SU457208A3 - Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни - Google Patents
Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремниInfo
- Publication number
- SU457208A3 SU457208A3 SU1770873A SU1770873A SU457208A3 SU 457208 A3 SU457208 A3 SU 457208A3 SU 1770873 A SU1770873 A SU 1770873A SU 1770873 A SU1770873 A SU 1770873A SU 457208 A3 SU457208 A3 SU 457208A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- finely divided
- divided silica
- producing finely
- hydrogen
- producing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
- C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
- C01B33/183—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/22—Rheological behaviour as dispersion, e.g. viscosity, sedimentation stability
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Изобретение относитс к области получени тонкоизмельченной двуокиси кремни с развитой поверхностью и может быть использовано в химической промышленности, например , дл повышени в зкости и тиксотропных свойств органических сред, преимушественно ненасьоденных полиэфирных лаков, дл усилени термовулкаиизированных прозрачных силиконовых каучуков.
Известны способь получени тонкоизмельчениой двуокиси кремни сжиганием соответствуюших галогенидов или других летучих соединений. По одному из известных способов процесс ведут через стадию гидролиза так, что пары летучих исходных веш,еств, например SiCU, смешивают с горючим газом, например водородом, и эту смесь подвергают обменному разложению в атмосфере, содержашей кислород. Продукт, полученный указанным методом, характеризуетс величиной первичных частиц пор дка 10-40 ммкм и удельной поверхностью 50-380 .
Известен также способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни , заключающийс в том, что кремний или легированный Si обрабатывают при повышенной температуре хлористым водородом и в полученную смесь ввод т водород и (или) пары воды дл гидролиза хлористых соединений кремни и(или) хлорсиланов до хлористого водорода и двуокиси кремни . Полученный продукт имеет величину первичных частиц пор дка 160 ммкм. Известен способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни , используемой в качестве загустител в органических средах, включающий сжигание смеси, содержащей пары галогенида кремни , например трихлорсилана , и водород- и кислородсодержащие газы, в факеле при повышенной температуре,
предпочтительно 1050-1100°С, охлаждение продуктов сгорани , содержащих кремниевую кислоту в виде аэрозол , и отделение последней после коагул ции от адсорбированных примесей известным способом. Однако вследствие трудностей, возникающих при работе с трихлорсиланом, и отсутстви условий проведени гидролитического превращени последнего в кислородно-водородном пламени, нельз было получить продукт с незначительной величиной первичных частиц пор дка 5-
7 ммкм и удельной поверхностью 380-
650 , обладающий повышенным загустительным действием.
Целью изобретени вл етс получение продукта с указанными характеристиками и свойствами . Это достигаетс тем, что сжигание ведут в присутствии инертного газа-носител , например азота, и трихлорсилан берут в количестве 410-565 г/м газовой смеси в нор
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712123233 DE2123233C3 (de) | 1971-05-11 | 1971-05-11 | Feinteiliges grossoberflaechiges siliciumdioxid |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU457208A3 true SU457208A3 (ru) | 1975-01-15 |
Family
ID=5807495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1770873A SU457208A3 (ru) | 1971-05-11 | 1972-04-10 | Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS535636B1 (ru) |
BE (1) | BE783326A (ru) |
DE (1) | DE2123233C3 (ru) |
FR (1) | FR2137479B1 (ru) |
GB (1) | GB1394116A (ru) |
NL (1) | NL175984C (ru) |
SU (1) | SU457208A3 (ru) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3016010C2 (de) * | 1980-04-25 | 1985-01-10 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur pyrogenen Herstellung von Kieselsäure |
US5340560A (en) * | 1993-04-30 | 1994-08-23 | General Electric Company | Method for making fumed silica having a reduced aggregate size and product |
DE10135452A1 (de) * | 2001-07-20 | 2003-02-06 | Degussa | Pyrogen hergestellte Aluminium-Silicium-Mischoxide |
EP4291528A1 (en) | 2021-02-11 | 2023-12-20 | Evonik Operations GmbH | Fumed silica powder with reduced silanol group density |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE900339C (de) * | 1951-07-05 | 1953-12-21 | Degussa | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kolloidaler Kieselsaeure in Aerogelform |
-
1971
- 1971-05-11 DE DE19712123233 patent/DE2123233C3/de not_active Expired
-
1972
- 1972-02-03 NL NL7201420A patent/NL175984C/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-03-31 FR FR7211509A patent/FR2137479B1/fr not_active Expired
- 1972-04-10 SU SU1770873A patent/SU457208A3/ru active
- 1972-04-27 GB GB1961872A patent/GB1394116A/en not_active Expired
- 1972-05-09 JP JP4582272A patent/JPS535636B1/ja active Pending
- 1972-05-10 BE BE783326A patent/BE783326A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2137479B1 (ru) | 1975-03-21 |
FR2137479A1 (ru) | 1972-12-29 |
NL175984C (nl) | 1985-02-01 |
NL175984B (nl) | 1984-09-03 |
JPS535636B1 (ru) | 1978-03-01 |
GB1394116A (en) | 1975-05-14 |
DE2123233B2 (de) | 1977-03-03 |
DE2123233C3 (de) | 1977-10-13 |
DE2123233A1 (de) | 1972-11-30 |
BE783326A (fr) | 1972-09-01 |
NL7201420A (ru) | 1972-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100232438B1 (ko) | 열분해법 실리카, 이의 제조방법 및 이의 용도 | |
Laine et al. | Avoiding carbothermal reduction: Distillation of alkoxysilanes from biogenic, green, and sustainable sources | |
US4108964A (en) | Process for the manufacture of silicon dioxide | |
JP4440157B2 (ja) | 熱分解法により製造された二酸化ケイ素粉末 | |
US7063826B2 (en) | High-purity quartz powder, process for producing the same, and glass molding | |
JP5362731B2 (ja) | 高純度ヘキサクロロジシランの製造方法 | |
US2399687A (en) | Preparation of finely-divided silicon dioxide | |
SU957758A3 (ru) | Способ получени диоксида кремни | |
US2943918A (en) | Process for manufacturing dense, extra pure silicon | |
JPS6335567B2 (ru) | ||
SU457208A3 (ru) | Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни | |
JPS6015569B2 (ja) | 二酸化珪素を熱分解的に製造するための装置 | |
US3416890A (en) | Process of producing oxides of metals and metalloids | |
US3661519A (en) | Hydrolysis of silicon tetrafluoride | |
US2798792A (en) | Method for the production of finely divided silicon dioxide | |
US3790459A (en) | Process for removing hydrogen silanes from chlorosilanes | |
US1364273A (en) | Process for the production of lampblack | |
JPH0357047B2 (ru) | ||
JP2889202B2 (ja) | 高分散性二酸化珪素の製造法 | |
US3132925A (en) | Method for production of sulfuryl fluoride | |
KR100234448B1 (ko) | 수소화 붕소나트륨 촉매된 사이클로오 가노실란의 불균등화 방법 | |
US3719747A (en) | Hydrothermal process for making hydrogen fluoride | |
US3359214A (en) | Surface properties of solids | |
SU139657A1 (ru) | Способ получени моноокиси кремни | |
JPS59137312A (ja) | クロルシランの精製法 |