Изобретение относитс к технологи . производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении керамических конденсаторов, работающих в услови х повышенных температур , до . Известны сегнетоэлектрические керамические титаносодержащие материалы с высокой диэлектрической проницаемостью , примен емые дл изготовлени конденсаторов 1. Не; остатками известных материалов вл ютс высокие температуры спекани узкий температурный интервал стабиль ности емкости (не .шире 85-125С) , вы сока плотность (5-5,8-6,5 г/смЗ). Наиболее близким техническим реше . нцем к данному изобретению вл етс материал на основе системы . ВаТЮз (с срдержанием ЫаНЮз до 50 мол.%) 2 . Недостатками известного материала вл ютс высокие значени температуры спекани , nJfoTHocTH , диэлектричес Ких потерь, узкий рабочий интервал . температур и высока нестабильность емкости внутри этого интервала. Целью изобретени вл етс снижение температуры спекани , диэлектрических потерь, расширение рабочегр интервала температур и повышение стабильности емкости в этом интервале при сохранении высоких значений диэлектрической проницаемости. Цель достигаетс тем, что сегнетоэлектрический керамический материал , преимущественно дл изготовлени конденсаторов, включающий ТЮд, NajjO, Nbi05 дополнительно содержит BiaOj и при следующем соотношении компонентов, мол.%: TiOa30,4-36,4 NagO.30,4-36,4 NbjOs18,2-26,1 ,5-6,55 4,5-6,55 На чертеже приведена температурна зависимость диэлектрической проницаемости S/fg (цифры соответствуют составам в таблице). Сегнетркерамический конденсаторный материал представл ет собой твердый раствор системы ЫаМЬО - Bi/д TiCV Синтез составов осуществл ют по обычной керамической.технологии двухкратным обжигом. Температуры синтеза Т - 800С Т - 850С, продолжительности t tj 5 ч. , .|.,, ::;: ..:;-. . - .: /ЙСХО1ЦН да омп6ненташ ; вЛйютс окислы ( ) квалификации чда,. Спекание производ т методом гор чего прессовани . по спедую1а.еьлу режиму: температураThe invention relates to technology. production of radio components and can be used in the manufacture of ceramic capacitors operating at elevated temperatures, up to. High-dielectric permeability ferroelectric ceramic titanium-containing materials are known for making capacitors 1. He; The remnants of known materials are high sintering temperatures, a narrow temperature range of tank stability (not wider than 85-125 ° C), high density (5-5.8-6.5 g / cm3). The closest technical solutions. The invention is a system based material. VaTuS (with the constraint of NaNUz to 50 mol.%) 2. The disadvantages of the known material are high values of sintering temperature, nJFTHTHTH, dielectric loss, narrow working interval. temperatures and high instability of the capacity within this interval. The aim of the invention is to reduce the sintering temperature, dielectric loss, extending the working temperature range and increasing the stability of the capacitance in this range while maintaining high values of dielectric constant. The goal is achieved by the fact that the ferroelectric ceramic material, mainly for the manufacture of capacitors, including WHERE, NajjO, Nbi05, additionally contains BiaOj and in the following ratio of components, mol%: TiOa30.4-36.4 NagO.30.4-36.4 NbjOs18 , 2-26.1, 5-6.55 4.5-6.55 The drawing shows the temperature dependence of the dielectric constant S / fg (the figures correspond to the compositions in the table). The ferroelectric ceramic capacitor material is a solid solution of the BaMiO - Bi / d TiCV system. The composition of the compositions is carried out in the usual ceramic technology by double firing. Temperatures of synthesis T - 800 ° C T - 850 ° C, duration t tj 5 hours,. |. ,, ::.:: ..:; -. . -.: / YSHO1TSN yes omp6nentash; oxides () chda qualifications ,. Sintering is carried out by hot pressing. by speed mode: temperature
Физические характеристики твердых растворов (100-х) NaNbO3.x(ktBi)o3 ТЮз 66752 6- - -4 Ген f 1100 с, давление Ра 00 кг/рм, врем вьвдержки мич. Данны о физических характеристиках исследованных составов приведены в таблице.Physical characteristics of solid solutions (100-x) NaNbO3.x (ktBi) o3 TYu 66752 6- - -4 Gene f 1100 s, pressure Pa 00 kg / pm, holding time mch. Data on the physical characteristics of the investigated compositions are given in the table.
4 rw: -C wVr-:rti:- f-i.---- -- -V---- -- 120 1070 4,64 30 1550 ±6,5 225 1075 4,69 35 1450 ±7 330 1070 4,71 65 1400 ±84 rw: -C wVr-: rti: - fi .---- - -V ---- - 120 1070 4.64 30 1550 ± 6.5 225 1075 4.69 35 1450 ± 7 330 1070 4 , 71 65 1400 ± 8
Примечание. Электрические измерени проводились на частоте 1 кГц, при величине измерительного пол 10-20 В/см пол ризации.Note. Electrical measurements were carried out at a frequency of 1 kHz, with a measuring field of 10–20 V / cm polarization.