SU457208A3 - Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни - Google Patents

Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни

Info

Publication number
SU457208A3
SU457208A3 SU1770873A SU1770873A SU457208A3 SU 457208 A3 SU457208 A3 SU 457208A3 SU 1770873 A SU1770873 A SU 1770873A SU 1770873 A SU1770873 A SU 1770873A SU 457208 A3 SU457208 A3 SU 457208A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
finely divided
divided silica
producing finely
hydrogen
producing
Prior art date
Application number
SU1770873A
Other languages
English (en)
Inventor
Феллинг Аксель
Original Assignee
Дегусса (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дегусса (Фирма) filed Critical Дегусса (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU457208A3 publication Critical patent/SU457208A3/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C01B33/181Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
    • C01B33/183Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/22Rheological behaviour as dispersion, e.g. viscosity, sedimentation stability

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

Изобретение относитс  к области получени  тонкоизмельченной двуокиси кремни  с развитой поверхностью и может быть использовано в химической промышленности, например , дл  повышени  в зкости и тиксотропных свойств органических сред, преимушественно ненасьоденных полиэфирных лаков, дл  усилени  термовулкаиизированных прозрачных силиконовых каучуков.
Известны способь получени  тонкоизмельчениой двуокиси кремни  сжиганием соответствуюших галогенидов или других летучих соединений. По одному из известных способов процесс ведут через стадию гидролиза так, что пары летучих исходных веш,еств, например SiCU, смешивают с горючим газом, например водородом, и эту смесь подвергают обменному разложению в атмосфере, содержашей кислород. Продукт, полученный указанным методом, характеризуетс  величиной первичных частиц пор дка 10-40 ммкм и удельной поверхностью 50-380 .
Известен также способ получени  тонкоизмельченной двуокиси кремни , заключающийс  в том, что кремний или легированный Si обрабатывают при повышенной температуре хлористым водородом и в полученную смесь ввод т водород и (или) пары воды дл  гидролиза хлористых соединений кремни  и(или) хлорсиланов до хлористого водорода и двуокиси кремни . Полученный продукт имеет величину первичных частиц пор дка 160 ммкм. Известен способ получени  тонкоизмельченной двуокиси кремни , используемой в качестве загустител  в органических средах, включающий сжигание смеси, содержащей пары галогенида кремни , например трихлорсилана , и водород- и кислородсодержащие газы, в факеле при повышенной температуре,
предпочтительно 1050-1100°С, охлаждение продуктов сгорани , содержащих кремниевую кислоту в виде аэрозол , и отделение последней после коагул ции от адсорбированных примесей известным способом. Однако вследствие трудностей, возникающих при работе с трихлорсиланом, и отсутстви  условий проведени  гидролитического превращени  последнего в кислородно-водородном пламени, нельз  было получить продукт с незначительной величиной первичных частиц пор дка 5-
7 ммкм и удельной поверхностью 380-
650 , обладающий повышенным загустительным действием.
Целью изобретени   вл етс  получение продукта с указанными характеристиками и свойствами . Это достигаетс  тем, что сжигание ведут в присутствии инертного газа-носител , например азота, и трихлорсилан берут в количестве 410-565 г/м газовой смеси в нор
SU1770873A 1971-05-11 1972-04-10 Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни SU457208A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712123233 DE2123233C3 (de) 1971-05-11 1971-05-11 Feinteiliges grossoberflaechiges siliciumdioxid

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU457208A3 true SU457208A3 (ru) 1975-01-15

Family

ID=5807495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1770873A SU457208A3 (ru) 1971-05-11 1972-04-10 Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS535636B1 (ru)
BE (1) BE783326A (ru)
DE (1) DE2123233C3 (ru)
FR (1) FR2137479B1 (ru)
GB (1) GB1394116A (ru)
NL (1) NL175984C (ru)
SU (1) SU457208A3 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3016010C2 (de) * 1980-04-25 1985-01-10 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur pyrogenen Herstellung von Kieselsäure
US5340560A (en) * 1993-04-30 1994-08-23 General Electric Company Method for making fumed silica having a reduced aggregate size and product
DE10135452A1 (de) * 2001-07-20 2003-02-06 Degussa Pyrogen hergestellte Aluminium-Silicium-Mischoxide
EP4291528A1 (en) 2021-02-11 2023-12-20 Evonik Operations GmbH Fumed silica powder with reduced silanol group density

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE900339C (de) * 1951-07-05 1953-12-21 Degussa Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kolloidaler Kieselsaeure in Aerogelform

Also Published As

Publication number Publication date
FR2137479B1 (ru) 1975-03-21
FR2137479A1 (ru) 1972-12-29
NL175984C (nl) 1985-02-01
NL175984B (nl) 1984-09-03
JPS535636B1 (ru) 1978-03-01
GB1394116A (en) 1975-05-14
DE2123233B2 (de) 1977-03-03
DE2123233C3 (de) 1977-10-13
DE2123233A1 (de) 1972-11-30
BE783326A (fr) 1972-09-01
NL7201420A (ru) 1972-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100232438B1 (ko) 열분해법 실리카, 이의 제조방법 및 이의 용도
Laine et al. Avoiding carbothermal reduction: Distillation of alkoxysilanes from biogenic, green, and sustainable sources
US4108964A (en) Process for the manufacture of silicon dioxide
JP4440157B2 (ja) 熱分解法により製造された二酸化ケイ素粉末
US7063826B2 (en) High-purity quartz powder, process for producing the same, and glass molding
JP5362731B2 (ja) 高純度ヘキサクロロジシランの製造方法
US2399687A (en) Preparation of finely-divided silicon dioxide
SU957758A3 (ru) Способ получени диоксида кремни
US2943918A (en) Process for manufacturing dense, extra pure silicon
JPS6335567B2 (ru)
SU457208A3 (ru) Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни
JPS6015569B2 (ja) 二酸化珪素を熱分解的に製造するための装置
US3416890A (en) Process of producing oxides of metals and metalloids
US3661519A (en) Hydrolysis of silicon tetrafluoride
US2798792A (en) Method for the production of finely divided silicon dioxide
US3790459A (en) Process for removing hydrogen silanes from chlorosilanes
US1364273A (en) Process for the production of lampblack
JPH0357047B2 (ru)
JP2889202B2 (ja) 高分散性二酸化珪素の製造法
US3132925A (en) Method for production of sulfuryl fluoride
KR100234448B1 (ko) 수소화 붕소나트륨 촉매된 사이클로오 가노실란의 불균등화 방법
US3719747A (en) Hydrothermal process for making hydrogen fluoride
US3359214A (en) Surface properties of solids
SU139657A1 (ru) Способ получени моноокиси кремни
JPS59137312A (ja) クロルシランの精製法