаги, температуры и других причин, приводит к погрещности измерений. Целью изобретени   вл етс  увеличение чувствительности и точности измерений. Цель достигаетс  тем, что дополнительный электрод выполнен в виде чащи и расположен с зазором вокруг высокопотснцир.льного электрода со всех сторон его неактивных поверхностей, примыкающих к диэлектрическому основанию. При иодаче на дополнительный электрод напр жени , равного по величине и синфазного напр жению на высокопотенциальном электроде, .между этими электродами не будет электрического пол , а это значит, что отсутствует та часть электрической емкости датчика, котора  обусловлена диэлектрической проницаемостью MaTepiui.ia 11одлож1ки. Это дает увеличение чуастиг.тсльпостн датчика. Одновременно пзмо: ;. диз.ак