SU531283A1 - Логический элемент и-не - Google Patents

Description

(54) ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ И-НЕ

1

Изобретение относитс  к цифровой технике .

Известен логический элемент, содержащий входной многоэмиттерный транзистор, дополнительный р - h - р -транзистор, делитель напр жени  и выходной инвертор 1.

Однако известное устройство характеризуетс  недостаточными помехоустойчивостью и быстродействием.

Известен также логический элемент, содер ащий входной многоэмиттерный транзистор , дифференциальный усилитель, дополнительный П - р - п -транзистор, делитель напр жени  и выходной инвертор, в котором помехоустойчивость можно повышать примерно до величины, равной половине логического перепада 2.

Однако это известное устройство обладает малой помехоустойчивостью в цеп х с большими уровн ми помех.

Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости логического элемента И-НЕ.

Дл  этого в логический элемент И-НЕ, содержащий входной многоэмиттерный транзистор , коллектор которого подключен к базе первого П - р - п -транзистора дифференциального усилител , коллектор которого через переход база - эмиттер допол штельного р - г - р - транзистора подключе к шине питани , база второго П - р - П -транзистора дифференциального усилител  подключена к средней точке резистивного делител  напр жени , а коллектор - к базе р - г - р -транзистора выходного инвертора , введен дополнительный п - р - П -транзистор , эмиттер которого подключен к базе 1 - р - h -транзистора выходного инвертора , коллектор через резистор - к средней точке резистивного делител  напр жени , а база - коллектору дополнительного р - п - р -транзистора.

На фиг. 1 приведена принципиальна  электрическа  схема логического элемента И-НЕ; на фиг. 2 - передаточна  характеристика элемента.

Логический элемент И-НЕ 1 содержит логическую часть, выполн ющую функцию И, собранную на многоэмиттерном транзисторе 3, сложный инвертор 4, собранный на транзисторах противоположного типа проводимости п - р - -типа 5 с резистором 6 в цепи базы и р - п - р -типа 7. К коллектору многоэмиттерного транзистора 2 подключена база транзистора 8 дифференциального усилител  9. Другой транзистор Ю дифференциального усилител  9 базой подключен к делителю напр жени  11 на резисторах 12 и 13. В общей цепи эмиттеров дифференциального усилител  9 включен резистор 14. Коллектор транзистора 10 подключен к базе транзистора 7. К коллектору транзистора 8 подключетс  база транзистора 15 р - л - р -типа, эмиттер его подключен к шине питани . Между коллектором транзистора 15 и базой транзистора 5 включен транзистор 16 п - р - П -типа базой к коллектору транзистора 15, эмиттером к базе транзистора 5. Коллектор транзистора 16 через резистор 17 подключен к средней точке делител  напр жени  11.

Логический элемент работает следующим образом.

Когда хот  бы на одном из входов элемента действует низкий уровень напр жени  (логический О), транзистор 2 находитс  в насыщении и потенциал коллектора выще потенциала эмиттера на величину напр жени  насыщени  транзистора. В этом режиме транзисторы 8 и 15, 16 и 5 закрыты, а транзисторы 10 и 7 открыты. На выходе элемента обеспечиваетс  высокий уровень напр жени , равный логической 1. При изменении входного напр жени  от состо ни  логического О до состо ни  логической 1 происходит переключение тока из транзистора 1О в транзистор 8 дифференциального усилител  9. При этом измегиют свое состо ние транзисторы 5, 7, 15 и 16. Порог включени  элемента определ етс  напр жением в средней точке резистивного делител  и равен

-. (О

U

йх.п

R

1Ъ

+ 1

R

1Z

где Е - напр жение источника питани .

Во включенном состо нии элемента транзистор 16 открыт и через его коллектор протекает ток, который приводит к изменению потенциала в средней точке резистивного делител . При изменении входного напр жени  от состо ний логического О произойдет переключение элемента при напр жении

R

1

15

4l

z

R

1

и + и

ff316К.Н5

(2)

17

+ i

a

где напр жение на эмиттер ном переходе транзистора 16;

U

- напр жение на переходе коцКН5

IQ лектор - эмиттер насыщенного транзистора 5, которое определ етс  так же делителем напр жени  11.

На выражений (1) и (2) видно, что при Ifl изменении отношений между сопротивлени ми резисторов 12, 13 и 17 можно управл ть значени ми входных пороговых напр жений .

Из фиг. 2 видно, что если смещать вели20 1)I

чину LUвправо, а величину U овлево , то значени  J U , характеризующие помехоустойчивость элемента, будут увеличиватьс .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Логический элемент И-НЕ, содержащий входной многоэмиттерный транзистор, коллектор которого подключен к базе первого л - р - п -транзистора дифференциального усилител , коллектор которого через переход база - эмиттер дополнительного р - Г) - Р -транзистора подключен к шине питани , база второго п - р - П - транзистора дифференциального усилител  подключена к средней точке резистивного делител  напр жени , а коллектор - к базе р - П - Р -транзистора выходного инвертора, о т л .ичающийс  тем, что, с целью повышени  помехоустойчивости, в него введен дополнительный h - р - п -транзистор,эмиттер которого подключен к базе П - р - П -транзистора выходного инвертора, коллектор через резистор - к средней точке резистивного делител  напр жени , а база - к коллектору дополнительного р - h - р - -транзистора.

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:

   1.Авторское свидетельство СССР № 359763, МКИ Н 03 К 19/О8,

   05.О7.71.

   2,Авторское свидетельство СССР № 450365, МКИ Н 03 К 19/36, 18.06.73 (прототип).

   Vh,f

   ,

   /

   UBX

   u.

   Ac. л