SU476022A1

SU476022A1 - Подложкодержатель дл газовой эпитаксии

Info

Publication number: SU476022A1
Application number: SU1872042A
Authority: SU
Inventors: Андрей Андреевич Басовский; Олег Васильевич Богородский; Александр Соломонович Дерман
Original assignee: Предприятие П/Я Г-4696
Priority date: 1973-01-12
Filing date: 1973-01-12
Publication date: 1975-07-05

Description

1

Изобретение относитс к устройствам дл элитажсиального наращивани полуороводниковых материалов из газовой фазы.

В известном устройстве дл газовой элитаксии иолупроводников подложкодержатель вьшолнен в виде вертикальной трубы, на боковой .поверхности которой расположены подложки, а внутри установлен нагреватель сопротивлени . Подложки расположены в углублени х с плоским дном. Так как подложки опираютс на плоскую поверхность, а внутренн поверхность подложкодержател - вогнута , стенка последнего имеет различную толщину на краю и в центре расположени подложки. В результате разнотолщинности стенки перепад температуры но новерхпости подлож:ки, например при диаметре 60 мм, составл ет 10-12°С. Это приводит к неоднородности свойств получаемых эпита .КСиальных слоев.

Цель изобретени - обеспечение более равномерного нагрева подложек.

Дл этого в местах расположени подложек на боковой поверхности предлагаемого ,поу1лОЖкодер кател вьшолнены окна, в которые вставлены диски с толщиной в центре, равной 100-130% от их толщины на периферии , причем наружна поверхность днсков параллельна к образующей поверхности подложкодержател НЛП наклонена к пей под УГЛОМ не более 8°.

lia фиг. 1 схе.матпчески изображен подложкодержатель , продольный разрез (при наклонном располол ении дисков); на фиг. 2 - то же, поперечное сечение (при параллельном расположении дисков).

Подложкодержатель расположен внутри герметичной камеры 1, установленной на поддоне 2. Подложкодержатель изготовлен из стойкого к газовой среде материала, например графита, локрытого слоем поликр.исталлнческого кремнн . В боковой поверхности подлоЖКодержател вьшолнены окна 3, в которые вставлены диски 4. Па дисках размещены подложки 5. Дл их установки в нижней части дисков имеетс уступ 6. Подложки могут быть также установлены на штырьках 7, вставленных в диски. Поверхность дисков, обращенна к подложкам, - плоска , а внутренп поверхность слегка выпукла .

Внутри подложкодержател установлен нагреватель сонротивлени нз графита.

Подложкодержатель работает следуюн1им образом.

Устанавливают подложки 5, камеру 1 о,пускают на поддон 2 н из нее продувкой инертным газом удал ют воздух. Инертный газ вытесн ют водородом, в атмосфере которого ведут разогрев Путем подачи на нагреватель сопротивлени 8 напр жени . При нагреве тепловой иоток через стенку дисков 4 поступает к (Подложкам 5. После достижени

температуры процесса, нзпример дл кремниевых слоев 1230°С, в камеру подают парогазовую смесь: водород и тетрахлорид кремни . На поверхности подложек идет рост эпитаксиальных слоев кремни .

Устройство позвол ет получать весьма равномерную тем1пературу на поверхность подложек , наиример .при их диаметре 60 мм, в пределах 1-3°С.

.Подложкодержатель может быть использован дл получени эпитаксиальных слоев полулроводнИКОБЫх материалов методом водородного восстановлени и термического разложени .

Предмет изобретени

Claims

1. Подлож кодержатель дл газовой эпитаксии , выполненный в виде вертикальной

трубы, на бобковой поверхности которой расположены подложки, а внутри установлен нагреватель сопротивлени , отличающийс том, что, с целью обеспечени более равномерного нагрева подложек, в местах их расположени на боковой поверхности выполнены окна, в которые вставлены диски, толщина которых в центре равна 100-130% от их толщины на периферии.

2.Подложкодержатель по п. 1, отличаю и; и и с тем, что наружна поверхность дисков параллельна к его образующей боковой поверхности.

3.Подлож кодержатель по п. 1, отличаю П1 и и с тем, что наружна поверхность диоков наклонена к его образующей боковой поверхности под углом не более 8°.