зуют известную аппаратную схему эпитаксиального роста с близким расположением подло;.аси и источника. Дл селективного осаждени на подход щей подложке одного или нескольких эпитаксиальных слоев в виде островков желаемой формы и толщины и на желаемом рассто нии друг от друга изготовл ют один или несколько источников полупроводникового вещества, поверхность которых доступна действию химического транспортного реагента лишь на локальны участках, расположенных зеркально-симметрично по отношению к предлагаемому расположению- эпитаксиальных островков на поверхности подложки. « Локализацию взаимодействи химичеокЬго транспортного агенства с ограниченными по форме и размеру участками источника осуществл ют путем маскировани всей поверхности источника с последующим фотолитографическим вытравливанием окон заданного размера и конфигурации, которые обнажают соответствующие участ ки на поверхности источника. Далее подго товленный источник сближают с очищенно поверхностью подложки и пои достаточно малом рассто нии между ними, например, пор дка 10 мк устанавливают разность температур между ними , после чего производ т газотранспортную реакцию , в результате которой полупроводниковое вещество переноситс через зазор от источника к подложке и осаждаетс се лективно на участках подложки, противоле жащих окнам на маскированной поверхнос ти источника. При этом островки селек- тивно-эпитаксиального роста воспроизвод т на подложке форму и размеры окон маски, осажденной на подложке с точностью не хуже 10% ; (дл окон диаметром 10 мк). Отсутствие окисной маски на подложке существенно улучидает услови кристаллизации селективных слоев, так как полностью исключаютс эффекты анизотропии св занные со спецификой зародьшаеобразоаани новых атомных слоев на границе раздела окисна маска - полупроводник. Процесс наращивани провод т на прд ложке из арсенида галли с ориентацией (111) В с использованием химической транспортной реакции с парами воды при 1«мпературе источника , температур ре подложки 910 С, рассто нии между поверхност ми источника и подложки 20 мк. Особенно хорошие) результаты по раэрешающей способности селективной эпитакь сии получаютс при непосредственном KOftтакте подложки и источника, когда зазор между поверхност ми подложки и источника определ етс лищь толщиной окисной маски, нанесенной на источник. Даже использование подложки с неудаленным деформированным поверхностным слоем не приводит к срыву селе.тивной эпитаксии или - к существенному искажению заданной (круглой) формы островков селективного роста. Технико-экономическа эффективность предлагаемого способа достигаетс путем упрощени и удешевлени технологии селективчого эпитаксиального осаждени полупроводниковых и других пленок за счет сокращени числа фотолитографичес ких операций и операций по нанесению защитной маски, кратность использовани которой возрастает в 20-1ОО раз. Срок службы(или кратность использовани ) маскированного источника зависит прежде всего от количества вещест ва . переносимого из окна в маске на подложку за один технологический цикл. ула изобретени 1.Способ селективного наращивани полупроводниковых однослойных и MHoro-i слойных эпитаксиальных структур из газовой фазы сэндвич-методом с помощью химической транспортной реакции с применением защитней маски с фотолитографически вскрытыми окнами, отличающийс тем, что, с целью упрощени и удешевлени способа, защит ную маску с фотолитографически вытравленными окнами нанос т на поверхность источника. 2,Способ по п. 1, о т л и ч а ю- щ и и с тем, что используют последо-. вательно по меньшей мере два сменных источника, различающихс по химическому составу и/или по конфигурации фотолитографической маски.